Cu electroplatingとは 意味・読み方・使い方

To planarize a Cu layer which is formed by electroplating and has asperities on its surface by slight over-etching in order to prevent remaining of the Cu layer in the asperities after removing excess Cu layer by a damascene method.例文帳に追加

ダマシン配線を電気めっきで形成すると、めっきで形成されたＣｕ層表面の凹凸が大きくＣＭＰでは平坦化できず、この凹凸部にＣｕ層が残留して短絡要因となる。 - 特許庁

To provide an excellent method for forming a Cu wiring, which can easily obtain the low-cost and highly reliable Cu wiring usable for a semiconductor integrated circuit by an electroplating method.例文帳に追加

電解メッキ法により半導体集積回路に用いられる安価で信頼性の高いＣu配線を、容易に得ることのできる優れたＣu配線形成方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a method for depositing a Cu film by electroplating in which the planarity of surface does not depend on the pattern of a semiconductor substrate after a Cu plating film is buried in a wiring trench.例文帳に追加

電解メッキによるＣｕ成膜方法において、Ｃｕメッキ膜を配線溝に埋め込んだ後の表面の平坦度が、半導体基板のパターンに依存しないようにする。 - 特許庁

According to the method for manufacturing the semiconductor device, after forming the Cu layer 4 on an insulating film 2 for filling wiring grooves 1 in the insulating film 2 by electroplating, the surface of the Cu layer 4 is sputtered by using rare gas ions.例文帳に追加

絶縁膜２上に、絶縁膜２に形成された配線溝１を埋め込むＣｕ層４を電気めっきで形成したのち、Ｃｕ層４の表面を稀ガスイオンを用いてスパッタする。 - 特許庁

When electroplating is performed, a Cu plating film 8 is formed on the surface part of the interlayer insulation film 2 and in the wiring trenches 3 and wide wiring trenches 3a.例文帳に追加

電解メッキ処理を行うと、層間絶縁膜２の表面部分および配線溝３と幅広配線溝３ａの内部にＣｕメッキ膜８が成膜される。 - 特許庁

After the process for forming the Cu film 3 or the Ag film 4, a process for forming Ni film 5 on the surface of the Cu film 3 or the Ag film 4 by electroplating is preferably provided.例文帳に追加

また、Ｃｕ膜３またはＡｇ膜４を形成する工程の後には、Ｃｕ膜３またはＡｇ膜４の表面上にＮｉ膜５を電解めっきによって形成する工程を有していることが好ましい。 - 特許庁

The roughening method is a roughening treatment method of roughening the surface of the wiring formed by Cu electroplating and comprises forming a conductor by Cu electroplating, then in successively subjecting the surface of the wiring to the roughening treatment by a liquid chemical containing hydrogen peroxide or formic acid in the components without drying the surface of the wiring.例文帳に追加

電解Ｃｕメッキで形成された配線表面を粗面化する粗化処理方法であって、電解Ｃｕメッキにより導体を形成した後、該配線の表面を乾燥することなく続けて、成分に過酸化水素もしくはギ酸を含む薬液による粗化処理を施すことを特徴とする粗化処理方法である。 - 特許庁

Subsequently, a Ta film 111 is deposited by the physical vapor phase growth process on a surface of the film 110, a Cu film 112 is deposited by the physical vapor phase growth process on a surface of the Ta film 111, and then a Cu film 113 is deposited by electroplating on a surface of the Cu film 112.例文帳に追加

次にＴｉＮ膜１１０表面に物理的気層成長法によりＴａ膜１１１を堆積し、次にＴａ膜１１１表面に物理的気層成長法によりＣｕ膜１１２を堆積した後に、電解メッキ法によりＣｕ膜１１２の表面にＣｕ１１３膜を堆積する。 - 特許庁