自由エネルギー差の英語

自由エネルギー差予測方法及びシミュレーション装置例文帳に追加

FREE ENERGY DIFFERENCE PREDICTION METHOD AND SIMULATION DEVICE - 特許庁

本発明の課題は、溶媒中での高分子化合物と化合物の結合に関する自由エネルギー差の計算を高速化することを目的とする。例文帳に追加

To make fast calculation of a free energy difference associated with binding between a polymer compound and a compound in a solvent. - 特許庁

電極の表面自由エネルギーγｓｅと電解質の表面張力γｌとの差（γｌ—γｓｅ）が１０ｄｙｎｅ／ｃｍ以下であって、かつセパレータの表面自由エネルギーγｓｓと電解質の表面張力γｌとの差（γｌ—γｓｓ）が１０ｄｙｎｅ／ｃｍ以下となるように非水電解質、セパレータおよび電極を組み合わせる。例文帳に追加

Nonaqueous electrolyte, the separator and the electrode are combined so that a difference (γ1-γse) of surface free energy γse of the electrode and surface tensiony 1 of the electrolyte is ≤10 dyne/cm and a difference (γ1-γss) of surface free energy y ss of the separator and surface tension γ1 of the electrolyte ≤10 dyne/cm. - 特許庁

第１下地膜は合金とし、それを構成する元素の２５０℃の温度における酸化物生成標準自由エネルギーΔＧ°の差が大きい２種の元素が含まれていることが好ましい。例文帳に追加

The first base film is made of an alloy and preferably contains two kinds of elements having large difference in the standard free energy ΔG° for the production of oxides of the elements constituting the alloy at 250°C. - 特許庁

建物の設計の自由度を維持でき、かつ粘弾性体によるエネルギー吸収効率を十分に確保できる粘弾性ダンパー装置、及びこれを用いた軸組材の交差構造を提供する。例文帳に追加

To provide a viscoelastic damper device which maintains the flexibility of a design of a building and sufficiently secures the efficiency of energy absorption by a viscoelastic body, and also to provide a crossing structure of a framework member using the viscoelastic damper device. - 特許庁

成形型１１の型表面１１０には、セラミック材料２０との表面自由エネルギーの差が１０ｍＪ／ｍ^2以上となるような表面処理が施されている。例文帳に追加

The mold surface 110 of the mold 11 for molding is surface-treated so that a difference of the surface free energy between the mold surface and the ceramic material 20 becomes ≥10 mJ/m^2. - 特許庁

そして、基板１５，２０の自由エネルギーの差に基づいてＳｉ溶融層に発生する濃度勾配を駆動力とする準安定溶媒エピタキシー（ＭＳＥ）法により、単結晶ＳｉＣ基板１５の表面に単結晶炭化ケイ素を液相エピタキシャル成長させる。例文帳に追加

Then, a single crystal silicon carbide is epitaxially grown on the surface of the single crystal SiC substrate 15 in a liquid phase by a metastable solvent epitaxy (MSE) method using, as driving force, the concentration gradient generated in the Si melt layer based on the difference between free energies of the substrates 15, 20. - 特許庁