酸化膜界面の英語

低温酸化により酸化速度を制御できるようにするとともに、界面準位の少ない極薄膜のゲート酸化膜を形成できるようにする。例文帳に追加

To control the oxidation rate by low-temperature oxidation and also to form a gate oxide film being an ultrathin film with few interfacial levels. - 特許庁

界面準位密度が低い金属酸化物薄膜を成膜することができる金属酸化物薄膜の成膜方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a thin metal oxide film by which the thin metal oxide film can be formed with a low interface state density. - 特許庁

そのため形成される酸化膜とＳｉＣ界面をより理想的な状態にすることができ、酸化膜／ＳｉＣ界面の界面準位が小さく、良好な絶縁膜を得ることができる。例文帳に追加

Thus, an interface between the formed oxide film, the SiC can be made in a more ideal state, and proper insulating film having a small interface level of the oxide film/SiC interface can be obtained. - 特許庁

第１のゲート絶縁膜８は、下地界面層としてのシリコン酸化膜である。例文帳に追加

The first gate insulated film 8 is a silicon oxide film as a underlying interface layer. - 特許庁

ＴｉＮ膜と半導体基板１００界面との反応を起こさせて自然酸化膜を還元する。例文帳に追加

A reaction between the TiN film and the interface of the silicon substrate 100 occurs, resulting in the reduction of the natural oxide film. - 特許庁

Ｇｅ基板と絶縁膜との界面に、良好なＧｅ酸化膜を形成する。例文帳に追加

To form an excellent Ge oxide film on a boundary surface of a Ge substrate and an insulating film. - 特許庁

これにより、チャネル領域は、第２の酸化物半導体膜と接する第１の酸化物半導体膜の界面近傍（つまり、バンドギャップが小さい酸化物半導体膜の界面近傍）に形成される。例文帳に追加

Thus, a channel region is formed in the vicinity of the boundary of the first oxide semiconductor film that is in contact with the second oxide semiconductor film (that is, in the vicinity of the boundary of the oxide semiconductor film with a smaller band gap). - 特許庁

半導体基板２１上に形成されたゲート酸化膜２３と、前記ゲート酸化膜上部に形成された導電膜２５と、前記ゲート酸化膜とゲート用導電膜の界面で形成された金属酸化膜２７とを備える。例文帳に追加

The semiconductor element is provided with a gate oxide film 23 formed on a semiconductor substrate 21, a conductive film 25 formed at the upper part of the gate oxide film and a metal oxide film 27 formed at the boundary of the gate oxide film and the conductive film for the gate. - 特許庁