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C-SiCとは 意味・読み方・使い方
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「C-SiC」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 208件
As the C atom-supplying substrate 17, at least one substrate chosen from the group consisting of a carbon substrate, a porous SiC substrate, a sintered SiC substrate and an amorphous SiC substrate is used.例文帳に追加
前記C原子供給基板17として、カーボン基板、ポーラスSiC基板、焼結SiC基板、非晶質SiC基板からなる群から選ばれた少なくとも一種の基板を用いる。 - 特許庁
METHOD FOR PRODUCING SiC OR C FIBER/SiC COMPOSITE MATERIAL例文帳に追加
ＳｉＣ又はＣ繊維／ＳｉＣ複合材料の製造方法 - 特許庁
SiC OR C FIBER/SiC COMPOSITE MATERIAL AND PRODUCTION METHOD TEHREFOR例文帳に追加
ＳｉＣ又はＣ繊維／ＳｉＣ複合材料及びその製造方法 - 特許庁
A spacer 19 with a thickness of about ≤50 μm is installed between the single crystal SiC substrate 5 and the C atom-supplying substrate 17 to control the thickness of the single crystal SiC grown between the single crystal SiC substrate 5 and the C atom-supplying substrate 17.例文帳に追加
前記単結晶SiC基板5と前記C原子供給基板17との間に約５０μｍ以下の厚さのスペーサ19を設け、前記単結晶SiC基板5と前記C原子供給基板17との間に成長される単結晶SiCの厚みを制御する。 - 特許庁
An AlN buffer layer 12 is formed with the film thickness of about 20 nm at a temperature 500°C on a 6H-SiC substrate 11, then the temperature is turned to 1050°C and a GaN layer 13 is grown for about 3 μm.例文帳に追加
6Ｈ-SiC基板11上に温度500℃でAlNバッファ層12を20nm程度の膜厚で形成する。 - 特許庁
When SiC substrate temperature is a high temperature in the order of 1800°C, the sublimation of SiC from a SiC substrate 10 is generated.例文帳に追加
ＳｉＣ基板温度が１８００℃程の高温では、ＳｉＣ基板１０からＳｉＣの昇華が発生する。 - 特許庁
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「C-SiC」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 208件
A carbon substrate or an amorphous SiC substrate is used for the carbon atom supply substrate 17.例文帳に追加
前記C原子供給基板17として、カーボン基板又は非晶質SiC基板を用いる。 - 特許庁
C-SiC SINTERED COMPACT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
Ｃ−ＳｉＣ焼結体およびその製造方法 - 特許庁
SIC-C/C COMPOSITE MATERIAL, ITS USE, AND PRODUCTION THEREOF例文帳に追加
ＳｉＣ−Ｃ／Ｃコンポジット複合材料、その用途、およびその製造方法 - 特許庁
The SiC monocrystalline ingot is sliced into the substrates, both surfaces of the sliced substrate is polished, and then the SiC substrate is subjected to annealing heat treatment at a temperature of 1,300°C or higher and 2,000°C or lower.例文帳に追加
SiC単結晶インゴットからスライスして得られた基板に両面ラップ研磨を施し、得られたSiC単結晶基板に、１３００℃以上２０００℃以下の温度で焼鈍熱処理を施す。 - 特許庁
An about 20 nm-thick AlN buffer layer 12 is formed on a (0001) face 6H-SiC substrate 11 at 500°C.例文帳に追加
（０００１）面6Ｈ-SiC基板11上に温度500℃でAlNバッファ層12を２０nm程度の膜厚で形成する。 - 特許庁
THREE DIMENSIONALLY REINFORCED SIC-C/C COMPOSITE-MADE HIGH SPEED ROTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
三次元強化ＳｉＣ−Ｃ／Ｃコンポジット製高速回転体及びその製作方法 - 特許庁
The plate part 2 is obtained by converting a C/C plate obtained by molding a mixed raw material the same as that in the C/C honeycomb core and carbonating the same into C/SiC.例文帳に追加
プレート部２は、Ｃ／Ｃハニカムコアと同一の混合原料を成形し炭素化してなるＣ／ＣプレートをＣ／ＳｉＣ化してなっている。 - 特許庁
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