軸チャネリングの英語

このときのイオン注入も、格子欠陥を低減させるためにチャネリングを起こすように結晶軸方向から行う。例文帳に追加

The ion implantation is performed in the direction of crystal axis to cause channeling for reducing lattice defects. - 特許庁

１２−ヒドロキシステアリン酸リチウムを増ちょう剤として含有するグリースとして、転がり軸受に封入して使用した時に軸受内部でチャネリング型の挙動を示すものを提供する。例文帳に追加

To provide a grease, containing 12-hydroxystearic acid lithium as a thickener, which shows the behavior of channeling type in a bearing when used as being enclosed in a rolling bearing. - 特許庁

照射されたレーザパルスは、セルフチャネリング効果により形成される一過性の光導波路に沿ってサファイア内を光軸方向に伝播し、サファイア内にアスペクト比の高い応力ひずみ領域を形成する。例文帳に追加

The irradiating laser pulses travel in the sapphire in an optical-axis direction along a transient optical waveguide formed by self-channeling effect to form a stress-strain region of high aspect ratio in the sapphire. - 特許庁

照射されたレーザパルスは、セルフチャネリング効果により形成される一過性の光導波路に沿って加工対象物内を光軸方向に伝播し、加工対象物内にアスペクト比の高い応力ひずみ領域を形成する。例文帳に追加

The emitted laser pulse propagates inside the workpiece to an optical axis direction along a transient optical waveguide formed by a self-channeling effect, so as to form a stress strain region having a high aspect ratio inside the workpiece. - 特許庁

Ｐ型ウェル４の不純物濃度のピーク部分を形成するために所定のレジストパターン３を介して、半導体基板１の主面側に直に高エネルギーでＢイオンをイオンチャネリングを起こすように半導体基板１の結晶軸の方向にイオン注入する。例文帳に追加

B ion is directly implanted at high energy on the main surface side of a semiconductor substrate 1 in the direction of crystal axis of the semiconductor substrate 1 to cause ion channeling, by way of a specified resist pattern 3 to form a peak part in impurity concentration of a p-type well 4. - 特許庁

本発明のレーザ加工装置は、レーザパルスをサファイアの表面近傍に集光照射して、サファイアの表面を起点として内部に向かう、光軸方向に伸張した形状の応力ひずみ領域を、セルフチャネリング効果により形成する。例文帳に追加

The laser machining apparatus condenses the laser pulse and irradiates the vicinity of the surface of the sapphire with the laser pulse to form a stress strain region starting at the surface of the sapphire and directed to the inside and having a shape extending in the optical axis direction by utilizing self-channeling effects. - 特許庁