電位構造の英語

基板またはウェル電位を電源電位と独立に給電可能なレイアウト構造において、レイアウト面積の増大を抑えつつ、基板またはウェル電位や電源電位の電位降下を抑える。例文帳に追加

To suppress a potential drop of a substrate or a well potential or a power supply potential while preventing an increase of a layout area in a layout structure in which the substrate or well potential can be supplied independently from the power supply potential. - 特許庁

基板またはウェル電位を電源電位と独立に給電可能なレイアウト構造において、レイアウト面積の増大を抑えつつ、基板またはウェル電位や電源電位の電位降下を抑える。例文帳に追加

To provide a layout structure that can supply a substrate or well potential independently from a power-supply potential and can suppress the drop of the substrate or well potential and the power-supply potential while suppressing the increase of a layout area. - 特許庁

電圧印加構造１１は、貫通孔の内部で該貫通孔を構成する壁面に接触し、当該壁面との接触部を電圧印加構造１１と同電位に規定する第２の電位規定構造３０を有している。例文帳に追加

The voltage-applying structure 11 has a second electric potential restriction structure 30 touching a wall face of the through-hole inside the through-hole and restricting a portion in contact with the wall face to a potential the same as that of the voltage-applying structure 11. - 特許庁

この構造において、低電位側電極３を基準にして、高電位側電極２に正電位Ｖ_S を印加すると、渦巻き状の薄膜層６の高電位側電極２と接続する端にも電位Ｖ_S が印加され、この渦巻き状の薄膜層には均一な電位分布が形成される。例文帳に追加

In this structure, when positive potential V_S is applied to a high potential electrode 2 with reference to a low potential electrode 3, then the potential V_S is also applied to the end of the spiral thin film layer 6 connected to the high potential electrode 2, thereby forming uniform potential distribution over the spiral thin film layer. - 特許庁

この構造において、低電位側電極３を基準にして、高電位側電極２に正電位Ｖ_S を印加すると、渦巻き状の薄膜層６の高電位側電極２と接続する端にも電位Ｖ_S が印加され、この渦巻き状の薄膜層には均一な電位分布が形成される。例文帳に追加

When in this structure a positive potential Vs is applied to a high potential electrode 2 with reference to a low potential electrode 3, the potential Vs is also applied to the end of the spiral layer 6 connected to the high potential electrode 2, thus forming a uniform potential distribution over the spiral layer 6. - 特許庁

この構造によれば、グランド電位が信号電位に近づくので伝送線路のキャパシタンスＣが増加する。例文帳に追加

The capacitance C of the transmission line increases by this structure, since the ground potential approaches to the signal potential. - 特許庁

高耐圧ＭＯＳトランジスタ構造において、基板電位がソース電位よりも高くなり難くして、サステイン耐圧を高める。例文帳に追加

To make a sustaining breakdown voltage higher in a high-breakdown voltage MOS transistor structure by constituting so that a substrate potential is less likely to become higher than the source potential. - 特許庁

基板またはウェル電位を電源電位と独立に給電可能なレイアウト構造において、レイアウト面積をより削減可能にする。例文帳に追加

To achieve further reduction in layout area in a layout structure capable of independently supplying a substrate or well potential from a power supply potential. - 特許庁