「implanted electrodes」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Next, impurities are implanted into the semiconductor layer under the exposed gate electrode using the interlayer dielectric and the gate electrodes as masks.例文帳に追加

その後、層間絶縁膜及びゲイト電極をマスクとして、前記露呈されたゲイト電極の下の半導体層に不純物を注入する。 - 特許庁

The organic EL device is constructed in such a manner that a hole implanted layer 60 and a light emitting layer 70 are located between a pair of electrodes 111, 12.例文帳に追加

一対の電極１１１、１２間に、正孔注入層６０と発光層７０とを配設してなる有機ＥＬ装置の製造方法である。 - 特許庁

An n ion is implanted on the surface of a silicon substrate 10 in a parallel line state to provide diffusion regions 11 which serve as electrodes for the variable capacity diode.例文帳に追加

シリコン基板１０の表面には平行線状にｎイオンが注入されて、可変容量ダイオードの電極となる拡散領域１１が設けられる。 - 特許庁

In the first implantation step, n-type or p-type conductivity-type ions are implanted in regions or gate electrodes 9 and 10 of a semiconductor substrate 1, wherein a gate insulating film 5 and a film 6 for the gate electrodes 9 and 10 are formed.例文帳に追加

第１注入工程ではゲート絶縁膜５と、ゲート電極９、１０となる膜６と、が形成された半導体基板１のゲート電極９、１０となる部分に、ｎ型又はｐ型の導電型のイオンを注入する。 - 特許庁

In addition, impurity ion groups 23a and 23b are implanted from gaps 19a and 19b formed between the accumulation electrodes 17a, 17b, 17c, etc. and the barrier electrodes 21a, 21b, etc., so as to form a barrier regions 23 on the surface of the n-type region 13 that correspond with the barrier electrodes 21a, 21b, etc.例文帳に追加

また、蓄積電極１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，〜とバリア電極２１ａ，２１ｂ，〜との間にそれぞれ設けられたギャップ１９ａ，１９ｂより不純物イオン群２３ａ，２３ｂを注入し、バリア電極２１ａ，２１ｂ，〜に対応する、ｎ型領域１３の表面部にそれぞれバリア領域２３を形成してなる構成とされている。 - 特許庁

Impurities are implanted in a semiconductor layer 2 using gate electrodes 4 and 5 of second shape formed on a gate insulating film 3 deposited on the semiconductor layer 2 as an impurity implantation mask.例文帳に追加

半導体層２の上に積層されたゲート絶縁膜３の上に形成した、第２の形状のゲート電極４，５を不純物注入マスクとし、半導体層２に対して不純物を注入する。 - 特許庁

At the upper portion of an electrode holder 5, a first electrode 11 arranged opposite to a center region in a nozzle hole 4a for guiding a gas flow 3, and second and third electrodes 12, 13 arranged separately mutually with the first electrode 11 as a center on a straight line passing through the first electrode 11 are implanted, and hot wires are implanted linearly at the first to third electrodes 11-13.例文帳に追加

電極ホルダ５の上部には、ガス流３を案内するノズル孔４ａの中心領域に対向して配置された第１電極１１と、この第１電極１１を通る直線上で前記第１電極１１を中心として互いに離間して配置された第２及び第３電極１２，１３とが植設されており、それら第１〜第３電極１１〜１３には熱線が直線状に張設されている。 - 特許庁

Impurity ions are then implanted in a semiconductor substrate 1 by using the photoresist film 31 and the gate electrodes 9a, 9b as a mask, thus forming p-type pocket regions 42, 52, an extension region 43 and an impurity region 53.例文帳に追加

そして、フォトレジスト膜３１及びゲート電極９ａ，９ｂをマスクとして半導体基板１に不純物をイオン注入し、ｐ型ポケット領域４２，５２、エクステンション領域４３及び不純物領域５３を形成する。 - 特許庁

The SRAM has source/drain electrodes of the transmission transistor 20 and the drive transistor 10 to which impurities are implanted in the semiconductor substrate between the gate electrodes 106; and a silicide blocking film 110 formed on a top of the structure in the transmission transistor area, and a silicide film 112 formed on a top of the gate electrode and a surface of the source/drain electrodes of the drive transistor.例文帳に追加

前記ゲート電極１０６の間の半導体基板内に、不純物が注入された前記伝送トランジスター２０と前記駆動トランジスター１０のソース／ドレーン電極を有し、前記伝送トランジスター領域の構造物の上部にシリサイドブロッキング膜１１０と、前記駆動トランジスターのゲート電極の上部及びソース／ドレーン電極の表面にシリサイド膜１１２を形成する。 - 特許庁

An electron emitting part of the surface conduction type electron emitters is formed by a dot pattern of the solution, the element electrodes are constituted by a rectangular pattern or a combination of the rectangular patterns, and a corner part of the rectangular pattern is implanted to cover it with the dot pattern.例文帳に追加

表面伝導型電子放出素子の電子放出部が溶液のドットパターンによって形成され、素子電極が矩形パターンまたは矩形パターンの組み合わせによって構成されるとともに、矩形パターンのコーナー部をドットパターンによって被覆するように打ち込む。 - 特許庁

The reduction in size of the element and a decrease in the leakage current are made compatible by connecting gate electrodes 15 of the plurality of thin film transistors therebetween only by a region 13b in which an impurity is implanted in a low concentration in a polycrystal semiconductor thin film used for an active layer.例文帳に追加

複数個の薄膜トランジスタのゲート電極１５間を、活性層に用いる多結晶半導体薄膜に不純物を低濃度に注入した領域１３ｂのみで接続することにより素子サイズの縮小とリーク電流の減少を両立させる。 - 特許庁

Subsequently, impurities are implanted in the semiconductor layer 2 using a gate electrode 9 formed by providing second conductive parts 8 on the opposite sides of the gate electrodes 4 and 5 of second shape as an impurity implantation mask thus forming an overlap region 6 beneath the second conductive part 8.例文帳に追加

その後、上記第２の形状のゲート電極４，５の両側部に第２の導電部８を設けることにより形成したゲート電極９を不純物注入マスクとし、半導体層２に対して不純物を注入して、上記第２の導電部８の下方にオーバーラップ領域６を形成する。 - 特許庁

A low-temperature long-time heat treatment which is the first heat treatment for activating the impurity implanted into gate electrodes 20, 21 is performed so that boron diffusion occurs along crystal grain boundaries though boron is scarcely diffused into polysilicon crystal grains.例文帳に追加

ゲート電極２０，２１に注入された不純物の活性化のための第１の熱処理として、ポリシリコンの各結晶粒内へのボロンの拡散はほとんど生じることがなく、かつ、結晶粒界におけるボロンの拡散が生じるような低温長時間の熱処理を行なう。 - 特許庁

A spacer film 112 is formed on the side wall of the gate electrode, and impurities of a second conductivity-type are implanted into the surface layer parts of the first and second regions, with the use of the gate electrodes and spacer film as masks for second activation treatment and to form a second impurity diffusion region 110.例文帳に追加

ゲート電極の側壁上にスペーサ膜１１２を形成し、次いでゲート電極とスペーサ膜とをマスクとして第１領域と第２領域の表層部とに第２導電型の不純物を注入し第２の活性化処理を行い第２の不純物拡散領域１１０を形成する。 - 特許庁

N-type impurities are implanted with high consentration into n-type high-concentration impurity regions 37c, 38c of NMOS thin-film transistors having LDD structures, via contact holes 45, 46 respectively for connections of their source-drain electrodes which are formed in an interlayer and gate insulation films 44, 40 provided on the regions 37c, 38c.例文帳に追加

ＬＤＤ構造のＮＭＯＳ薄膜トランジスタのｎ型不純物高濃度領域３７ｃ、３８ｃには、その上に設けられた層間絶縁膜４４およびゲート絶縁膜４０に形成されたソース・ドレイン電極接続用のコンタクトホール４５、４６を介してｎ型不純物が高濃度に注入される。 - 特許庁

When fixing the glass insulation support body 60 heated and softened at high temperatures, the positioning shaft 15 is formed of a steel material (SKD 11 high-temperature tempering) tempered at a temperature higher than a thermal temperature transmitted through the respective grid electrodes G1-G6, and the positioning shaft 15 is implanted in the base 14.例文帳に追加

高温で加熱軟化されたガラス製絶縁支持体６０の固定時に、各グリッド電極Ｇ１〜Ｇ６を介して伝達される熱温度よりも高い温度で焼戻しされた鋼材（ＳＫＤ１１高温焼戻し）によって位置決め芯棒１５を形成し、この位置決め芯棒１５を基台１４に植設する。 - 特許庁

First and second gate electrodes 106 and 107 are formed on a semiconductor substrate 100, having first and second regions 102 and 103 defined thereon, impurities of a second conduction type are implanted into a surface layer part of the second region with the use of the second gate electrode as a mask for activation treatment and for forming a first impurity diffusion region 108.例文帳に追加

第１及び第２領域１０２，１０３が画定される半導体基板１００に第１のゲート電極１０６と第２のゲート電極１０７とを形成し、第２のゲート電極をマスクとして第２領域表層部に第２導電型不純物を注入し活性化処理を行い、第１の不純物拡散領域１０８を形成する。 - 特許庁

Then, electrodes 8a, 8b are formed so as to get on the semi-buried insulation film 5 and the STI7, respectively, and the impurity is implanted to the imaging region A by using the electrode 8a and the semi-buried insulation film 5 as a mask, thus forming an n-type region 3 constituting a photodiode in a region in contact with the p-type region 4 in the semiconductor substrate 2.例文帳に追加

次に、半埋込絶縁膜５及びＳＴＩ７にそれぞれ乗り上げるように電極８ａ及び８ｂを形成し、電極８ａ及び半埋込絶縁膜５をマスクとして撮像領域Ａに不純物を注入することにより、半導体基板２におけるｐ型領域４に接する領域に、フォトダイオードを構成するｎ型領域３を形成する。 - 特許庁

In the reflective liquid crystal display device having: first and second substrates placed opposite to each other; a liquid crystal sealed in between the first and second substrates; a plurality of pixel electrodes formed on the first substrate; and a resist film which is formed under the pixel electrode and whose surface is ion-implanted, metal patterns indicating addresses are formed under the resist film.例文帳に追加

相互に対向して配置された第１及び第２の基板と、前記第１及び第２の基板間に封入された液晶と、前記第１の基板上に形成された複数の画素電極と、前記画素電極の下に形成される表面がイオン注入されたレジスト膜とを有する反射型液晶表示装置において、前記レジスト膜の下にアドレスを示す金属のパターンを形成する。 - 特許庁