Cu-3とは 意味・読み方・使い方

A Cu foil 5 is etched so as to be left partially on a Cu plating layer 3.例文帳に追加

Ｃｕメッキ層３上に残存するように、Ｃｕ箔５をエッチングする。 - 特許庁

In the Sn-Cu based lead-free soldering alloy containing 0.1-3 mass% Cu, 0.001-0.1 mass% P is added either alone or together with 0.001-0.1 mass% Ge.例文帳に追加

Sn-0.1〜3 質量％Cuの鉛フリーはんだ合金に、 0.001〜0.1 質量％のＰを単独で、または 0.001〜0.1 質量％のGeと一緒に添加する。 - 特許庁

The metal paste is e.g. Cu paste containing a Cu powder as an electrically conductive material, and the metal ball 3 is e.g. a Cu ball consisting predominantly of Cu.例文帳に追加

金属ペーストは例えばＣｕ粉末を導電材料として含有するＣｕペーストであり、金属ボール３は例えばＣｕを主体とするＣｕボールである。 - 特許庁

The wire more preferably contains ≤3% Mo, ≤2% Cu and one or more kinds selected from Zr, V, Nb, Ti and Ta by ≤2% in total.例文帳に追加

より好ましくは、Moを3%以下、Cuを2%以下、Zr、V、Nb、Ti、Taのうち一種又は二種以上を合計で２%以下含有する。 - 特許庁

A Cu electrode 3 is obtained by removing the A1 pattern 2.例文帳に追加

Ａｌパターン２を除去してＣｕ電極３を得る。 - 特許庁

In the catalyst component 3, finally Cu is supported.例文帳に追加

また，触媒成分３は，Ｃｕが最後に担持されている。 - 特許庁

In the semiconductor device having a plurality of Cu wirings, a Cu wiring 1 and Cu wiring made of a seed Cu film 11 and a plating Cu film 12 are isolated by a hydrogen silsesquioxane (HSQ) film 3, and the HSQ film 3 is provided with a Cu plug to electrically connect the Cu wiring 1 and the seed and platin Cu films 11 and 12.例文帳に追加

複数のＣｕ配線を有する半導体装置において、Ｃｕ配線１とシードＣｕ膜１１，メッキＣｕ膜１２からなるＣｕ配線とがＨＳＱ（Ｈｙｄｒｏｇｅｎ Ｓｉｌｓｅｓｑｕｉｏｘａｎｅ）膜３によって分離され、ＨＳＱ膜３にはＣｕ配線１とシードＣｕ膜１１，メッキＣｕ膜１２とを電気的に接続するＣｕプラグを形成されている。 - 特許庁

This high carbon steel sheet excellent in surface properties is the one contg., by weight, 0.3 to 1.3% C, ≥0.1% Si, 0.02 to 0.1% Ni, 0.02 to 0.1% Sn and 0.02 to 0.3$ Cu and also satisfying the relational inequality of Cu+3×Sn<4×Ni.例文帳に追加

重量％で、 C:0.3〜1.3%,Si:0.1%以上,Ni:0.02〜0.1%,Sn:0.02〜0.1%,Cu:0.02〜0.3%を含有し、かつ、Cu＋ 3×Sn＜ 4×Niの関係式を満足することを特徴とする表面性状に優れた高炭素鋼板。 - 特許庁