GaAs Laserとは 意味・読み方・使い方

The current constriction layer of the lower-part laser 50 is composed of an n-type Al0.7GaAs part 9, an n-type GaAs 10 and a p-type GaAs 11.例文帳に追加

下部レーザ５０の電流狭窄層は、ｎ型Ａｌ_０．７ＧａＡｓ９、ｎ型ＧａＡｓ１０、およびｐ型ＧａＡｓ１１からなる。 - 特許庁

An end face of a resonator having a nitride series semiconductor laser structure is formed by an etching before a joining step for joining an LD1 wafer, comprising the nitride series semiconductor laser structure formed on a GaN substrate 101; an LD1 wafer comprising a gallium phosphide series semiconductor laser structure formed on a GaAs substrate 201, and an LD2 wafer, comprising a gallium phosphide series semiconductor laser structure formed on the GaAs substrate 201.例文帳に追加

GaN基板１０１に形成された窒化物系半導体レーザ構造からなるLD１ウェハとGaAs基板２０１に形成されたガリウム燐系半導体レーザ構造からなるLD１ウェハとGaAs基板２０１に形成されたガリウム燐系半導体レーザ構造からなるLD２ウェハとを接合する接合工程に先立ち、窒化物系半導体レーザ構造の共振器端面をエッチング加工で形成する。 - 特許庁

A 780 nm wavelength band laser 12 and a 650 nm wavelength band laser 14 are formed on an n-type GaAs substrate 10.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板１０上に７８０ｎｍ帯波長レーザ１２と６５０ｎｍ帯波長レーザ１４が形成されている。 - 特許庁

To form a light outputting hole (114) in a contact layer (108) in a surface emitting semiconductor laser, and form the contact layer (108) of GaAs in this constitution.例文帳に追加

面発光型の半導体レーザにおいて、 (108)コンタクト層に (114)光出射穴を設ける。 - 特許庁

The surface emitting laser element 100 has laminate structure formed on a GaAs substrate 101.例文帳に追加

面発光レーザ素子１００は、ＧａＡｓ基板１０１上に形成された積層構造を有する。 - 特許庁

The current constitution layer of the upper-part laser 60 is an n-type GaAs current constriction layer 24.例文帳に追加

上部レーザ部６０の電流狭窄層は、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層２４である。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser, that has a GaAs contact layer which hardly deteriorates in crystallinity and is high in yield, and to provide a method of manufacturing the laser.例文帳に追加

ＧａＡｓコンタクト層の結晶性が劣化しにくく歩留のよい半導体レーザ装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A TJS laser element 1 comprises a GaAs substrate 2, a first clad layer 3, an active layer 4, a second clad layer 5, a GaAs contact layer 6, and electrodes 7a and 7b.例文帳に追加

ＴＪＳレーザ素子１は、ＧａＡｓ基板２、第１クラッド層３、活性層４、第２クラッド層５、ＧａＡｓコンタクト層６、及び電極７ａ，７ｂを有する。 - 特許庁