「implanted layers」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In the N-type diffused source and drain layers 20, there is formed P-type impurity-implanted regions 19 having a P-type impurity concentration lower than that of the N-type diffused source and drain layers 20.例文帳に追加

Ｎ型ソース・ドレイン拡散層２０の内部には、Ｐ型不純物濃度がＮ型ソース・ドレイン拡散層２０よりも低いＰ型不純物注入領域１９が形成されている。 - 特許庁

Then, after the bonded wafer 1, in which the two ion-implanted layers 4 and 6 are formed, is coupled with a base wafer 7, a thin bonded single-crystal silicon film 5 is peeled from the bonded wafer 1 by peeling the peelable ion-implanted layer 4.例文帳に追加

そして、それら２つのイオン注入層４，６が形成されたボンドウェーハ１をベースウェーハ７に結合した後、ボンドウェーハ１から結合シリコン単結晶薄膜５を剥離用イオン注入層４にて剥離する。 - 特許庁

Conductive impurity ions are implanted only at a part 25a positioned in a capacitor formation scheduled region in the second PolySi layers 25.例文帳に追加

続いて、第２のＰｏｌｙＳｉ層２５のうち、キャパシタの形成予定領域に位置する部分２５ａのみに、導電型不純物イオンを注入する。 - 特許庁

This forms ion-implanted layers 13a, 13b at a position 500Å or shallower from the surface of the wafer 21 for the activated layer and the wafer for support.例文帳に追加

これにより、活性層用ウェーハ２１および支持用ウェーハの表面より５００Å以下の深さ位置にイオン注入層１３ａ、１３ｂが形成される。 - 特許庁

A metal and alloy material/semiconductor material/insulating material (resin), etc. are implanted/impregnated in a honeycomb porous ceramics material, to form a ceramics composite laminated material of several layers.例文帳に追加

ハニカム状の多孔セラミックス材に金属や合金材・半導体材・絶縁材（樹脂）を注入・含浸させて、幾層ものセラミックス複合積層材とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a silicon carbide semiconductor device capable of reducing elimination of ion-implanted p^+ layers while reducing contact resistance.例文帳に追加

コンタクト抵抗を低減しつつ、イオン注入したｐ^+層の消失を低減できる炭化珪素半導体装置の製造方法の提供を目的とする。 - 特許庁

Consequently, when impurity ions are implanted to the selective epitaxial layers 2 in a post-process, the quantity of impurity ions implanted at a desired angle is increased, the profile of an impurity-ion region can be set at a desired value, and the characteristics of a transistor are improved.例文帳に追加

このため、後工程で選択エピタキシャル層２に不純物イオンを注入したときに、所望の角度で注入される不純物イオン量が多くなり、不純物イオン領域のプロファイルを所望の値に設定でき、トランジスタの特性がよくなる。 - 特許庁

Al-containing regions 8a, 8b containing ion-implanted aluminum are formed in a range facing the surfaces of the first nitride semiconductor layers 6a, 6b.例文帳に追加

第１窒化物半導体層６ａ、６ｂの表面に臨む範囲には、イオン注入されたアルミニウムが含有されているＡｌ含有領域８ａ、８ｂが形成されている。 - 特許庁

Ions are then implanted into the surface of the diffused layer and into the surface of the gate electrode for the formation of amorphous layers on the surface of the diffused layer and on the surface of the gate electrode.例文帳に追加

その後、拡散層表面と、前記ゲート電極表面とに、イオンを注入し、拡散層表面と、ゲート電極表面とに、非晶質層を形成する。 - 特許庁

Each of covered areas of 40b1, 40b2, 42b1, and 42b of gate insulating layers 40 and 42 exposed each from both sides of gate layers 38I and 38II is ion-implanted into a mask, and the LDD area and source/drain area are formed at the same time.例文帳に追加

ゲート層３８Ｉ，３８ＩＩ両側からそれぞれ露出するゲート絶縁層４０，４２の各被覆領域４０ｂ_1，４０ｂ_2，４２ｂ_1, ４２ｂをマスクにイオン注入を行い、ＬＤＤ領域とソース／ドレイン領域を同時に形成する。 - 特許庁

Moreover, island-shaped semiconductor layers 104 and 105a are formed as active layers, and p-type and n-type impurities in proper concentration are implanted by masks 107 and 108 so as to form a channel which can control the threshold voltage.例文帳に追加

また島状半導体層１０４、１０５ａを形成して活性層とし、マスク１０７、及び１０８によって、ｐ型及びｎ型の適切な濃度の不純物を注入して、しきい値電圧を制御できるチャネルを形成する。 - 特許庁

At ion-implantation for forming source/drain regions 9 and 59, a dopant is implanted even into the silicon layers 3 and 53 so that a boron distribution layer 3B or phosphorus distribution layer 53P is formed in a region deeper than the nitrogen distribution layers 3N and 53N.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域９，５９の形成のためのイオン注入時にシリコン層３，５３中へもドーパントが注入されて、窒素分布層３Ｎ，５３Ｎよりも深い領域にホウ素分布層３Ｂ又はリン分布層５３Ｐが形成される。 - 特許庁

Arsenic ions are implanted in a silicon substrate 11 in a state that a substrate temperature is kept at a low temperature of 100°C or lower and thereafter, a heat treatment is performed to form source/drain diffused layers 16 in the substrate 11.例文帳に追加

基板温度を１００℃以下の低温に保った状態で、シリコン基板１１に砒素イオンを注入した後、熱処理を行ってソース／ドレイン拡散層１６を形成する。 - 特許庁

First ions are implanted into a P-type semiconductor substrate 111 penetrating through first polysilicon layers 115a and 115b and a first and a second oxide films 113 and 114 using a photoresist layer 116 as a mask.例文帳に追加

ホトレジスト層１１６をマスクとして、第１のポリシリコン層１１５ａ，１１５ｂ、第１の酸化膜１１３と第２の酸化膜１１４を貫通して、第１のイオン注入を行う。 - 特許庁

A semiconductor device, having an implanted structure, prevents impurity atoms from bouncing out of P-type diffused layers 4 and 5 as implanted layers with an N-type thin film layer 8 as an reverse conductivity type or prevents forming the inverted layer at the channel part, by canceling the bounced out P-type impurity atoms by the N-type atoms as the reverse conductivity type.例文帳に追加

埋め込み構造を有する半導体装置において、埋め込み層であるＰ型拡散層４及び５からの不純物原子の飛び出しを反対導電型であるＮ型の薄膜層８により防止し、あるいは飛び出したＰ型の不純物原子を反対導電型であるＮ型の原子で相殺することによって、チャンネル部の反転層の形成を防止する。 - 特許庁

After forming a source diffusion layer 17A and a drain diffusion layer 17B, boron ions are implanted so that concentration becomes larger than solid solubility in at least a part of regions of these diffusion layers which are turned into silicides.例文帳に追加

ソース拡散層１７Ａおよびドレイン拡散層１７Ｂを形成した後、これらの拡散層でシリサイド化される領域の少なくとも一部が固溶解度よりも大きな濃度となるようにボロンイオンを注入する。 - 特許庁

A first dopant of the first conductivity type is implanted into the substrate 1 on the first main side with the gate electrode layers 3 and 3' as a mask and is diffused into the substrate 1 to form an enhancement layer.例文帳に追加

第一の導電性タイプの第一のドーパントが、前記ゲート電極層３，３’をマスクとして用いて、第一のメインサイドで基板１の中に注入され、基板１の中に拡散され、エンハンスメント層を形成する。 - 特許庁

Then, after a side wall 6 is formed, the arsenic of dose amount 4E15 cm-2 is ion- implanted into the semiconductor substrate 2 with the energy 50 keV at an angle which does not cause a channeling phenomenon to form n+ layers 3 and 4.例文帳に追加

その後、サイドウォール６を形成した上で、ドーズ量４Ｅ１５ｃｍ^-2の砒素をチャネリング現象を起し得ない角度で且つ５０ｋｅＶのエネルギーで半導体基板２の内部に向けてイオン注入しｎ^+層３，４を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flat cell-type memory semiconductor device which is capable of preventing a cell current from deteriorating and enhancing implanted element isolation ions in dose so as to reduce a leakage current between diffusion layers enough.例文帳に追加

セル電流の低下を防止することができると共に、拡散層間のリークを低減する素子分離イオン注入のドーズ量を十分高く確保することができるフラットセル型メモリ半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Through the silicon oxide film 7 for protecting against ion implantation damage, ion is implanted on the entire surface of a p-well with the gate electrode 5 and a side wall 6 as implantation masks, to form n^+ diffusion layers 12 and 13 on the p-well.例文帳に追加

次に、このイオン注入損傷の保護用のシリコン酸化膜７を介すると共に、ゲート電極５およびサイドウォール６を注入マスクとして、ｐウェルの全面にイオン注入をし、ｐウエルにｎ^＋ 拡散層１２、１３を形成する。 - 特許庁

As positive oxide film forming treatment including the oxidation prior to the ion implantation to the epitaxial layer 3 is neglected, the number of thermal hysteresis loaded on the buried ion implanted layers 71', 72' is lowered, thereby, the diffusion in the lateral direction is effectively suppressed.例文帳に追加

注入前酸化を含めたエピタキシャル層３への積極的な酸化膜形成処理が排除される結果、埋込イオン注入層７１’，７２’に加わる熱履歴の回数が減って横方向拡散が効果的に抑制される。 - 特許庁

The impurity implanted photoabsorbing layer 104 in the composition reducing the band gap energy per payer from n type layer clad layer side to p type clad layer side to be formed in semiconductor laminated structure of multiple layers 104A, B, C reducing the impurity concentration.例文帳に追加

不純物注入光吸収層は、ｎ型クラッド層側からｐ型クラッド層側に向かって、層毎にバンドギャップ・エネルギーが小さくなる組成を有し、かつ不純物濃度が低くなる複数層１０４Ａ、Ｂ、Ｃの半導体積層構造として形成されている。 - 特許庁

While a gate electrode 41 is used as an implantation mask, arsenic or phosphorus is ion-implanted in a silicon substrate 1 to form a pair of extension layers 51 in a surface of the silicon substrate 1, and then a protection insulating film 14 of 1 to 20 nm thickness is formed of a silicon oxide film by a CVD method over the entire surface of the silicon substrate 1.例文帳に追加

ゲート電極４１を注入マスクとしてシリコン基板１内にヒ素あるいはリンをイオン注入して、シリコン基板１の表面内に１対のエクステンション層５１を形成し、その後、シリコン基板１の全面に、ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜で厚さ１〜２０ｎｍの保護絶縁膜１４を形成する。 - 特許庁

There are provided a process of forming ion implantation control openings 13-14 which mutually align diffusion layer formation regions 7-9, an ion implantation mask layer forming process for forming ion implantation openings 29 and 30 for each diffusion layer; and a diffusion layer forming process in which an impurity element is ion-implanted through the ion implantation openings to form diffusion layers.例文帳に追加

各拡散層形成領域７〜９を相互に位置決めするイオン注入制御開口部１３〜１４を形成する工程を施した後に、各拡散層毎にイオン注入開口部２９，３０を形成するイオン注入マスク層形成工程と、各イオン注入開口部から不純物元素をイオン注入して各拡散層を形成する拡散層形成工程を実施する。 - 特許庁

A MOS field-effect transistor is provided with a SOI substrate 30, where contact holes 13-1 and 13-2 are each bored in source/drain diffused layers 10 and 11 from above extending over an adjacent element isolation oxide film 7 so as to reach to a silicon substrate 1, and impurity ions are implanted into the exposed surface region of the silicon substrate 1 for the formation of P-N junctions.例文帳に追加

ＳＯＩ基板３０を用いたＭＯＳ型電界効果トランジスタにおいて、コンタクト孔１３−１，１３−２をソース・ドレイン拡散層１０，１１上から隣接する素子分離用の酸化膜７上に亘って、シリコン基板１に到達する深さに形成し、露出されたシリコン基板の表面領域に不純物をイオン注入してＰＮ接合を形成することを特徴としている。 - 特許庁