ヒ化ガリウムの英語

ヒ化ガリウム半導体基板と、該ヒ化ガリウム半導体基板上に分布してショットキー・コンタクトを形成するチタン金属層と、該チタン金属層上に分布して金属層の拡散を防ぐ拡散バリア層と、該拡散バリア層上に分布してショットキー構造を形成する第１銅金属層とによりヒ化ガリウム半導体上に形成されるショットキー構造を構成する。例文帳に追加

The Schottky structure to be formed on the gallium arsenide semiconductor is formed of the gallium arsenide semiconductor substrate, a titanium metal layer to form distributed Schottky contacts on the gallium arsenide semiconductor substrate, a diffused barrier layer to prevent diffusion of metal layer through distribution on the titanium metal layer, and cuprous metal layer distributed on the diffused barrier layer to form the Schottky structure. - 特許庁

化合物半導体のウエハー製造工場、デバイス製造工場等から排出されるガリウム−ヒ素含有廃水を処理して、特に希少かつ有価金属であるガリウムを効率的に回収することができ、同時に共存するヒ素を、鉄を含んだ凝集汚泥を発生することなく除去し得るガリウム−ヒ素含有廃水の処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide equipment for the treatment of waste water containing gallium-arsenic which treats waste water containing gallium-arsenic discharged from manufacturing factories of compound semiconductor wafers, manufacturing factories of devices or the like and with which gallium being a rate and valuable metal can be efficiently and completely collected and at the same time, coexistent arsenic can be removed without producing aggregated sludge containing iron. - 特許庁

光電子半導体装置９０は、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）で作られ、一種類のドーピングのみを有する吸収層１０８を有している。例文帳に追加

An optoelectronic semiconductor device 90 has an absorbing layer 108 made of gallium arsenide (GaAs) and having only one kind of doping. - 特許庁

ガリウム元素、インジウム元素、ヒ素元素および窒素元素を含むIII−Ｖ化合物半導体から成る半導体層１５をＧａＡｓ基板１１上に形成する。例文帳に追加

A semiconductor layer 15 consisting of the group III-V compound semiconductor containing a gallium element, indium element, arsenic element and nitrogen element is formed on a GaAs substrate 11. - 特許庁

ガリウム元素、インジウム元素、ヒ素元素および窒素元素を含んでおり良好な光学特性を示すIII−Ｖ化合物半導体の半導体層を形成する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a semiconductor layer of group III-V compound semiconductor which contains a gallium element, indium element, arsenic element and nitrogen element, and shows a good optical property. - 特許庁

ヒ化ガリウム、リン化ガリウム、又はアンチモン化ガリウムと、マンガンとを混合して第１の焼成を行い、第１の焼成物を作製し、母体材料と、発光中心材料を構成する元素又はその元素を含む化合物とを混合して第２の焼成を行い、第２の焼成物を作製し、第２の焼成物に、第１の焼成物を混合して、第３の焼成を行うことにより発光材料を作製する。例文帳に追加

The light-emitting material is produced by mixing gallium arsenide, gallium phosphide or gallium antimonide with manganese and performing a first baking to prepare a first baked product, mixing a base material with an element constituting a luminescent center material or a compound containing the element and performing a second baking to prepare a second baked product, subsequently mixing the first baked product with the second baked product and performing a third baking. - 特許庁

化合物半導体のウエハー製造工場、デバイス製造工場等から排出されるガリウム含有廃水を処理して、特に希少かつ有価金属であるガリウムを効率的に回収することができ、同時に共存するヒ素を、鉄を含んだ凝集汚泥を発生することなく除去し得るガリウム含有廃水の処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide equipment for the treatment of waste water containing gallium which treats waste water containing gallium discharged from manufacturing factories of compound semiconductor wafers, manufacturing factories of devices or the like and with which gallium being a rate and valuable metal can be efficiently collected and, coexistent arsenic can be removed without producing aggregated sludge containing iron. - 特許庁

化合物半導体のウエハー製造工場、デバイス製造工場等から排出されるガリウム含有廃水を処理して、特に希少かつ有価金属であるガリウムを余すことなく効率的に回収することができ、同時に共存するヒ素を、鉄を含んだ凝集汚泥を発生することなく除去し得るガリウム含有廃水の処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide equipment for the treatment of waste water containing gallium which treats waste water containing gallium discharged from manufacturing factories of compounds semiconductor wafers, manufacturing factories of devices or the like and with which gallium being a rare and valuable metal can be efficiently and completely collected and at the same time, coexistent arsenic can be removed without producing aggregated sludge containing iron. - 特許庁