GaAs ICとは 意味・読み方・使い方

The semiconductor device is a GaAs IC in which input pads 10, output pads 14, GaAs FETs 12, 13 connected in multistage, a wiring 23 interconnecting the GaAs FETs 12, 13, and a wiring 11 for connecting the GaAs FETs 12, 13 with the input pads 10 and the output pads 14 are provided on the surface of a GaAs substrate 18.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、入力パッド１０と、出力パッド１４と、多段接続されたＧａＡｓＦＥＴ１２，１３と、ＧａＡｓＦＥＴ１２，１３相互を接続する配線２３と、ＧａＡｓＦＥＴ１２，１３と入力パッド１０及び出力パッド１４とを接続する配線１１とが、ＧａＡｓ基板１８の表面に設けられたＧａＡｓＩＣである。 - 特許庁

The oscillator is made by using IC technology or MMIC technology, and uses a silicon substrate or a GaAs substrate.例文帳に追加

発振装置は、ＩＣ技術又はＭＭＩＣ技術によって形成され、また、シリコン基板又はＧａＡｓ基板が用いられる。 - 特許庁

To avoid an unstable operation due to a gate current of a switch IC employing a GaAs FET.例文帳に追加

ＧａＡｓ ＦＥＴを用いるスイッチＩＣのゲート電流による動作不安定を回避する小型のバイアス回路内蔵型スイッチＩＣを提供する。 - 特許庁

An output bias current Ibias that increases in response to a reduction in the h_FE of the HBT from the output of the CM 1 of the Si IC biases the base of an HBTQ_TO for the output of the GaAs IC.例文帳に追加

Ｓｉ ＩＣのＣＭ１の出力からのＨＢＴのｈ_ＦＥ減少に応答して増加する出力バイアス電流Ｉｂｉａｓによって、ＧａＡｓ ＩＣの出力用ＨＢＴＱ_ＴＯのベースをバイアスする。 - 特許庁

In a compound semiconductor integrated circuit GaAs IC, reference current of an HBTQref for reference depending on the h_FE of the HBT is supplied to the input of a first current mirror CM 1 of a bias circuit Bias Gen of a silicon semiconductor integrated circuit Si IC.例文帳に追加

化合物半導体集積回路ＧａＡｓ ＩＣでＨＢＴのｈ_ＦＥに依存する基準用ＨＢＴＱｒｅｆの基準電流をシリコン半導体集積回路Ｓｉ ＩＣのバイアス回路Ｂｉａｓ Ｇｅｎの第１カレントミラーＣＭ１の入力に供給する。 - 特許庁

The semiconductor chip IC includes HBT, as a high electric power amplifying element, formed on the main face of a semiconductor substrate 1 made of a GaAs substrate; a back electrode 8 formed on a backside of the semiconductor substrate 1; and a bump electrode 13 electrically connected to the back electrode 8 and formed on the backside of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体チップ１Ｃは、ＧａＡｓ基板からなる半導体基板１の主面に形成された大電力増幅素子であるＨＢＴと、半導体基板１の裏面に形成された裏面電極８と、裏面電極８と電気的に接続され、半導体基板１の裏面に形成されたバンプ電極１３とを有している。 - 特許庁