DC sputteringとは 意味・読み方・使い方

The passivation film is formed by a reactive pulse DC sputtering method.例文帳に追加

反応性パルスＤＣスパッタリングを行うことによりパッシベーション膜を形成する。 - 特許庁

The oxide semiconductor film 15 is formed by a DC sputtering method and a DC voltage Vdc for formation is set according to a carrier density D.例文帳に追加

酸化物半導体膜１５を、ＤＣスパッタ法を用いて成膜すると共に、その際の直流電圧Ｖdcをキャリア密度Ｄに応じて設定する。 - 特許庁

The oxide semiconductor film 15 is deposited using a DC sputtering method and DC power for deposition is set according to a carrier density D.例文帳に追加

酸化物半導体膜１５を、ＤＣスパッタ法を用いて成膜すると共に、その際のＤＣパワーをキャリア密度Ｄに応じて設定する。 - 特許庁

To provide a DC or DC-pulse sputtering system capable of increasing the film deposition rate and enhancing the uniformity of the film thickness distribution.例文帳に追加

成膜速度を上げ、かつ、膜厚分布の均一性を向上させることができるＤＣ又はＤＣパルススパッタリング装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a sputtering target suitable for forming a recording layer exhibiting satisfactory characteristics by DC sputtering and a high-density optical recording medium using the sputtering target and a manufacturing for the same.例文帳に追加

良好な特性を示す記録層を直流スパッタリングで形成するのに適したスパッタリングターゲットとその製造方法、並びに、該スパッタリングターゲットを用いた高密度光記録媒体とその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a sputtering target capable of suppressing the occurrence of abnormal discharge even if an IGZO sputtering target is used in DC sputtering.例文帳に追加

ＩＧＺＯスパッタリングターゲットをＤＣスパッタリングで使用しても、異常放電の発生を抑制できるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target for forming an optical disk protecting film, which can be used for DC sputtering, whose characteristics hardly deteriorate, when data are rewritten and which is suitable for an optical disk coping with high recording density, and to provide the optical disk protecting film formed by using the sputtering target.例文帳に追加

ＤＣスパッタリングが可能で、かつデータ書換え時の特性劣化が小さい、高記録密度対応の光ディスクに好適な保護膜用スパッタリング・ターゲット及び光ディスク保護膜の提供。 - 特許庁

Then, DC electric power is applied to the sputtering target to form plasma, and sputtering particles S_A are produced by Ar sputtering to deposit a metal film 101.例文帳に追加

それから、スパッタターゲットにＤＣ電力を印加してプラズマを形成し、Ａｒスパッタによりスパッタ粒子Ｓ_Ａを生ぜしめ、金属膜１０１を堆積させる。 - 特許庁