チョクラルスキー法の英語

前記単結晶はチョクラルスキー法やブリッジマン法により成長される。例文帳に追加

The single crystal is grown by the Czochralski method or the Bridgman method. - 特許庁

チョクラルスキー法による無転位単結晶シリコンの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a dislocation-free single-crystal silicon by the Czochralski method. - 特許庁

単結晶の製造装置１０は、チョクラルスキー法による単結晶の製造装置である。例文帳に追加

The apparatus 10 for producing the single crystal is the single crystal producing apparatus by Czochralski method. - 特許庁

チョクラルスキーシリコン結晶成長法において、装入物補充ロッドを効率的に利用する。例文帳に追加

To effectively utilize a charge replenishment rod in a Czochralski silicon crystal growing process. - 特許庁

液体封止チョクラルスキー法を用いて、高品質な単結晶を容易に得る。例文帳に追加

To easily produce a high quality single crystal by using a liquid sealed Czochralski method. - 特許庁

チョクラルスキー結晶成長装置およびこれを利用した塩廃棄物の精製方法例文帳に追加

CZOCHRALSKI APPARATUS FOR GROWING CRYSTAL AND PURIFICATION METHOD OF WASTE SALT USING THE SAME - 特許庁

チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の高速育成を可能にする。例文帳に追加

To enable the high-speed growth of a silicon single crystal by Czochralski method and also to improve its yield in the high-speed growth thereof. - 特許庁

チョクラルスキー法による単結晶シリコンの引上げ条件の設定方法及び該引上げ条件の設定方法を備えるチョクラルスキー法による単結晶シリコンの引上げ装置例文帳に追加

METHOD OF SETTING CONDITIONS FOR PULLING UP SILICON SINGLE CRYSTAL BY CZOCHRALSKI PROCESS, AND DEVICE FOR PULLING UP SINGLE CRYSTAL SILICON EQUIPPED WITH THE METHOD OF THE CZOCHRALSKI PROCESS - 特許庁