GaAsPとは 意味・読み方・使い方

The semiconductor film made of any of an AlGaInP film, an AlGaAs film and a GaAsP film is etched by using the etchant composition to roughen the surface.例文帳に追加

本発明のエッチング液組成物を用いて、ＡｌＧａＩｎＰ膜、ＡｌＧａＡｓ膜、ＧａＡｓＰ膜のいずれか半導体膜をエッチングし、表面を粗面化する。 - 特許庁

Between a base layer comprising GaAs and an emitter layer comprising InGaP, a layer comprising one out of InAs, InGaAs, InAsP, GaAsP or AlGaAs that has a thickness of 2-3 nm is formed.例文帳に追加

ＧａＡｓより成るベース層とＩｎＧａＰより成るエミッタ層との間にＩｎＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＡｓＰ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＡｓの何れか一つの層を厚さ２から３nm形成したことにある。 - 特許庁

Immediately after stacking a barrier layer composed of GaAsP for a multiple distortion quantum well active layer 105 at a growth temperature of 650°C, a 2nd upper guide layer 126 composed of AlGaAs is stacked.例文帳に追加

６５０℃の成長温度で、多重歪量子井戸活性層１０５のＧａＡｓＰからなるバリア層を積層した直後に、ＡｌＧａＡｓからなる第二上ガイド層１２６を積層する。 - 特許庁

The lattice constants of the In GaAsP semiconductor layers 16, 20 are larger than the lattice constant of the InP substrate 4, and smaller than that of the group III-V compound semiconductor light-absorbing layer 18.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓＰ半導体層１６、２０の格子定数はＩｎＰ基板４の格子定数より大きく、また、ＩｎＧａＡｓＰ半導体層１６、２０の格子定数はＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体光吸収層１８の格子定数より小さい。 - 特許庁

In an LED array for LED printing head, Zn diffusing areas 12 are arranged on the surface of a GaAsP substrate 10 in an array form and LEDs which use the p-n junctions between the substrate 10 and areas 12 as light emitting sections are formed.例文帳に追加

ＬＥＤプリントヘッド用のＬＥＤアレイにおいては、ＧａＡｓＰ基板１０表面にＺｎ拡散領域１２がアレイ状に配置され、ＧａＡｓＰ基板１０とＺｎ拡散領域１２とのｐｎ接合部を発光部とするＬＥＤが形成されている。 - 特許庁

An active layer 5 with an InGaAsP compression distortion, two InGaAsP light waveguide layers 3 and 7, and two GaAsP barrier layers 4 and 6 with pull distortions with a larger band gap than the two light waveguide layers are provided on a GaAs substrate 1, thus enabling compression distortion and pull distortion to be completely compensate for each other or enabling the pull distortion to be slightly larger.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１上に、ＩｎＧａＡｓＰ系の圧縮歪を有する活性層５と、ＩｎＧａＡｓＰ系の２つの光導波層３および７、および２つの光導波層よりバンドギャップの大きいＧａＡｓＰ系の２つの引っ張り歪を有する障壁層４および６を設け、圧縮歪と引っ張り歪は互いに完全に補償されるかあるいはやや引っ張り歪が大きい程度とする。 - 特許庁