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ガリウムヒ素の英語
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英訳・英語 gallium arsenide
「ガリウムヒ素」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 36件
ガリウム及びヒ素を含有する廃水の処理装置例文帳に追加
TREATMENT APPARATUS FOR WASTEWATER CONTAINING GALLIUM AND ARSENIC - 特許庁
ガリウム−ヒ素含有廃水の処理装置例文帳に追加
EQUIPMENT FOR TREATMENT OF WASTE WATER CONTAINING GALLIUM-ARSENIC - 特許庁
ガリウムとヒ素を含有する被処理水が導入されて、ガリウムを濃縮するガリウム濃縮手段と、ヒ素イオンを触媒の存在下で単体ヒ素に還元するヒ素還元手段とを有することを特徴とするガリウム−ヒ素含有廃水の処理装置。例文帳に追加
The equipment for the treatment of waste water containing gallium is equipped with a gallium concentrating means where the waste water containing gallium and arsenic is introduced to concentrate gallium and with an arsenic reducing means to reduce arsenic ions into single arsenic in the presence of a catalyzer. - 特許庁
ガリウム及びヒ素を含有する廃水中のガリウムを吸着するガリウム吸着手段と、ガリウム吸着手段の処理水中のヒ素を濃縮する膜分離手段と、膜分離手段の透過水中のヒ素を除去するヒ素除去手段とを有することを特徴とするガリウム及びヒ素を含有する廃水の処理装置。例文帳に追加
The treatment apparatus for wastewater containing gallium and arsenic has a gallium adsorption means for adsorbing gallium in wastewater containing gallium and arsenic, a membrane separation means for concentrating arsenic in the treated water of the gallium adsorption means and an arsenic removing means for removing arsenic in the permeated water of the membrane separation means. - 特許庁
るつぼ1内に、予備合成されたヒ化ガリウム原料4と酸化ホウ素5とが充填され、そのるつぼ1内のヒ化ガリウム原料4が加熱溶融され、ヒ化ガリウム原料4の融液中のガリウムの量をヒ素の量よりも多くした状態でその融液の固化を完了して、カーボンが添加されたヒ化ガリウム結晶を成長させることにより、ヒ化ガリウム結晶が製造される。例文帳に追加
This production method comprises charging a presynthesized gallium arsenide material 4 and boron oxide 5 in a crucible 1, heating and melting the gallium arsenide material 4 in the crucible 1, and completing solidification of the melt of the material 4 in such a state that the amount of gallium in the melt is larger than that of arsenic to grow a carbon-added gallium arsenide crystal. - 特許庁
化合物半導体のウエハー製造工場、デバイス製造工場等から排出されるガリウム及びヒ素を含有する廃水を処理して、特に希少かつ有価金属であるガリウムを効率的に回収するとともに、ヒ素の凝集沈殿汚泥が発生しないガリウム及びヒ素を含有する廃水の処理装置を提供する。例文帳に追加
To provide a treatment apparatus for wastewater containing gallium and arsenic for treating wastewater containing gallium and arsenic discharged from a compound semiconductor wafer manufacturing factory, a device manufacturing factory or the like not only to efficiently recover gallium being an especially scarce and valuable metal but also to prevent flocculated sedimented sludge of arsenic. - 特許庁
化合物半導体のウエハー製造工場、デバイス製造工場等から排出されるガリウム−ヒ素含有廃水を処理して、特に希少かつ有価金属であるガリウムを効率的に回収することができ、同時に共存するヒ素を、鉄を含んだ凝集汚泥を発生することなく除去し得るガリウム−ヒ素含有廃水の処理装置を提供する。例文帳に追加
To provide equipment for the treatment of waste water containing gallium-arsenic which treats waste water containing gallium-arsenic discharged from manufacturing factories of compound semiconductor wafers, manufacturing factories of devices or the like and with which gallium being a rate and valuable metal can be efficiently and completely collected and at the same time, coexistent arsenic can be removed without producing aggregated sludge containing iron. - 特許庁
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「ガリウムヒ素」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 36件
半導体基体の材料は、炭化珪素、窒化ガリウム、ダイヤモンドのいずれでも良いし、ヘテロ半導体領域の材料は、シリコン、シリコンゲルマニウム、ゲルマニウム、ガリウムヒ素のいずれでも良い。例文帳に追加
A material of the semiconductor base material may be selected from silicon carbide, gallium nitride, and diamond, and a material of the hetero semiconductor region may also be selected from silicon, silicon germanium, germanium, and gallium arsenic. - 特許庁
バリア層29は、アルミニウム、ガリウム、インジウムおよびヒ素を含む第1のIII−V化合物半導体から成る。例文帳に追加
A barrier layer 29 is formed of a first group III-V compound semiconductor containing aluminum, gallium, indium, and arsenic. - 特許庁
基板は、GaN、サファイア、シリコン、シリコンカーバイド、石英、酸化亜鉛、ガラスおよびガリウムヒ素を含むグループから選択される材料からなる。例文帳に追加
The substrate is made of a material selected from a group including GaN, sapphire, silicon, silicon carbide, quartz, zinc oxide, glass, and gallium arsenide. - 特許庁
ガリウムヒ素のような非線形光学媒体の中に、直線上に入射された2つの単色波が、単色波を生成するために注入される。例文帳に追加
In a nonlinear optical medium such as the gallium arsenide, two collinear incident monochromatic waves are injected to generate a monochromatic wave. - 特許庁
化合物半導体のウエハー製造工場、デバイス製造工場等から排出されるガリウム含有廃水を処理して、特に希少かつ有価金属であるガリウムを効率的に回収することができ、同時に共存するヒ素を、鉄を含んだ凝集汚泥を発生することなく除去し得るガリウム含有廃水の処理装置を提供する。例文帳に追加
To provide equipment for the treatment of waste water containing gallium which treats waste water containing gallium discharged from manufacturing factories of compound semiconductor wafers, manufacturing factories of devices or the like and with which gallium being a rate and valuable metal can be efficiently collected and, coexistent arsenic can be removed without producing aggregated sludge containing iron. - 特許庁
化合物半導体のウエハー製造工場、デバイス製造工場等から排出されるガリウム含有廃水を処理して、特に希少かつ有価金属であるガリウムを余すことなく効率的に回収することができ、同時に共存するヒ素を、鉄を含んだ凝集汚泥を発生することなく除去し得るガリウム含有廃水の処理装置を提供する。例文帳に追加
To provide equipment for the treatment of waste water containing gallium which treats waste water containing gallium discharged from manufacturing factories of compounds semiconductor wafers, manufacturing factories of devices or the like and with which gallium being a rare and valuable metal can be efficiently and completely collected and at the same time, coexistent arsenic can be removed without producing aggregated sludge containing iron. - 特許庁
化合物半導体のウエハー製造工場、デバイス製造工場等から排出されるガリウム含有廃水を処理して、特に希少かつ有価金属であるガリウムを水酸化物として高濃縮された状態で余すことなく効率的に回収することができ、同時に共存するヒ素を、鉄を含んだ凝集汚泥を発生することなく除去し得るガリウム含有廃水の処理装置を提供する。例文帳に追加
To provide equipment for the treatment of waste water containing gallium which treats waste water containing gallium discharged from manufacturing factories of compound semiconductor wafers, manufacturing factories of devices or the like and with which gallium being a rare and valuable metal can be efficiently and completely collected as hydroxides in a highly concentrated state and at the same time, coexistent arsenic can be removed without producing aggregated sludge containing iron. - 特許庁
ガリウム元素、インジウム元素、ヒ素元素および窒素元素を含むIII−V化合物半導体から成る半導体層15をGaAs基板11上に形成する。例文帳に追加
A semiconductor layer 15 consisting of the group III-V compound semiconductor containing a gallium element, indium element, arsenic element and nitrogen element is formed on a GaAs substrate 11. - 特許庁
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