Czochralski processとは 意味・読み方・使い方

To provide a process for producing single crystals with the Czochralski method which produces high quality single crystals having only few crystal defects and single crystals produced by the process.例文帳に追加

結晶欠陥の少ない高品質の単結晶を作製することが可能なチョクラルスキー法による単結晶の製造方法、及びこの製造方法により作製された単結晶を提供する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SILICON WAFER INCLUDING Ar/NH3 RAPID THERMAL ANNEALING PROCESS, SILICON WAFER MANUFACTURED THEREBY, CZOCHRALSKI PULLER FOR MANUFACTURING MONOCRYSTALLINE SILICON INGOT例文帳に追加

Ａｒ／ＮＨ３急速熱的アニーリング工程を含むシリコンウェーハの製造方法、これにより製造されたシリコンウェーハ及び単結晶シリコンインゴットの製造のためのチョクラルスキープーラ - 特許庁

To provide a method for improving performances of a crystal growth program based on the temperature gradient at the crystal growth front (crystal-melt interface) in the Czochralski process.例文帳に追加

チョクラルスキー法において、結晶成長フロント(結晶−融液界面)での温度勾配にもとづいた結晶成長プログラムの性能改善方法を提供する。 - 特許庁

The production process of a silicon single crystal wafer comprises a first heat treatment process performing heat treatment on a silicon wafer obtained by processing a single crystal grown by Czochralski method, and a step for polishing the heat treated wafer surface until a device active layer becomes a predetermined thickness.例文帳に追加

チョクラルスキー法によって育成された単結晶から加工されたシリコンウェーハに熱処理を施す第１熱処理工程と、熱処理が施されたウェーハ表面を、所定厚さのデバイス活性層を残すように研磨する工程とを有する。 - 特許庁

The single crystal silicon having low resistivity is produced by the Czochralski process, by controlling a height of a solid liquid interface when the single crystal silicon is pulled up.例文帳に追加

チョクラルスキー法により単結晶シリコンを製造するに当たり、単結晶シリコンを引き上げ時における固液界面の高さを制御することによって、低抵抗率の単結晶シリコンを製造する。 - 特許庁

To form crystal in defect-free area in good yield by changing pulling velocity V and temperature gradient G of a single crystal grown by the Czochralski process according to dopant concentration and keeping V/G value in crystal interface within a prescribed range in the radial direction of the crystal.例文帳に追加

ＣＺ法によるシリコン単結晶の育成において、結晶中のドーパント濃度が変化した場合でも、無欠陥領域の結晶を、歩留良く製造する方法を提供する。 - 特許庁

pulling speed according to the Czochralski process.例文帳に追加

そして、回転速度を好ましくは１０〜３０ｒｐｍにし、引き上げ速度を０．０５〜０．３ｍｍ／時間に設定したチョクラルスキー法によって、Ａｌ_2 （ＷＯ_4 ）_3 −Ｓｃ_2（ＷＯ_4 ）_3 なる組成を有する単結晶固溶体を製造する。 - 特許庁

To provide a silicon single crystal production process which enables production of a silicon single crystal bar having high uniformity in interstitial oxygen concentration in the direction of the growth axis of the single crystal, in a high yield and with high productivity, in a transverse magnetic field-applied CZ(Czochralski) method, and also to provide a device for the production process.例文帳に追加

横磁場を印加するＣＺ法において、単結晶の成長軸方向の格子間酸素濃度の均一性が高い単結晶棒を高生産性、高歩留りで製造できるシリコン単結晶の製造方法と製造装置を提供する。 - 特許庁