電子反射強度の英語

（ｄ）の棒グラフは、（ｃ）の直線Ｌ上に位置する分析点Ｌ１〜Ｌ１２における反射電子強度を表す。例文帳に追加

A bar graph in Fig.(d) shows reflected electron intensities in the analytical points L1-L12 positioned on a straight line L in Fig.(c). - 特許庁

すなわち、電子線の照射領域と紫外線の照射領域の形状を表示画面上で一致させ、電子線の照射領域における紫外線の強度を、反射電子像の反射電子結像条件を保持しながら調整するよう構成した。例文帳に追加

That is, shapes of an irradiated region of the electron beam and the irradiated region of the ultraviolet rays are made to be matched on a display screen, and strength of ultraviolet rays in the irradiated region of the electron beam is adjusted as retaining reflection electron image formation conditions of the reflected electron image. - 特許庁

電子機器等の小型軽量化及び薄肉化のための高強度化に対し、製造コスト低減可能で、成形性及び反射特性に優れた高反射プレコートアルミニウム合金板を提供する。例文帳に追加

To provide a high reflection precoated aluminum alloy plate which can reduce production costs and is excellent in moldability and reflection characteristics in relation to strengthening for miniaturizing, weight-reducing, and wall-thinning an electronic device etc. - 特許庁

反射型電子顕微鏡４は、バイオセル１２の表面に入射線１５を照射し、その反射散乱線２１の二次元強度分布である連続画像を撮影する。例文帳に追加

A reflection electron microscope 4 irradiates incident beams 15 on the surface of bio cells 12, and photographs continuous images as a two-dimensional intensity distribution of their reflected and scattered beams 21. - 特許庁

走査型顕微鏡の制御系ないし隣接する端末から反射電子ないしは２次電子強度の分布を処理し、エッジ近傍を表わす領域の形状を数値化しそれらの結果からテーパ傾向を算出する。例文帳に追加

Distribution of reflection electron or secondary electron intensity is processed from a control system of a scan type microscope and an adjacent terminal, and the shape of an area representing the edge vicinity is digitized to calculate a taper gradient from the result. - 特許庁

走査型顕微鏡の制御系ないし隣接する端末から反射電子ないしは２次電子強度の分布を処理し、エッジ近傍を表わす領域の形状を数値化しそれらの結果からテーパ傾向を算出する。例文帳に追加

A distribution of a reflection electron or secondary electron intensity is processed from a control system of a scanning microscope and an adjacent terminal, and a shape of an area expressing the vicinity of an edge is digitalized to calculate a tapering tendency based on a result thereof. - 特許庁

レーザー201と半導体202を備えたスピン偏極電子源等を搭載した走査電子顕微鏡を用いて、スピン偏極電子線203を照射した試料208からの反射電子209の強度やスピン偏極度を反射電子検出器210などを用いて測定することにより、試料208内部の高分子のカイラリティ構造や磁化ベクトルを可視化することができる。例文帳に追加

Upon using a scanning electron microscope which is loaded with a spin-polarized electron source having a laser 201 and a semiconductor 202, a chirality structure and magnetized vector of polymer inside a testpiece 208 can be visualized by measuring intensity and the degree of spin-polarization of reflected electrons 209 from the testpiece 208 which is irradiated by a spin-polarized electron beam 203 by using a reflected electron detector 210. - 特許庁

表面層の厚みムラに起因する感光体に照射された光の反射光の干渉及び強度変動による画像濃度ムラの抑制された電子写真感光体、該電子写真感光体を備えたプロセスカートリッジ、及び該電子写真感光体を備えた画像形成装置を提供する。例文帳に追加

To provide an electrophotographic photoreceptor that suppresses irregularities in image density due to interference and intensity changes of reflected light of the light irradiating the photoreceptor, caused by uneven thickness of a surface layer, and to provide a process cartridge having the electrophotographic photoreceptor, and an image forming apparatus with the electrophotographic photoreceptor. - 特許庁