膜障壁の英語

障壁膜が、窒素とチタンまたはタンタルの少なくとも１つを含む化合物と、障壁膜内で可変の濃度を有する窒素と、障壁膜内で可変の濃度を有する酸素とを含む。例文帳に追加

A barrier film comprises a compound, including nitrogen as well as at least titanium or tantalum, nitrogen of a variable concentration in the barrier film, and oxygen of a variable concentration in the barrier film. - 特許庁

本発明に係る金属積層板は、金属材質の障壁層と、障壁層の一面に形成され、障壁層とメッキにより結合される金属膜と、金属膜に接合される絶縁体と、を含むことを特徴とする。例文帳に追加

This metal laminate plate includes: a barrier wall layer of metal material; a metal film formed on one surface of the barrier wall layer and coupled to the barrier wall layer by plating; and an insulator joined to the metal layer. - 特許庁

金属配線は金属膜１１１、１３１及び障壁膜１１３、１３３を含む。例文帳に追加

The metal wiring includes metal layers 111, 131 and barrier layers 113, 133. - 特許庁

絶縁膜上と銅配線パターンの表面を覆う絶縁性拡散障壁膜４９を形成する。例文帳に追加

An insulating diffusion barrier film 49 coating the insulating film and a surface of the Cu wiring pattern is formed. - 特許庁

次に、第一のショットキー障壁電極３０ａ上に、スパッタ成膜法によりＴｉを形成する。例文帳に追加

Then, Ti is formed on the first Schottky barrier electrode 30a by the sputtering film-forming method. - 特許庁

本発明は、チタン−タンタル障壁層薄膜及びその形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a titanium-tantalum barrier thin film and a method for forming a thin film. - 特許庁

塩基性物質拡散障壁膜を使用する微細電子素子のデュアルダマシン配線の製造方法例文帳に追加

MANUFACTURE OF DUAL-DAMASCENE WIRING OF FINE ELECTRONIC ELEMENT USING BASIC MATERIAL DIFFUSION BARRIER FILM - 特許庁

酸素障壁膜で覆われた相変化記憶素子を有する半導体素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device comprising a phase change memory element covered with an oxygen barrier film. - 特許庁