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Czochralski growth processとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 チョクラルスキ成長プロセス
「Czochralski growth process」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 8件
The crucible demonstrates reduced bubble growth during a Czochralski process.例文帳に追加
るつぼは、チョクラルスキー工程の間、減少した気泡成長を示す。 - 特許庁
To provide a method for improving performances of a crystal growth program based on the temperature gradient at the crystal growth front (crystal-melt interface) in the Czochralski process.例文帳に追加
チョクラルスキー法において、結晶成長フロント(結晶−融液界面)での温度勾配にもとづいた結晶成長プログラムの性能改善方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for correcting speed deviations between an actual pull speed and a nominal pull speed during crystal growth in the production of a single crystal silicon by Czochralski process, and to provide a mechanism of pulling a crystal for the method.例文帳に追加
チョクラルスキー法による単結晶シリコンの製造において、育成中の実際の引き上げ速度と名目の引き上げ速度との間の速度偏差を補正する方法およびそのための結晶引き上げ機構を提供する。 - 特許庁
In the LEC (liquid encapsulated Czochralski) growth process of the GaAs single crystal, the crystal and a crucible for a raw material are rotated in opposite directions with a relative rotating speed n (rpm) of the crystal and the crucible set within the range of 10≤n≤30.例文帳に追加
LEC法によるGaAs単結晶の成長方法において、結晶と原料用ルツボを互いに逆方向に回転させ、その結晶と原料用ルツボとの相対回転数n(rpm )を10≦n≦30の範囲に設定する。 - 特許庁
To provide a silicon single crystal production process which enables growth of a silicon single crystal bar having high uniformity in interstitial oxygen concentration in the growth direction of the single crystal being grown, in a high yield and with high productivity, in a transverse magnetic field-applied CZ(Czochralski) method.例文帳に追加
横磁場を印加するCZ法において、成長単結晶の成長方向の格子間酸素濃度の均一性が高いシリコン単結晶棒を高生産性、高歩留りで育成できるシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a silicon single crystal production process which enables production of a silicon single crystal bar having high uniformity in interstitial oxygen concentration in the direction of the growth axis of the single crystal, in a high yield and with high productivity, in a transverse magnetic field-applied CZ(Czochralski) method, and also to provide a device for the production process.例文帳に追加
横磁場を印加するCZ法において、単結晶の成長軸方向の格子間酸素濃度の均一性が高い単結晶棒を高生産性、高歩留りで製造できるシリコン単結晶の製造方法と製造装置を提供する。 - 特許庁
The method for manufacturing a silicon single crystal includes a process of forming an ingot by a Czochralski method (CZ method), in which a melt 12 of phosphorus-doped polycrystalline silicon is used as a raw material, and the crystal growth rate V is increased as pulling of the ingot 1 advances.例文帳に追加
チョクラルスキー法(CZ法)により、リンを添加した多結晶シリコンの融液12を原料として、インゴット1の引き上げが進むことに応じて結晶成長速度Vを増加させてインゴットを形成する工程を備える。 - 特許庁
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「Czochralski growth process」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 8件
To provide a silicon single crystal pulling-up apparatus capable of producing a silicon single crystal ingot having a prescribed shape and no defect by suppressing the occurrence of a flushed burr in a growth process for the crown part of single crystal ingot which is the most important step in the pulling-up process for silicon single crystal by a Czochralski method.例文帳に追加
本発明は、チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の引上げ過程で最も重要とされる単結晶インゴットのクラウン部成長工程においてフラッシュアウトの発生を抑制し、所望形状で欠陥のないシリコン単結晶インゴットを製造することができるシリコン単結晶引上装置を提供する。 - 特許庁
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