Etching Chamberとは 意味・読み方・使い方

METHOD OF CLEANING CHAMBER OF ETCHING APPARATUS例文帳に追加

エッチング装置のチャンバークリーニング方法 - 特許庁

An etching gas is introduced in the reaction chamber 10.例文帳に追加

反応室１０は、内部にエッチングガスが導入される。 - 特許庁

CHAMBER STRUCTURE OF INDUCTIVELY COUPLED PLASMA ETCHING DEVICE例文帳に追加

誘導結合プラズマ食刻装置のチャンバ構造 - 特許庁

CHAMBER CLEANING METHOD IN PLASMA ETCHING例文帳に追加

プラズマエッチングにおけるチャンバークリーニング方法 - 特許庁

A dry etching apparatus having a gas introduction section 6 at an upper portion in the etching chamber 2 introduces cleaning gas into the etching chamber 2 and generates plasma in the etching chamber 2 so that the density of plasma 14 increases at an upper portion in the etching chamber 2.例文帳に追加

エッチングチャンバー２内の上部にガス導入部６をもつドライエッチング装置では、エッチングチャンバー２内にクリーニングガスを導入し、エッチングチャンバー２内の上部でプラズマ１４の密度が高くなるようにエッチングチャンバー２にプラズマを発生させる。 - 特許庁

This surface treatment device is provided with an etching chamber 2 etching the treating object using an etching liquid, a washing chamber 3 washing the treating object after etching; and multiple carrying rollers 4 carrying the treating object to the washing chamber 3 from the etching chamber 2.例文帳に追加

エッチング液を用いて被処理物に対するエッチング処理を行うエッチング室２と、エッチング処理後の被処理物に対する水洗処理を行う水洗室３と、エッチング室２から水洗室３に被処理物を搬送する複数の搬送ローラー４を備える。 - 特許庁

Gas pressure in an etching chamber in the case of the reactive ion etching is set to be 9.3-10.7 Pa.例文帳に追加

反応性イオンエッチングの際のエッチング室内のガス圧を９．３〜１０．７Ｐａとする。 - 特許庁

An etching rate can be equalized in the deposition chamber 2 by the etching radicals R.例文帳に追加

エッチングラジカルＲによる成膜チャンバ２内でのエッチングレートを等しくできる。 - 特許庁