FZ crystalとは 意味・読み方・使い方

METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR CRYSTAL BY FZ METHOD例文帳に追加

ＦＺ法による半導体結晶製造方法および半導体結晶製造装置 - 特許庁

To grow a single crystal stable under a strong magnetic field in a single crystal-growing device by a FZ method.例文帳に追加

ＦＺ法の単結晶育成装置において、強磁場下で安定した単結晶の育成を可能にする。 - 特許庁

A β-Ga_2O_3-based single crystal 8 is produced by the FZ method (floating-zone method).例文帳に追加

β−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶８は、ＦＺ法（フローティングゾーン法）により製造される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon single crystal by using an FZ method, the crystal having uniform resistivity distribution in a crystal plane as the important characteristic of the product.例文帳に追加

製品の重要な特性である結晶の面内抵抗率分布が均一なＦＺ法シリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

A Co rutile single crystal 1 used for the magneto-optic element is manufactured in a crystal growth apparatus equipped with an FZ furnace 4.例文帳に追加

この磁気光学素子に用いるＣｏルチル単結晶１は、ＦＺ炉４を備えた結晶育成装置によって製造される。 - 特許庁

The method for producing the gallium oxide single crystal which applies an FZ method (floating zone melting method) in multistep is characterized in that the gallium oxide single crystal is obtained by using the gallium oxide single crystal produced by the FZ method as a source rod and is obtained under the atmosphere containing oxygen by the FZ method, wherein the crystal grows within 2.5-20 mm/h of a growth rate.例文帳に追加

ＦＺ法（浮遊帯域溶融法）により作製した酸化ガリウム単結晶を原料棒に用いて更にＦＺ法により酸素含有雰囲気下で酸化ガリウム単結晶を得るようにして、多段階的にＦＺ法を適用する酸化ガリウム単結晶の製造方法であって、成長速度を２．５〜２０ｍｍ／ｈの範囲で結晶成長させる。 - 特許庁

To provide a method of stably manufacturing a silicon single crystal to be manufactured by FZ method with prescribed resistivity.例文帳に追加

ＦＺ法で製造されるシリコン単結晶を所定の抵抗率で安定して製造する方法を提供する。 - 特許庁

By use of an FT-IR device from IR waveforms prior to hydrogen ions implanted into the semiconductor substrate, the IR waveform of an FZ crystal semiconductor substrate is acquired by a difference spectrum method (an FZ crystal corrected IR waveform prior to implantation of the hydrogen ions).例文帳に追加

ＦＴ−ＩＲ装置を利用し、半導体基板に水素イオンが注入される前のＩＲ波形からＦＺ結晶半導体基板のＩＲ波形を差スペクトル法により求める（水素イオン注入前のＦＺ結晶補正ＩＲ波形）。 - 特許庁