「膜障壁」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

原子層蒸着方法を利用した障壁金属膜の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING BARRIER METAL FILM UTILIZING ATOMIC LAYER DEPOSITION METHOD - 特許庁

環境障壁被覆膜系を含む物品、及びその製造方法例文帳に追加

ARTICLE INCLUDING ENVIRONMENTAL BARRIER WALL COATING SYSTEM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

障壁膜が、窒素とチタンまたはタンタルの少なくとも１つを含む化合物と、障壁膜内で可変の濃度を有する窒素と、障壁膜内で可変の濃度を有する酸素とを含む。例文帳に追加

A barrier film comprises a compound, including nitrogen as well as at least titanium or tantalum, nitrogen of a variable concentration in the barrier film, and oxygen of a variable concentration in the barrier film. - 特許庁

本発明に係る金属積層板は、金属材質の障壁層と、障壁層の一面に形成され、障壁層とメッキにより結合される金属膜と、金属膜に接合される絶縁体と、を含むことを特徴とする。例文帳に追加

This metal laminate plate includes: a barrier wall layer of metal material; a metal film formed on one surface of the barrier wall layer and coupled to the barrier wall layer by plating; and an insulator joined to the metal layer. - 特許庁

金属配線は金属膜１１１、１３１及び障壁膜１１３、１３３を含む。例文帳に追加

The metal wiring includes metal layers 111, 131 and barrier layers 113, 133. - 特許庁

絶縁膜上と銅配線パターンの表面を覆う絶縁性拡散障壁膜４９を形成する。例文帳に追加

An insulating diffusion barrier film 49 coating the insulating film and a surface of the Cu wiring pattern is formed. - 特許庁

次に、第一のショットキー障壁電極３０ａ上に、スパッタ成膜法によりＴｉを形成する。例文帳に追加

Then, Ti is formed on the first Schottky barrier electrode 30a by the sputtering film-forming method. - 特許庁

本発明は、チタン−タンタル障壁層薄膜及びその形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a titanium-tantalum barrier thin film and a method for forming a thin film. - 特許庁

塩基性物質拡散障壁膜を使用する微細電子素子のデュアルダマシン配線の製造方法例文帳に追加

MANUFACTURE OF DUAL-DAMASCENE WIRING OF FINE ELECTRONIC ELEMENT USING BASIC MATERIAL DIFFUSION BARRIER FILM - 特許庁

酸素障壁膜で覆われた相変化記憶素子を有する半導体素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device comprising a phase change memory element covered with an oxygen barrier film. - 特許庁

量子井戸薄膜５は、量子井戸層の両面を障壁層で挟んだ量子井戸構造を有する。例文帳に追加

The quantum well thin film 5 has a quantum well structure, in which the blocking layers sandwitches the quantum well layer. - 特許庁

凹部の側壁面と底面とを連続的に覆う導電性拡散障壁膜４８を形成する。例文帳に追加

A conductive diffusion barrier film 48 coating the side wall face and the base of the recess part consecutively is formed. - 特許庁

リセスを有する基板１０上に障壁金属膜１４を連続的に積層する。例文帳に追加

A barrier metal film 14 is continuously deposited on a wafer 10 having recesses. - 特許庁

エネルギー障壁は熱酸化膜２であり、かつ量子井戸は金属ナノ粒子３である。例文帳に追加

The energy barrier comprises a thermal oxide film 2, and a quantum well consists of metal nanoparticles 3. - 特許庁

コンタクトホールに導電物質が充填されて形成されたプラグを含んで絶縁膜上に障壁膜が厚く形成され、障壁膜上にストレージ電極用導電膜が形成される。例文帳に追加

A first conductive film 110 for storage electrodes is formed on a first barrier film 108 formed for preventing oxidation of polysilicon which is the substance for a plug 107. - 特許庁

半導体基板１Ｓ上に、第１電位障壁膜ＥＢ１と電荷蓄積膜ＥＣと第２電位障壁膜ＥＢ２からなる積層絶縁膜を介してメモリゲート電極ＭＧが形成されている。例文帳に追加

On a semiconductor substrate 1S, a memory gate electrode MG is formed via a laminate insulating film comprising a first potential barrier film EB1, a charge storage film EC, and a second potential barrier film EB2. - 特許庁

また、(Ga, Mn)_2O_3薄膜１２は、トンネル障壁薄膜１３と基本的に同じ結晶構造を有するため、トンネル障壁薄膜１３と整合性よく接合することができる。例文帳に追加

The (Ga, Mn)_2O_3 thin film 12 can be bonded to the tunnel barrier thin film 13 with sufficient alignment because it has basically the same crystal structure as that of the tunnel barrier thin film 13. - 特許庁

(Ga, Mn)N薄膜１１は、トンネル障壁薄膜１３を基板としてエピタキシャル成長させることによりトンネル障壁薄膜１３と整合性よく接合することができる。例文帳に追加

The (Ga, Mn)N thin film 11 can be bonded to the tunnel barrier thin film 13 with sufficient alignment by growing it epitaxially on the tunnel barrier thin film 13 as a substrate. - 特許庁

表面にマイクロレンズが形成された撮像領域を含む素子形成領域を区画するスクライブライン上に、素子形成領域の側壁との間に所定の間隙設けて障壁部を形成する障壁部形成工程と、マイクロレンズ表面及び前記間隙内に反射防止膜を形成する反射防止膜形成工程と、障壁部を除去する障壁部除去工程とを有する。例文帳に追加

The method of manufacturing the solid-state image sensor includes a barrier forming step of forming a barrier on a scribe line defining an element forming region including an imaging region having microlenses formed on the surface thereof with a predetermined gap provided between the sidewall of the element forming region and the barrier, an antireflection film forming step of forming an antireflection film on the surfaces of the microlenses and in the gap, and a barrier removing step of removing the barrier. - 特許庁

半導体装置は、障壁層１０４の上に該障壁層１０４と接して形成されたソース電極１０５、ドレイン電極及びゲート電極１０７と、障壁層１０４の上に各電極の上面の少なくとも一部を覆うように形成され、障壁層１０４を保護する、複数の膜からなるパッシべーション膜１０８とを有している。例文帳に追加

The semiconductor device includes: a source electrode 105, a drain electrode, and a gate electrode 107 formed on a barrier layer 104 in contact with the barrier layer 104; and a passivation film 108 formed on the barrier layer 104 so as to cover at least a part of the top surface of the respective electrodes to protect the barrier layer 104 and formed of a plurality of films. - 特許庁

本発明の液晶表示装置では、配向膜上に障壁を設けることがないので、このような障壁に起因してラビング処理後のラビング密度にムラが生じることがない。例文帳に追加

Since barriers are not disposed on the alignment layers, the occurrence of unevenness in the rubbing density after the rubbing treatment due to such barriers is prevented. - 特許庁

ゲート電極のドレイン端と歪み印加層３のドレイン端Ｐ_1との、キャリア走行層１と障壁層２との第１界面２１と平行な距離Ｗ_1が、障壁層２の膜厚ｄ_1の５倍以内である。例文帳に追加

A distance W_1 between the drain end of the gate electrode and the drain end P_1 of the strain applying layer 3 parallel to a first interface 21 between the carrier travelling layer 1 and the barrier layer 2 falls within 5 times the film thickness d_1 of the barrier layer 2. - 特許庁

さらにゲート電極16と障壁層13との間に、障壁層よりも高い誘電率を持つ絶縁膜18を挿入してg_mの向上とゲートリーク電流の低減が実現される。例文帳に追加

Furthermore, the improvement of g_m and the reduction of the gate leakage current can be achieved by inserting an insulating film 18, with a dielectric constant higher than the barrier layer, between the gate electrode 16 and the barrier layer 13. - 特許庁

磁気抵抗効果膜３０は自由層３６、絶縁障壁層３４、固定層３２を備えるトンネル磁気抵抗効果膜であり、絶縁障壁層３４は窒素とシリコンの少なくとも一方を含有するマグネシウム酸化膜、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜のいずれかである。例文帳に追加

The insulating barrier layer 34 is one of a magnetic oxide film, an aluminum oxide film, and a titanium oxide film which contains at least one of nitrogen and silicon. - 特許庁

ストレージ電極形成用マスクを使用して導電膜と障壁膜とを順次にエッチングすることによりプラグと電気的に接続されるストレージ電極層が形成され、障壁膜と導電膜との両側壁にストレージ電極用導電膜スペーサが形成される。例文帳に追加

On the first conductive film 110, a second barrier film 112 is formed, Then, a second conductive film 114 for storage electrodes is formed on the second barrier film 112. - 特許庁

ポリアミド混合物の障壁層を有する無塩素多層薄膜およびその薄膜から形成した造孔術用袋例文帳に追加

CHLORINE-FREE MULTILAYER THIN FILM HAVING BARRIER LAYER OF POLYAMIDE MIXTURE AND POUCH FOR OSTOMY FORMED OF THE THIN FILM - 特許庁

誘電体膜（１０）のトレンチ（１５）を満たす銅の膜（３０）上に共形障壁体層（４０）が形成される。例文帳に追加

A conformal barrier layer 40 is formed on a Cu film 30 filling trenches 15 of a dielectric film 10. - 特許庁

トンネル障壁膜の表面に第二の超伝導電極膜を形成すると、ジョセフソン素子が得られる。例文帳に追加

When second superconductive electrode film is formed on the surface of tunnel barrier film, the Josephson element can be obtained. - 特許庁

トリメチルアルミニウムとオゾンガスの導入を交互に複数回行い、アルミナ薄膜１４_1、１４_2を積層させ、トンネル障壁膜を形成する。例文帳に追加

The introductions of trimethylaluminum and ozone gas are effected alternately by a plurality of times to laminate the alumina thin films 14_1, 14_2 and form a tunnel barrier film. - 特許庁

この障壁層５は、保護被膜４の成膜時における色素の拡散や、塗液又は接着剤の色素記録３への浸透などを防止する。例文帳に追加

The barrier layer 5 prevents the diffusion of the dye at forming the protective coating film 4 or the infiltration of a coating liquid or an adhesive into the dye recording layer 3. - 特許庁

かかる構成を用いることで、注入障壁の制御と、成膜損傷の低減と、膜密着性の向上とを同時に満足することができる。例文帳に追加

Control of the injection barrier, reduction of damage in film formation, and enhancement of film adhesion can be simultaneously satisfied by using the above structure. - 特許庁

ＴｉＯｘ膜で形成された絶縁障壁層からのリーク電流発生を防止し、素子出力を高められる薄膜磁気ヘッドを得る。例文帳に追加

To obtain a thin film magnetic head capable of raising element output by preventing generation of leak current from an insulated barrier layer formed by a TiOx film. - 特許庁

ＳＴＯ基板１１上には、第１強磁性薄膜１３、トンネル障壁層１４及び第２強磁性薄膜１５が、この順に積層されている。例文帳に追加

On an STO substrate 11, a first ferromagnetic thin film 13, a tunnel barrier layer 14, and a second ferromagnetic thin film 15 are laminated in this order. - 特許庁

この障壁層５は、保護被膜４の成膜時における色素の拡散や、塗液又は接着剤の色素記録３への浸透などを防止する。例文帳に追加

This barrier layer 5 prevents the dye from being diffused and a coating liquid or an adhesive from infiltrating into the dye recording layer 3 and the like, when forming the protective coating film 4. - 特許庁

ゲート絶縁膜１０を構成する最下層のボトム絶縁膜１１は、当該ボトム絶縁膜１１と基板とのエネルギー障壁を二酸化珪素とシリコンとのエネルギー障壁より小さくし、ＦＮ電気伝導特性を示す誘電膜を含む。例文帳に追加

A bottom insulating film 11 in the lowest layer constituting the gate insulating film 10 contains a dielectric film, which makes an energy barrier between the bottom insulating film 11 and the substrate smaller than an energy barrier between silicon dioxide and silicon and exhibits an FN electric conduction characteristic. - 特許庁

そして、高温燃焼ガスを前記熱障壁皮膜（４８）の上に通し、冷却空気（１６）を前記内面（４０）の上及び前記ブラインド孔（４２）の中に通し、熱障壁皮膜の温度能力を超えることにより、該熱障壁皮膜の破砕を生じさせて前記孔の出口（４６）を開き、フィルム冷却気流が前記開口孔を貫通する。例文帳に追加

The high-temperature combustion gas 18 is passed on the heat barrier film 48, the cooling air is passed on the inner face 40 and into the blind holes 42, and the fracture of the heat barrier film occurs when a temperature is over the temperature performance of the heat barrier film, whereby the outlets 46 of the holes are opened, and the film cooling gas flow is passed through the opened holes. - 特許庁

ショットキー電極とパッド電極との間に、炭化珪素エピタキシャル膜とのショットキー障壁高さが、ショットキー電極と炭化珪素エピタキシャル膜とのショットキー障壁高さ以上である中間金属膜を設けた。例文帳に追加

Between the Shottky electrode and the pad electrode, an intermediate metal film is provided in which the height of the Shottky barrier with the silicon carbide epitaxial film is equal to or higher than that of the shottky barrier with the Shottky electrode and the silicon carbide epitaxial film. - 特許庁

メモリセル領域に形成されているメモリセルには、コントロールゲート電極ＣＧの側壁に電位障壁膜ＥＶ１、電荷蓄積膜ＥＣおよび電位障壁膜ＥＶ２を介して、サイドウォール形状のメモリゲート電極ＭＧが形成されている。例文帳に追加

A memory cell formed in a memory cell region has a memory gate electrode MG formed in a side wall shape on a side wall of a control gate electrode CG with a potential barrier film EV1, a charge storage film EC, and a potential barrier film EV2 interposed. - 特許庁

保護膜１２は半導体により構成されており、磁石素体１１との間にショットキー障壁を有している。例文帳に追加

The protection film 12 is composed of a semiconductor and has a Schottky barrier with the magnet element assembly 11. - 特許庁

熱処理により、銅配線パターンと絶縁性拡散障壁膜との界面に、金属元素の濃集領域４９Ｄを形成する。例文帳に追加

An accumulation region 49D of a metal element is formed on the interface between the Cu wiring pattern and the insulating diffusion barrier film by heat treatment. - 特許庁

酸素障壁膜で覆われた相変化記憶素子を有する半導体素子、これを用いる電子システム及びこれを製造する方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING PHASE CHANGE MEMORY ELEMENT COVERED WITH OXYGEN BARRIER FILM, ELECTRONIC SYSTEM USING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

原料を昇華させて基板上にＧａＮ厚膜を形成する際に、原料と基板間の障壁の目詰まりを防止する。例文帳に追加

To prevent the clogging of a barrier between a raw material and a substrate when a thick GaN film is formed on the substrate by sublimating the raw material. - 特許庁

拡散障壁を備えた薄膜磁気抵抗（ＭＲ）スピン・バルブ読取りセンサおよび磁気ディスク・ドライブ例文帳に追加

THIN FILM MAGNETORESISTANCE(MR) SPIN VALVE READING SENSOR EQUIPPED WITH DIFFUSION BARRIER AND MAGNETIC DISK DRIVE - 特許庁

例えば、基板と、電荷障壁層と、必要に応じて接着層と、電荷発生層と、電荷輸送層と、塗膜形成バインダとを含む部材である。例文帳に追加

The member includes, for example, a substrate, a charge blocking layer, an optional adhesive layer, a charge generating layer, a charge transport layer, and a coating forming binder. - 特許庁

塩基性物質拡散障壁膜を使用する微細電子素子のデュアルダマシン配線の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacture of a dual-damascene wiring of a fine electronic element using a basic material diffusion barrier film. - 特許庁