ヒ化ガリウムの英語

半導体基体の材料は、炭化珪素、窒化ガリウム、ダイヤモンドのいずれでも良いし、ヘテロ半導体領域の材料は、シリコン、シリコンゲルマニウム、ゲルマニウム、ガリウムヒ素のいずれでも良い。例文帳に追加

A material of the semiconductor base material may be selected from silicon carbide, gallium nitride, and diamond, and a material of the hetero semiconductor region may also be selected from silicon, silicon germanium, germanium, and gallium arsenic. - 特許庁

ヒ化ガリウム半導体基板と、該ヒ化ガリウム半導体基板上に分布してショットキー・コンタクトを形成するチタン金属層と、該チタン金属層上に分布して金属層の拡散を防ぐ拡散バリア層と、該拡散バリア層上に分布してショットキー構造を形成する第１銅金属層とによりヒ化ガリウム半導体上に形成されるショットキー構造を構成する。例文帳に追加

The Schottky structure to be formed on the gallium arsenide semiconductor is formed of the gallium arsenide semiconductor substrate, a titanium metal layer to form distributed Schottky contacts on the gallium arsenide semiconductor substrate, a diffused barrier layer to prevent diffusion of metal layer through distribution on the titanium metal layer, and cuprous metal layer distributed on the diffused barrier layer to form the Schottky structure. - 特許庁

化合物半導体のウエハー製造工場、デバイス製造工場等から排出されるガリウム及びヒ素を含有する廃水を処理して、特に希少かつ有価金属であるガリウムを効率的に回収するとともに、ヒ素の凝集沈殿汚泥が発生しないガリウム及びヒ素を含有する廃水の処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a treatment apparatus for wastewater containing gallium and arsenic for treating wastewater containing gallium and arsenic discharged from a compound semiconductor wafer manufacturing factory, a device manufacturing factory or the like not only to efficiently recover gallium being an especially scarce and valuable metal but also to prevent flocculated sedimented sludge of arsenic. - 特許庁

化合物半導体のウエハー製造工場、デバイス製造工場等から排出されるガリウム−ヒ素含有廃水を処理して、特に希少かつ有価金属であるガリウムを効率的に回収することができ、同時に共存するヒ素を、鉄を含んだ凝集汚泥を発生することなく除去し得るガリウム−ヒ素含有廃水の処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide equipment for the treatment of waste water containing gallium-arsenic which treats waste water containing gallium-arsenic discharged from manufacturing factories of compound semiconductor wafers, manufacturing factories of devices or the like and with which gallium being a rate and valuable metal can be efficiently and completely collected and at the same time, coexistent arsenic can be removed without producing aggregated sludge containing iron. - 特許庁

メタモーフィック・バッファ層構造を備えたガリウムヒ化物ウェーハによる長波長レーザダイオード例文帳に追加

LONG-WAVELENGTH LASER DIODE BASED ON GALLIUM ARSENIDE WAFER EQUIPPED WITH METAMORPHIC BUFFER LAYER STRUCTURE - 特許庁

バリア層２９は、アルミニウム、ガリウム、インジウムおよびヒ素を含む第１のIII−Ｖ化合物半導体から成る。例文帳に追加

A barrier layer 29 is formed of a first group III-V compound semiconductor containing aluminum, gallium, indium, and arsenic. - 特許庁

光電子半導体装置９０は、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）で作られ、一種類のドーピングのみを有する吸収層１０８を有している。例文帳に追加

An optoelectronic semiconductor device 90 has an absorbing layer 108 made of gallium arsenide (GaAs) and having only one kind of doping. - 特許庁

基板は、GaN、サファイア、シリコン、シリコンカーバイド、石英、酸化亜鉛、ガラスおよびガリウムヒ素を含むグループから選択される材料からなる。例文帳に追加

The substrate is made of a material selected from a group including GaN, sapphire, silicon, silicon carbide, quartz, zinc oxide, glass, and gallium arsenide. - 特許庁