Cu electroplatingとは 意味・読み方・使い方

Next a Cu seed layer 11 is formed by sputtering, and a Cu-plated film 12 is formed by electroplating to bury the contact hole 8 and wiring groove 9.例文帳に追加

次にスパッタ法でＣｕシード層１１を形成後、電解メッキ法によりＣｕメッキ膜１２を形成し、コンタクトホール８、配線溝９を埋め込む。 - 特許庁

To provide an excellent method for forming a Cu wiring, which can easily obtain the low-cost and highly reliable Cu wiring usable for a semiconductor integrated circuit by an electroplating method.例文帳に追加

電解メッキ法により半導体集積回路に用いられる安価で信頼性の高いＣu配線を、容易に得ることのできる優れたＣu配線形成方法を提供する。 - 特許庁

According to the method for manufacturing the semiconductor device, after forming the Cu layer 4 on an insulating film 2 for filling wiring grooves 1 in the insulating film 2 by electroplating, the surface of the Cu layer 4 is sputtered by using rare gas ions.例文帳に追加

絶縁膜２上に、絶縁膜２に形成された配線溝１を埋め込むＣｕ層４を電気めっきで形成したのち、Ｃｕ層４の表面を稀ガスイオンを用いてスパッタする。 - 特許庁

To obtain a method for depositing a Cu film by electroplating in which the planarity of surface does not depend on the pattern of a semiconductor substrate after a Cu plating film is buried in a wiring trench.例文帳に追加

電解メッキによるＣｕ成膜方法において、Ｃｕメッキ膜を配線溝に埋め込んだ後の表面の平坦度が、半導体基板のパターンに依存しないようにする。 - 特許庁

After the process for forming the Cu film 3 or the Ag film 4, a process for forming Ni film 5 on the surface of the Cu film 3 or the Ag film 4 by electroplating is preferably provided.例文帳に追加

また、Ｃｕ膜３またはＡｇ膜４を形成する工程の後には、Ｃｕ膜３またはＡｇ膜４の表面上にＮｉ膜５を電解めっきによって形成する工程を有していることが好ましい。 - 特許庁

In the terminal, a surface layer composed of a quaternary alloy of Sn-Ag-Cu-In or Sn-Ag-Cu-Bi is formed on the whole face or a part of an electrically conductive substrate by electroplating.例文帳に追加

本発明の端子は、導電性基体上の全面または部分に、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−ＩｎまたはＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉからなる四元合金により構成される表面層を電気めっきにより形成したことを特徴としている。 - 特許庁

Subsequently, a Ta film 111 is deposited by the physical vapor phase growth process on a surface of the film 110, a Cu film 112 is deposited by the physical vapor phase growth process on a surface of the Ta film 111, and then a Cu film 113 is deposited by electroplating on a surface of the Cu film 112.例文帳に追加

次にＴｉＮ膜１１０表面に物理的気層成長法によりＴａ膜１１１を堆積し、次にＴａ膜１１１表面に物理的気層成長法によりＣｕ膜１１２を堆積した後に、電解メッキ法によりＣｕ膜１１２の表面にＣｕ１１３膜を堆積する。 - 特許庁

A plated member 10 is obtained by performing Ni strike plating on the metal member 1 and after that, forming an Ni primary plating layer by electroplating and further performing electroplating on the Ni primary plating layer using a plating solution containing silver cyanate and copper cyanate to form an Ag-Cu containing alloy plating layer 5.例文帳に追加

金属部材１上にＮｉストライクめっきを行った後、電解めっきによってＮｉ下地めっき層３を形成し、さらに、その上にシアン銀、シアン銅を含むめっき液を用いて電解めっきを行いＡｇ−Ｃｕ含有合金めっき層５を形成しためっき部材１０。 - 特許庁