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英訳・英語 24-well


ライフサイエンス辞書での「24ウェル」の英訳

24ウェル

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「24ウェル」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 50



例文

シリコン基板22に、Nウェル23、Pウェル24を形成し、Pウェル24にはメモリセル形成領域25を設ける。例文帳に追加

An n-well 23 and a p-well 24 are formed on a silicon substrate 22, and a memory cell forming region 25 is formed in the p-well 24. - 特許庁

またこのとき、ウェル25に収容された磁性粒子と、ウェル24に収容された洗浄液とが、ウェル26において混合液に合流する。例文帳に追加

At this time, the magnetic particles housed in a well 25 and the washing liquid housed in a well 24 meet with the mixed liquid in a well 26. - 特許庁

P型半導体基板1の表面に浅いPウェル23と深いPウェル24とが互いに部分的に重なるように形成され、これらのウェル23、24は、Nウェル21、深いボトムN型ウェル2および繋ぎNウェル22によって取り囲まれている。例文帳に追加

A shallow P well 23 and a deep P well 24 are formed on the surface of a P type semiconductor substrate 1 while overlapping partially and these wells 23 and 24 are surrounded by an N well 21, a deep bottom N type well 2 and an interlinking N well 22. - 特許庁

化学処理用カートリッジ1の内部には、ウェル11〜13および流路21〜24が形成され、流路21、ウェル11、流路22、ウェル12、流路23、ウェル13および流路24が順次、接続されている。例文帳に追加

In the chemical treatment cartridge 1, wells 11 to 13 and flow channels 21 to 24 are formed, and the flow channel 21, the well 11, the flow channel 22, the well 12, the flow channel 23, the well 13 and the flow channel 24 are connected in series with each other. - 特許庁

縦型NPNトランジスタT0は、P型半導体基板21に形成されたNウェル22と、Nウェル22に形成されたPウェル23と、Pウェル23に形成されたN型領域24とを有している。例文帳に追加

The vertical npn transistor T0 has an n well 22 formed in the p-type semiconductor substrate 21, a p well 23 formed in the n well 22, and an n-type region 24 formed in the p well 23. - 特許庁

この結果ロックウェルCスケールで少なくとも50なるべくは60の表面22硬さと、ロックウェルC45を越えないなるべくはロックウェル25ないしロックウェル40のコア24の硬さとを得る。例文帳に追加

As a result, the hardness of a surface 22 of at least 50 or of preferably 60 in terms of Rockwell C Scale, and the hardness of a core 24 of not exceeding Rockwell C45, preferably, Rockwell 25 to 40 are obtained. - 特許庁

例文

p型基板20上にフォトダイオードの光電変換部のp型ウェル22と、信号走査回路部のp型ウェル24が形成される。例文帳に追加

A p-type well 22 of a photoelectric conversion part and a p-type well 24 of a signal scanning circuit part in a photodiode are formed on a p-type substrate 20. - 特許庁

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「24ウェル」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 50



例文

深いNウェルの縁部は、Nウェルの底部と接触してオーバーラップ領域24を形成するが、このオーバーラップ領域において、電荷担体を空乏化させず、それによって深いNウェルにNウェルを電気的に接続することも、電荷担体を空乏化させ、それによって深いNウェルからNウェルを電気的に分離することもできる。例文帳に追加

Edge part of the deep N well touches the bottom part of the N well to form an overlap region 24 where charge carriers are not depleted and the N well can be connected electrically with the deep N well or where charge carriers are depleted and the N well can be separated electrically from the deep N well. - 特許庁

当該マルチウェルプレート1は、16行と24列とに配列された384個のウェル2、または、8行と12列とに配列された96個のウェル2を有する。例文帳に追加

The multi-well plate 1 comprises 384 wells 2 arranged in 16 rows and 24 columns or 96 wells 2 arranged in 8 rows and 12 columns. - 特許庁

ウェル固定部12Cは、不純物領域24によって構成されるフィールド拡散領域を含む。例文帳に追加

The well fixing part 12C includes a field diffusing region comprising the impurity region 24. - 特許庁

このリム24は、ウェル34、外側ビードシート36及び内側ビードシート38を備えている。例文帳に追加

The rim 24 includes a well 34, an outside bead sheet 36, and an inside bead sheet 38. - 特許庁

p型ウェル22及び24の表面部には、n型拡散層25、26が形成される。例文帳に追加

N-type diffusion layers 25 and 26 are formed in a surface parts of the p-type wells 22 and 24. - 特許庁

オーバーレイ(20)は、ガラス又はポリマーの薄いシートであって、サンプルウェル(22)、反応チャンバ(24)、及び反応チャンバ(24)とサンプルウェル(22)とを連絡する通路(26)を有する。例文帳に追加

The overlay 20 is a thin glass or polymer sheet having a sample well 22, a reaction chamber 24, and a conduit 26 communicating the reaction chamber 24 with the sample well 22. - 特許庁

ウェル24と電気的に接触させるため、ソース27とドレン26が付加的にドーピングされた領域28とともにPウェル内に形成される。例文帳に追加

A source 27 and a drain 26 are formed in the well 24 along with an additionally doped region 28 for bringing into contact electrically the source 28 and the drain 26 with the well 24. - 特許庁

例文

原子炉水浄化装置26と主復水器ホットウェル16との間に原子炉冷却水ブロー止め弁25を有する原子炉ブロー配管24を接続する。例文帳に追加

A nuclear reactor blow piping 24 having a nuclear reactor cooling water blow stop valve 25 is connected between a nuclear reactor water purifying facility 26 and a main condenser hot well 16. - 特許庁

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