面方位依存性の英語

面方位が（１００）であるシリコンウエハ（単結晶シリコン基板）１を用い、結晶方位依存性を利用した異方性ウエットエッチングを行うことにより、壁面１１ａの面方位が（１１１）である貫通穴１１を、形成する薄膜パターンに対応させた開口部として形成する。例文帳に追加

Performing anisotropic wet etching using crystal orientation dependence using a silicon wafer (a single-crystal silicon substrate) 1 whose face direction is (100), forms penetrating holes 11, whose wall surfaces 11a have face directions of (111), as opening parts correspond to the thin film pattern made to form. - 特許庁

基板１０上にマスクパターン１１を形成し、まず、少なくとも ｛１１１｝Ｂ面を含む結晶の面方位に対して依存性を持たない等方性ウエットエッチングを行う。例文帳に追加

A mask pattern 11 is formed on a substrate 10 and an isotropic wet etching which does not have dependency is performed on the face orientation of crystal including at least a {111} B face. - 特許庁

反射赤外線の面方位依存性を測定する際には、試料表面上で赤外線があたる領域を一定にするために、試料を測定領域を中心にして面内回転する。例文帳に追加

For measuring the orientation dependency of reflection infrared rays, the sample is rotated within the surface with a measurement region as a center to make constant a region where infrared rays are applied on the sample surface. - 特許庁

結晶性を有する半導体層のウェットエッチングにおいて、半導体層のエッチング面方位依存性の有無に起因せずに所望なパターニングが容易な半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for a semiconductor device by which a desired patterning is facilitated irrespective of the presence of the etching-face azimuth dependency of a semiconductor layer in the wet etching of the semiconductor layer having crystallizability. - 特許庁

例えば、被検レンズＭＬの回転前後において計測した一対の非点収差ベクトルの演算によって、面変形依存性の非点収差成分と偏光方位依存性の非点収差成分とを分離抽出するので、非点収差の内容を定量的に評価することができ、被検レンズＭＬの収差評価の質を向上させることができる。例文帳に追加

For example, since the astigmatic component on face deformation dependence and the astigmatic component on polarization direction dependence are extracted separately by calculation of a pair of astigmatic vectors measured before and after rotation of the test lens ML, the content of the astigmatism can be evaluated quantitatively, and the quality of aberration evaluation of the test lens ML can be improved. - 特許庁

これは、エッチング速度に結晶面依存性があるため、多結晶Ｓｉウェハをエッチングすると、ウェハ表面に露出している各結晶粒の結晶方位面の違いによって段差が生じることが避けられず、精密な表面平坦化の障害となるためである。例文帳に追加

This is because, since the etching rate is crystal-face dependent, etching of the polycrystalline Si wafer inevitably results in formation of steps because of different crystal-face orientations of individual crystal grains exposed on a surface of the wafer, which hinders precision surface planarization. - 特許庁

このとき、電流狭窄層１４には、マスクパターン２５の領域に開口部１４ａが形成され、該開口部１４ａの壁面の基板面はＧａＮの成長速度の面方位依存性により、基板面に対する傾斜角βの値はほぼ６０°となる。例文帳に追加

In this regard, an opening 14a is made in the region of the mask pattern 25 and the wall face of the opening 14a is inclining about 60° of angle β with respect to the substrate surface because of face orientation dependency of GaN growing speed. - 特許庁

光半導体集積素子構造において問題となる、誘電体マスク面積や埋め込み再成長層の成長速度の面方位依存性に起因するマスク上への張り出し成長や、マスク端での成長速度増大を回避する光半導体集積素子構造およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an optical semiconductor integrated element structure for avoiding problems in the structure such as overhanging growth over a mask due to a dielectric mask area and surface orientation dependency of growth speed of a buried regrowing layer and an increase in the growth speed at a mask end, and to provide its manufacturing method. - 特許庁