growth axisとは 意味・読み方・使い方

To provide a crystal growth method for producing a single crystal with high efficiency by suppressing growth deviation in a crystal growth process in a direction perpendicular to a crystal rotation axis.例文帳に追加

結晶成長過程における、結晶回転軸に垂直な方向の成長偏りを抑制し、高効率に単結晶を製造するための結晶成長方法を提供する。 - 特許庁

When vapor phase growth is performed using this substrate, the recess-projection shape suppresses growth in the lateral direction and promotes growth in the C axis direction, thereby affording a base surface capable of forming a facet plane.例文帳に追加

この基板を用いて気相成長した場合、凹凸形状が、横方向成長を抑え、Ｃ軸方向の成長を促進する働きとなり、ファセット面形成に可能な素地面となる。 - 特許庁

The direction of the c-axis is the film thickness direction of each layer, and the direction of the a-axis is the in-plane direction (the direction perpendicular to the film thickness direction) of a growth layer.例文帳に追加

そのｃ軸方向が膜厚方向であり、ａ軸は成長層の面内方向（膜厚方向と垂直な方向）となる。 - 特許庁

A part of the monocrystals (crystal gains 110, 110) adjacent to each other in the crystal growth direction is formed by epitaxial growth such that the a-axis and the c-axis agree, straddling an interlayer portion.例文帳に追加

結晶成長方向に隣接する単結晶同士（結晶粒１１０、１１０）の一部は、層間を跨いでａ軸が一致しｃ軸が一致するようにエピタキシャル成長されて形成されている。 - 特許庁

To evaluate a hair growth drug by efficiently, accurately, and sensitively measuring the minor axis and the major axis of hair, and using the variation of approximate cross sections calculated from the minor axis and the major axis as an index.例文帳に追加

毛髪の短径と長径を効率的に高精度、高感度に測定し、得られた短径と長径から算出される近似断面積の変化を指標として育毛薬剤の評価を行うようにせんとするものである。 - 特許庁

When growth is harder in the direction of the X-axis than in the direction of the Y-axis, dx and dy are so set as to satisfy the relation dx>dy.例文帳に追加

Ｘ軸方向の成長の方がＹ軸方向の成長よりも困難な場合は、（ａ）に示すように、ｄｘ＞ｄｙとしておく。 - 特許庁

A seed crystal film 6 comprising a nonpolar group-III nitride and having a crystal orientation of axis a, axis c, and axis m is formed by a vapor phase growth method in a manner capable of covering the mask.例文帳に追加

非極性面ＩＩＩ族窒化物からなり、ａ軸、ｃ軸およびｍ軸の結晶方位を有する種結晶膜６をマスクを被覆するように気相成長法によって形成する。 - 特許庁

When vapor growth is performed by using the substrate 1, the rugged surface becomes a basic material surface capable of forming a facet surface by suppressing the growth in the lateral direction and accelerating the growth in the C-axis direction.例文帳に追加

この基板を用いて気相成長した場合、凹凸形状が、横方向成長を抑え、Ｃ軸方向の成長を促進する働きとなり、ファセット面形成に可能な素地面となる。 - 特許庁