臨界厚みの英語

また、酸化皮膜の厚みを制御することで大幅な接触抵抗値の低減に臨界的な効果を得ることができる。例文帳に追加

Then, by controlling the thickness of the oxidized coating film, a critical effect can be obtained for the large reduction of the contact resistance value. - 特許庁

固形化粧料を製造するための粉体化粧料を、押型を用いて圧縮成型するにあたり、該粉体化粧料と該押型との間に、２５℃での臨界表面張力が１×１０^-4〜２．５×１０^-4Ｎ／ｃｍ、且つ、厚み方向の変形率が１〜２５％のフィルムを介在させて圧縮成型を行なうことを特徴とする。例文帳に追加

This method for producing the solid cosmetic comprises carrying out a compressive molding of a powder cosmetic using a press mold. - 特許庁

前記量子井戸層の光学的ゲイン特性はまわりの層の組成不均一、ドットサイズ分布、ドット密度、及び、転移形成のための臨界厚みを超えることなく活性領域内に配置可能なドットレイヤの数によって影響される。例文帳に追加

Optical gain characteristics of the quantum well layers are influenced by the compositional uniformity of surrounding layers, the dot size distribution, the dot density, and the number of layers of the dots that can be placed in an active region without exceeding a critical thickness for forming dislocation. - 特許庁

基板上に形成されたＭ（ＭはＢａ，Ｓｒ，Ｃａのうち少なくとも一つ以上の元素），銅及び酸素を主成分とし、膜の厚みが３００Å以上９５０Å以下であり、７７Ｋにおける臨界電流密度Ｊｃが６×１０^6Ａ／ｃｍ^2以上である水銀系銅酸化物超電導薄膜である。例文帳に追加

This superconductive thin film contains M (which is at least one element of Ba, Sr and Ca), copper and oxygen formed on a substrate as main components and has ≥300 Angstroms and ≤950 Angstroms thickness and 6×106 A/cm2 or more critical current density Jc at 77°K. - 特許庁

固形化粧料を製造するための粉体化粧料を、押型を用いて圧縮成型するにあたり、該粉体化粧料と該押型との間に、２５℃での臨界表面張力が３．５×１０^-4Ｎ／ｃｍ以上、且つ、厚み方向の変形率が１〜８％のフィルムを介在させて圧縮成型を行なうことを特徴とする。例文帳に追加

This method for producing the solid cosmetic comprises carrying out a compressive molding of a powder cosmetic using a press mold. - 特許庁

ＲＥＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_ｙ系（ＲＥ１２３系）超電導体の前駆体膜の形成に要する加熱処理時間を大幅に短縮することができるとともに、出発原料の金属有機酸塩がフッ素を含むと否とにかかわらず、厚みが２μｍを超える厚膜で、かつ、高い臨界電流を有するＲＥ１２３系超電導テープ線材が得られること。例文帳に追加

To provide an RE123-based superconductive tape wire capable of remarkably reducing a heating process time required for forming a precursor film of an REBa_2Cu_3O_y-based superconductor, being a thick film having a thickness over 2 μm and having a high critical current regardless of whether or not a metal organic salt of a starting material contains fluorine. - 特許庁

この際、１回に成膜する非晶質層の厚さが不良事象に応じて決定される臨界応力値によって規定される厚み以下であるように非晶質層の堆積を複数回に分割して行い、各非晶質層の堆積工程後毎に非晶質材料を結晶化させ、かつ非晶質層堆積工程と非晶質材料結晶化工程を繰り返すことにより必要な膜厚の多結晶層６の積層構造体を得る。例文帳に追加

The gate-electrode 2 is formed by a manufacturing method of a thin film, having a deposition process of amorphous layers and crystallization (recrystallization) process of the amorphous material. - 特許庁