「膜障壁」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

本構造は単一ダマシンまたはデュアル・ダマシン型であることができ、金属障壁層と超低Ｋ誘電体の間に高密度の薄膜誘電体層（ＴＤＬ）を備える。例文帳に追加

This structure can be of a single or dual damascene type provided with high-density TDL (thin dielectric layer) between a metal barrier layer and the ULK dielectric. - 特許庁

ＭＩＭ Ｔａ_2Ｏ_5キャパシタの製造においてキャパシタ酸化膜除去時のエッチング障壁層としてアルミニウムオキサイドＡｌ_2Ｏ_3を用いる方法。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a capacitor of a semiconductor device which uses an aluminum oxide Al2O3 as an etch barrier layer when removing a capacitor oxide film in manufacturing a MIM Ta2O5 capacitor. - 特許庁

バリア膜１、３、５、７と半導体基板１７とを接触させることで、半導体基板１７側の接触面に空乏層が生じ、ショットキー障壁が発生する。例文帳に追加

By bringing the barrier films 1, 3, 5, and 7 into contact with the semiconductor substrate 17, depletion layers are generated in the contact surface on the semiconductor substrate 17 side, and Schottky barriers are generated. - 特許庁

シリコンよりなる量子細線１１に、シリコン酸化膜よりなる一対のトンネル障壁部１２に挟まれてなるシリコン島部１１ａが形成されている。例文帳に追加

A silicon island 11a is formed in a quantum thin line 11 made of silicon while it is pinched by a pair of tunnel barriers 12 made of silicon oxide film. - 特許庁

比較的低い弾性係数と、高い層間強度と、折り曲げるときに低騒音である無塩素熱融着多層臭気障壁構造の薄膜を提供すること。例文帳に追加

To provide a thin film of a chorine-free thermal fusion bond multilayer odor barrier structure which has relatively low elastic modulus, high interlaminar strength and makes low noise at folding. - 特許庁

放射システムは、ＥＵＶ放射を提供するためのＥＵＶ源と、ＥＵＶ源から放出される汚染物質を捕捉するための複数の銀膜プレートを備えた汚染障壁とを備えている。例文帳に追加

The radiation system is provided with an EUV source for providing EUV radiation and a contamination barrier that includes a plurality of silver film plates for trapping contaminant material coming from the EUV source. - 特許庁

WACC(Wirebond Attached Chip Capacitor)の製造の際に上部電極をなすポリシリコンパターンと障壁金属膜との間のリフティング(lifting)発生を抑制できるキャパシタとその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a capacitor which can restrain generation of lifting between a polysilicon pattern and a barrier metal film, forming an upper electrode during manufacturing of a WACC(wirebond attached chip capacitor), and to provide its manufacturing method. - 特許庁

多数のヘテロ障壁を有する半導体多層膜よりなるＤＢＲミラーを用いた垂直共振器型面発光素子の電気抵抗を下げ、低電圧動作と高温動作を可能とする。例文帳に追加

To enable low-voltage operation and high-temperature operation by decreasing the electric resistance of a vertical resonator surface light emitting element using a DBR mirror composed of a semiconductor multi-layered film having many hetero-barriers. - 特許庁

障壁膜はボンドパッドの開口部の上側の部分の底面を形成し、また、デュアル食刻構造を形成するために底面を通って伸びているビアも含む。例文帳に追加

The barrier film forms the bottom surface at the upper part of the opening part of the bonded pad, and includes the via that passes through the bottom surface for extending to form the dual etching structure. - 特許庁

有機ＴＦＴにおいて、金属電極と有機薄膜とのエネルギー障壁を効率的に低減させることで、デバイス特性を向上することを課題とする。例文帳に追加

To enhance the device characteristics of an organic TFT by reducing the energy barrier between a metal electrode and an organic thin film efficiently. - 特許庁

障壁金属層１２２ｂ上にはビアコンタクトホール１２０ｂ内部を充填してトレンチ１１８ｂの一部を充填する第２上部金属配線膜パターン１２４ｂが配される。例文帳に追加

On the barrier metallic layer 122b, there is disposed a secondary upper metallic wiring pattern 124b, which fills the inside of the via contact hall 120b and part of a trench 118b. - 特許庁

さらに、好ましくは、アンドープＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ第三障壁層５ＡのＡｌＮ組成ｙは、０．７≦ｙ≦１の範囲であり、その膜厚は、０．３ｎｍから５ｎｍまでの範囲とする。例文帳に追加

The AlN composition y of the undoped Al_xGa_1-xN third barrier layer 5A is preferably in a range of 0.7≤y≤1, and its film thickness ranges from 0.3 to 5 nm. - 特許庁

ビアコンタクトホール１２０ｂの側面及び第２下部金属配線膜パターン１０８ｂの露出表面上には障壁金属層１２２ｂが形成される。例文帳に追加

A barrier metallic layer 122b is formed on the side surface of the via contact hall 120b and the exposed surface of a secondary lower metallic film pattern 108b. - 特許庁

具体的には、第１の電極６６ｂの端部を覆う隔壁（バンク、または障壁とも呼ばれる）の上層として、光を吸収する多層膜６１を用い、下層として有機樹脂６７を用いる。例文帳に追加

Specifically, the multilayer film 61 absorbing light is used as a top surface of a barrier rib (called a bank or a barrier) covering the end of a first electrode 66b, and organic resin 67 is used as a bottom layer. - 特許庁

電位障壁手段146rが存在するため、信号電荷が画素電極膜120rと接続部143rとの間に滞留することなく、速やかにソース141r下の電位井戸に流れ込む。例文帳に追加

Since the potential barrier means 146r is provided, signal charges do not stay at the area between a pixel electrode film 120r and the connecting portion 143r, and quickly flow into a potential wall under the source 141r. - 特許庁

強磁性トンネル接合を有する磁気センサ及びその製造方法に関し、絶縁障壁高さが酸化アルミニウムより低く、且つ、高いＭＲ比が得られる絶縁膜を形成する。例文帳に追加

To form an insulation film whose insulation barrier level is lower than that of an aluminum oxide and which obtains a high MR (magnetoresistive) ratio, in a magnetic sensor having a ferromagnetic tunnel junction and its manufacture. - 特許庁

この汗浸透性膜４０３、４１５は、表皮の汚染および拡散を介して皮膚表面に運ばれるグルコースに対する障壁として作用するように構成されている。例文帳に追加

The sweat-permeable membrane 403, 415 is configured to act as a barrier to epidermal contaminants and glucose brought to the skin surface via diffusion. - 特許庁

回転摺動による摩擦で接合障壁となる金属表面の酸化皮膜を容易に排除でき、金属活性面同士を密着させる事が可能なため信頼性の高い接合を提供できる。例文帳に追加

The joining with high reliability can be provided because an oxidized film on the surface of a metal, which is the obstacle of the joining by friction caused by rotating and sliding, can be easily ejected and making the active surfaces of the metals adhere closely is possible. - 特許庁

半絶縁性ＧａＡｓ基板４２上にバッファ層４３、ノンドープＩｎＧａＡｓのチャネル層４４、複数層からなる障壁層４５、ｎ＋型ＧａＡｓからなる膜厚５０ｎｍのコンタクト層４６が形成される。例文帳に追加

A buffer layer 43, a non-doped InGaAs channel layer 44, a barrier layer 45 composed of a plurality of layers, and an n^+-type contact layer 46 of thickness 50 nm are formed on a semi-insulating GaAs substrate 42. - 特許庁

陽極と正孔輸送層との間のエネルギー障壁の差を小さくした有機エレクトロルミネッセンス素子の陽極用透明導電膜を提供すること。例文帳に追加

To provide a transparent electroconductive film for an anode of an organic-electroluminescence element which has a reduced difference of an energy barrier between the anode and a hole-transporting layer. - 特許庁

開口部の上の部分の底面上に障壁膜を有しているボンドパッドの開口部を形成することによってデュアル食刻構造を形成するステップと、底面を通って下側に伸びているビアを形成する。例文帳に追加

The opening part of the bonded pad having a barrier film on a bottom surface at the upper part of the opening part is formed, thus forming the dual etching structure, and a via that passes through the bottom surface to extend downward. - 特許庁

この部品は、また、壁の第１の表面を覆って広がる熱障壁被膜（ＴＢＣ）（７４）を含み、このＴＢＣは第１の表面で細孔を実質的に封止している。例文帳に追加

The component also include a thermal barrier coating (TBC) 74 expanding by covering the first surface of the wall and the TBC substantially seals the pores on the first surface. - 特許庁

かかるヒートシンクにあっては、基板上に形成された薄膜および／または基板が電極を有する態様、また接合による電位障壁を２以上有する態様が好ましい。例文帳に追加

In such a heatsink, a mode wherein the thin film formed on the substrate and/or the substrate are provided with an electrode, or another mode wherein the same are provided with two pieces or more of the potential barriers due to connection, is preferable. - 特許庁

トレンチの内部に酸化障壁となる膜を形成しなくても、トレンチの内部に埋め込まれた埋め込み材料に空隙が発生することを抑制することが可能なトレンチの埋め込み方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for filling a trench, which can prevent a void from being formed in a filling material filled inside of the trench without forming a film inside of the trench, which serves as a barrier against oxidation. - 特許庁

ベース電極とコレクタ半導体の電荷注入障壁の制御が可能である、高性能な縦型薄膜のトランジスタ素子および製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a high-performance longitudinal thin-film transistor element that can control a charge implantation barrier of a base electrode and a collector semiconductor, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

投影レンズの上面に、投影露光装置の光源から発する光に対して透明な薄膜を貼り付け、発生有機ガスに対する障壁を設けた。例文帳に追加

A film, which is transparent to the light emitted from the light source of a projecting exposer, is stuck on the topside of a projecting lens, and a barrier against generated organic gas is provided. - 特許庁

放電によって発生する紫外線のうち、障壁や保護膜等に吸収され蛍光体の励起に寄与しなかった紫外線を有効利用することによりガス放電表示装置の発光効率を向上させる。例文帳に追加

To improve the luminous efficiency of a gas-discharge display device by efficiently using ultraviolet rays which were absorbed by barriers, protective films, or the like, and therefore did not attribute to the excitation of fluorescent substances among the ultraviolet rays generated through electric discharge. - 特許庁

１．５％以上の高い圧縮歪を有する井戸層（５）の膜厚変動による表面の起伏を障壁層（４）によって回復し、良質な結晶を得ることができる歪多重量子井戸構造の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide the manufacturing method of strain multiple quantum well structure that recovers undulations on a surface caused by the film thickness fluctuation of a well layer (5) with a high compression strain of 1.5% or higher by a barrier layer (4), and can obtain a crystal with good quality. - 特許庁

このような構成にて、逆バイアス時にはｎ^- 型エピ層２に延びる空乏層によってメサ部分のｎ^- 型層２とＡｌ膜５との接触部をピンチオフし、逆バイアス時にはメサ部分の電位障壁を高くする。例文帳に追加

With such a structure, at reverse bias, the contact part of the n- type layer 2 with the Al film 5 in a mesa part is pinched off by a depletion layer which extends to the n- type epitaxial layer 2, and at reverse bias, the potential barrier in the mesa part is made higher. - 特許庁

続いて、リセス内の障壁金属膜１４の底面及び側面にのみ第２金属膜を連続的に積層してライナーを形成した後、リセス及び絶縁膜を有する基板１０上に第３金属膜を積層してリセスを完全に充填させる。例文帳に追加

After the liner is formed with a second metal film continuously deposited only on the bottom and the side surface of the barrier metal film 14 in the recess, a third metal film is deposited on the wafer 10 having the recesses and the insulation films to completely fill the recess. - 特許庁

下部光電変換膜３７は上部光電変換膜３３を形成する種結晶膜として機能するとともに、画素電極５７との界面で生じるショットキー障壁の大きさを小さくし、また、画素電極５７の表面の凹凸を埋めている。例文帳に追加

The lower photoelectric transfer membrane 37 functions as a seed crystal for forming the upper photoelectric transfer membrane 33, reduces a size of a Schottky barrier generated in an interface to the pixel electrode 57, and buries an unevenness on a surface of the pixel electrode 57. - 特許庁

マグネタイト電極と、該マグネタイト電極上に成膜温度６０℃〜１３０℃で酸化マグネシウム層を成膜し、前記成膜温度より０〜６０℃高い温度でアニールされた障壁層と、からなることを特徴とするトンネル磁気抵抗素子である。例文帳に追加

The tunnel magnetoresistance element comprises a magnetite electrode and a barrier layer having an magnesium oxide layer formed at 60°C-130°C film forming temperature on the magnetite electrode and annealed at a temperature higher by 0-60°C than the film forming temperature. - 特許庁

成膜ゾーン１とアニールゾーン２を障壁３を隔てて同一の反応容器９内に水平に隣接して設置し、ウェーハ４は成膜ゾーン１とアニールゾーン２の間で往復移動することにより成膜とアニールを交互に行う。例文帳に追加

A film forming zone 1 and an annealing zone 2 are adjacently set horizontally in the same reaction vessel 9 at intervals with a barrier 3, and a wafer 4 reciprocates between the film forming zone 1 and the annealing zone 2, by which film formation and annealing are alternately executed. - 特許庁

第２の強磁性層中のCo-Fe-Bを成膜する工程から絶縁障壁層ＭｇＯを成膜する工程にかけて、基板の温度を氷点下１００℃に保つことにより、Ｂ濃度10at%以下でもアモルファス状態のCo-Fe-B合金膜を得ることができる。例文帳に追加

A Co-Fe-B alloy layer being in an amorphous state can be obtained even at B concentration of 10 at% or less by holding temperature of the substrate at 100°C below freezing point from a process in which Co-Fe-B in a second ferromagnetic layer is film-formed through a process in which an insulating barrier layer MgO is film-formed. - 特許庁

発光層（７）は、正孔と電子の再結合によって直接光を発生する有機発光物質を含む第１種類の薄膜即ち有機発光材料薄膜（３）と有機発光物質を含有しない無機物質からなる第２種類の薄膜層即ち無機障壁層（２）を交互に積層する。例文帳に追加

The light emitting layer (7) is laminated alternately of a first kind of film, namely, an organic luminous material layer (3) that contains organic luminous substance that directly emits light by reunion of the hole and electron, and a second kind of film layer, namely, an inorganic barrier layer (2) that is made of inorganic substance that does not contain organic light emitting material. - 特許庁

膜厚全体にわたって微細な空隙を有する多孔性の絶縁膜において、絶縁膜の空隙が、第１の低誘電率被膜形成成分の微粒子に由来するものであり、かつその絶縁膜に、第１の被膜形成成分及び第１の被膜形成成分とは異なる物性を有する第２の被膜形成成分から形成された少なくとも１層の障壁層が備わっているように構成する。例文帳に追加

In a porous insulating film having fine voids over the whole film thickness, the voids of the insulating film are derived from fine particles of a 1st low dielectric constant film forming component, and the insulating film is provided with at least one barrier layer formed by the 1st film forming component and a 2nd film forming component having a substance different from the 1st film forming component. - 特許庁

本発明の半導体素子は、全体構造上に形成され、ダマシンパターンが形成された層間絶縁膜、ダマシンパターンに形成された金属層、及び金属層と層間絶縁膜との間に形成され、ＷＮまたはＴｉＳｉＮからなる障壁金属層を含む構成としたことを特徴とする。例文帳に追加

A semiconductor device includes a layer insulating film which is formed on an entire structure, and in which a damascene pattern is formed, a metal layer formed in the damascene pattern, and a barrier metal layer formed between the metal layer and the layer insulating film and comprises WN or TiSiN. - 特許庁

トンネル障壁部１２は、原子間力顕微鏡等を用いて形成された電界支援酸化膜であるシリコン酸化膜１７が量子細線１１の表面からそのほぼ中心部まで酸化して形成された量子細線コンストリクション（＝くびれ）構造を有している。例文帳に追加

The tunnel barrier 12 has such a quantum thin line constriction structure that a silicon oxide film 17 as an electric boundary supporting oxide film formed using an interatomic force microscope or the like is formed by oxidizing the quantum thin line from its surface to its nearly central part. - 特許庁

また、この酸化膜３８ｂは、ストレージノード４２を粗面化する際のシリコン原子の移動の障壁となるため、外壁４２の部分と内壁４４の部分とは、それぞれ独立してその膜厚と不純物濃度で粗面形状を制御することができる。例文帳に追加

The oxide film 38b functions as a barrier to the movement of silicon atoms when the storage node 42 is roughened, so that the outer wall 42 and the inner wall 44 can be controlled separately into a shape of roughened surface with their thickness and impurity concentration. - 特許庁

ガラス基板６１上に、厚さ５０μｍのＡｌ膜からなる第２のヒートシンク層６２、裏打ち層６３、熱障壁層６４、第１のヒートシンク層６５、磁気記録層６６、保護膜６７を備えた記録媒体７を備える。例文帳に追加

The recording/reproducing device is provided with the storage medium 7 having a second heatsink layer 62 formed of an Al film having a thickness of 50 μm, a backing layer 63, a heat barrier layer 64, a first heatsink layer 65, a magnetic recording layer 66 and a protection film 67 on a glass substrate 61. - 特許庁

そして、電極７ｓ，７ｄ間であって、ＧａＡｓ層４の上面には、開口を有したＳｉＮ膜５が形成されており、前記開口において、基板に対してショットキ障壁を形成してゲート電極９となるＰｔ膜が形成されている。例文帳に追加

An SiN film 5, having an aperture is formed between the electrodes 7s and 7d and on the upper surface of the layer 4 and a Pt film, which forms a Schottky barrier with respect to the substrate 1 and is formed into a gate electrode 9, is formed in this aperture. - 特許庁

ｐ型シリコン層５０１１上に、障壁層であるＳｉＯ_2 膜５０１２と、電荷保持担体である金属タングステン５０１４と、絶縁体層であるＳｉＯ_2膜５０１５と、電極層であるｎ型多結晶シリコン電極５０１６とが設けられている。例文帳に追加

An SiO_2 film 5012 serving as a barrier layer, metal tungsten 5014 serving as a charge holder/carrier, an SiO_2 film 5015 serving as an insulator layer, and an n-type polysilicon electrode 5016 serving as an electrode layer are provided on a p-type silicon layer 5011. - 特許庁

ここで、最下層のＰｔ層の固相拡散前の膜厚（初期膜厚）を２ｎｍ以上５ｎｍ以下とし、ゲート電極を２５０℃以上４００℃以下の温度で熱処理することにより、最下層のＰｔと障壁層１７のＧａＡｓとを相互に拡散させ、埋め込み型ゲート構造を得る。例文帳に追加

A gate electrode with a lowermost Pt layer is formed on a barrier layer (nondoped AlGaAs) 17, the (initial) film thickness of the lowermost Pt layer before solid-phase diffusion is set to 2 to 5 nm, the gate electrode is heat treated at 250 to 400°C to mutually diffuse Pt in the lowermost layer and GaAs in the barrier layer 17, thereby obtaining a buried gate structure. - 特許庁

このことにより、基板１０１とフローティングゲート１０４の間のフローティングゲート絶縁膜１０３のポテンシャル障壁が従来のものより高くなり、フローティングゲート絶縁膜１０３を薄くしても、トンネル効果による電荷の漏洩を低減できる。例文帳に追加

Thus, the potential barrier of a floating gate insulation film 103 between a substrate 101 and the floating gate 104 becomes higher than the conventional one, and even when the floating gate insulation film 103 is thinned, the leakage of charge due to a tunnel effect can be reduced. - 特許庁

少なくとも障壁層１０４におけるゲートリセス１０８からの露出部分の上には絶縁膜１０９が形成され、ゲートリセス１０８の底面上には、絶縁膜１０９を介在させてゲート電極１１２が形成されている。例文帳に追加

An insulating film 109 is formed on at least an exposed part from the gate recess 108 in the barrier layer 104, and a gate electrode 112 is formed on the bottom surface of the gate recess 108, with the insulating film 109 being interposed in between. - 特許庁