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7-11sとは 意味・読み方・使い方
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「7-11s」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 9件
In the MOS transistor, the source 11s is formed at a position spaced from the gate electrode 7 when viewing it from above.例文帳に追加
MOSトランジスタで、ソース11sは上方から見てゲート電極7とは間隔をもつ位置に形成されている。 - 特許庁
The layers 11 and 12 contain 7 nitrogen near the sidewalls 11s and 12s.例文帳に追加
第1の導電層11および第2の導電層12は、第1および第2の側壁11sおよび12s付近に窒素を含む。 - 特許庁
A field insulating film 15 is disposed on the surface of a semiconductor substrate 1, between the gate insulating film 7 and an N+ source region 11s.例文帳に追加
ゲート絶縁膜7とN+ソース領域11sの間の半導体基板1表面にフィールド絶縁膜15配置されている。 - 特許庁
A semiconductor device includes the MOS transistor having a source 11s and drains 11d, 13d formed at a spacing between them on a semiconductor layer 1 and a gate electrode 7 formed through a gate insulating film 5 on the semiconductor layer 1 between the source 11s and the drains 11d, 13d.例文帳に追加
半導体層1に互いに間隔をもって形成されたソース11s及びドレイン11d,13dと、ソース11sとドレイン11d,13dの間の半導体層1上にゲート絶縁膜5を介して形成されたゲート電極7とをもつMOSトランジスタを備えている。 - 特許庁
A distance A between the source 11s and the gate electrode 7 when viewing them from above is set to have such a dimension that the MOS transistor has the drain current-temperature characteristic in which a drain current increases with respect to a temperature rise.例文帳に追加
上方から見たソース11sとゲート電極7の間の距離AはMOSトランジスタが温度上昇に対してドレイン電流が増加するドレイン電流−温度特性をもつ寸法に設定されている。 - 特許庁
Positioning projection parts 71, 81 as one longitudinal end of the knock pins 7, 8 project from a surface 11s of the housing 1 on the side opposed to a member 100, and are engaged and positioned to an indentation engaged part 102 of a member 100.例文帳に追加
ノックピン7,8の軸長方向の一端部である位置決め突部71,81は、相手材100に対面する側にハウジング1の表面11sから突出すると共に相手材100の凹状の被係合部102に係合して位置決めされる。 - 特許庁
A screw conveyer 11 having a core rod 11S tapered to increase the size of the tip is inserted into a center hole 10 of a cylindrical filter body 7 formed by arranging many groups of filter elements each composed of an annular filter plate and an annular movable plate to be laminated.例文帳に追加
環状濾過プレートと環状可動プレートとで構成される濾過素子を多数組積層状に配列された筒状の濾過体7の中心孔10に、心杆11Sが先太のテーパ状に形成されたスクリューコンベア11を嵌装する。 - 特許庁
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「7-11s」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 9件
A semiconductor device has: a substrate 1; a transistor having an electron transit layer 3 and an electron supply layer 4 formed above the substrate 1; nitride semiconductor layers 7 and 8 formed above the substrate 1 and connected with a gate 11g of the transistor; and control means 12, 13, 11s, and 16 controlling an electric charge moving in the nitride semiconductor layers 7 and 8.例文帳に追加
半導体装置の一態様には、基板1と、基板1の上方に形成された電子走行層3及び電子供給層4を備えたトランジスタと、基板1の上方に形成され、トランジスタのゲート11gに接続された窒化物半導体層7及び8と、窒化物半導体層7及び8を移動する電荷を制御する制御手段12、13、11s、及び16と、が設けられている。 - 特許庁
When the output of the voltage adjuster 7 is boosted gradually from a zero voltage to a test voltage, the output voltage is applied on a high-voltage step-up transformer 9 through a selection switch 8, and boosted there, and the boosted voltage is applied on a secondary winding 11S of the transformer to be tested 11.例文帳に追加
電圧調整器7の出力を零電圧から試験電圧まで徐々に上昇させると、その出力電圧は選択スイッチ8を介して高圧用昇圧変圧器9に印加され、ここで昇圧されて、その昇圧電圧が被試験変圧器11の二次巻線11Sに印加される。 - 特許庁
1
7、10、16の平均は11である。
Tatoeba
2
12と24と7と11の合計は54です。
Tatoeba
3
7/11s
Wiktionary英語版
4
11時間後、7時30分頃サンフランシスコに到着いたします。
Tatoeba
6
July 11 is World Population Day.
Tatoeba
7
8
朝食は午前7時半から11時までです。
Tatoeba
9
line of 7s
Wiktionary英語版
10
DF-11
英和対訳
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