酸化膜マスクの英語

その後、酸化防止膜４ａ、４ｂを酸化防止マスクにして熱酸化を行い、保護酸化膜７を形成する。例文帳に追加

Thereafter, a thermal oxidation is so performed by using the oxidation preventing films 4a, 4b as oxidation preventing masks as to form a protective oxide film 7. - 特許庁

全面に酸化膜１３を成膜し、エッチバックを行うことにより、酸化膜ハードマスク１２側壁に、サイドウォール酸化膜１３を形成する。例文帳に追加

By forming an oxidized film 13 on the entire surface and performing etch-back, a sidewall oxidized film 13 is formed on the sidewall of an oxidized film hard mask 12. - 特許庁

酸化膜パターン２６をマスクとして燐をイオン注入する。例文帳に追加

Phosphor is ion-implanted with an oxide film pattern 26 as a mask. - 特許庁

次に、シリコン酸化膜１２上にレジストマスク１３を形成する。例文帳に追加

Then a resist mask 13 is formed on the silicon oxide film 12. - 特許庁

パターニングされたフォトレジスト層をマスクとして使用し、露出されたフィールド酸化マスク層及びバッファ酸化膜を選択的に除去する。例文帳に追加

The patterned photoresist layer is used as a mask, and the exposed field oxide mask layer and buffer oxide film are removed selectively. - 特許庁

ついで、開口部９の形成されたレジストマスク８をマスクとして、第２シリコン酸化膜５を除去し、レジストマスク８を除去する。例文帳に追加

Then making a resist mask 8 in which an opening 9 is formed as the mask, the second silicon oxide film 5 is removed, the resist mask 8 is removed. - 特許庁

フィールド酸化膜を形成する工程では、半導体基板（５１）の全面にバッファ酸化膜（５２）とフィールド酸化マスク層（５３）が形成される。例文帳に追加

In a process for forming a field oxide film, a buffer oxide film 52 and a field oxide mask layer 53 are formed over the whole face of a semiconductor substrate 51. - 特許庁

マスクに形成されたマスク膜のパターン形状を保ちながら、マスク膜に付着したシリコン酸化物を含む異物を除去することができるマスク洗浄方法、マスク洗浄装置及びペリクルを提供する。例文帳に追加

To provide a mask cleaning method which removes a foreign substance including silicon oxide deposited on a mask film formed on a mask, while keeping a pattern shape of the mask film; and to provide a mask cleaning device and a pellicle. - 特許庁