「チョクラルスキー法」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

チョクラルスキー法育成シリコン単結晶中の窒素濃度の測定方法例文帳に追加

METHOD FOR MEASURING NITROGEN CONCENTRATION IN SILICON SINGLE CRYSTAL GROWN BY CZOCHRALSKI METHOD - 特許庁

その放射線用コリメーターは、マイクロ引き下げ法やチョクラルスキー法によって作製される。例文帳に追加

The collimator for radiation is manufactured by a micro pull-down method and a Czochralski method. - 特許庁

前記単結晶はチョクラルスキー法やブリッジマン法により成長される。例文帳に追加

The single crystal is grown by the Czochralski method or the Bridgman method. - 特許庁

チョクラルスキー法による無転位単結晶シリコンの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a dislocation-free single-crystal silicon by the Czochralski method. - 特許庁

単結晶の製造装置１０は、チョクラルスキー法による単結晶の製造装置である。例文帳に追加

The apparatus 10 for producing the single crystal is the single crystal producing apparatus by Czochralski method. - 特許庁

チョクラルスキーシリコン結晶成長法において、装入物補充ロッドを効率的に利用する。例文帳に追加

To effectively utilize a charge replenishment rod in a Czochralski silicon crystal growing process. - 特許庁

液体封止チョクラルスキー法を用いて、高品質な単結晶を容易に得る。例文帳に追加

To easily produce a high quality single crystal by using a liquid sealed Czochralski method. - 特許庁

チョクラルスキー結晶成長装置およびこれを利用した塩廃棄物の精製方法例文帳に追加

CZOCHRALSKI APPARATUS FOR GROWING CRYSTAL AND PURIFICATION METHOD OF WASTE SALT USING THE SAME - 特許庁

チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の高速育成を可能にする。例文帳に追加

To enable the high-speed growth of a silicon single crystal by Czochralski method and also to improve its yield in the high-speed growth thereof. - 特許庁

チョクラルスキー法による単結晶シリコンの引上げ条件の設定方法及び該引上げ条件の設定方法を備えるチョクラルスキー法による単結晶シリコンの引上げ装置例文帳に追加

METHOD OF SETTING CONDITIONS FOR PULLING UP SILICON SINGLE CRYSTAL BY CZOCHRALSKI PROCESS, AND DEVICE FOR PULLING UP SINGLE CRYSTAL SILICON EQUIPPED WITH THE METHOD OF THE CZOCHRALSKI PROCESS - 特許庁

チョクラルスキー法によるシリコン単結晶製造工程の管理方法及びチョクラルスキー法による高抵抗シリコン単結晶の製造方法並びにシリコン単結晶例文帳に追加

CONTROL METHOD FOR MANUFACTURING PROCESS OF SILICON SINGLE CRYSTAL BY CZOCHRALSKI METHOD, MANUFACTURING METHOD FOR HIGH RESISTANCE-SILICON SINGLE CRYSTAL BY CZOCHRALSKI METHOD, AND SILICON SINGLE CRYSTAL - 特許庁

チョクラルスキー法を用いた半導体単結晶製造方法、この方法により製造された半導体単結晶インゴット及びウエハー例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL USING CZOCHRALSKI METHOD, AND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL INGOT AND WAFER PRODUCED BY THE METHOD - 特許庁

磁場を印加するチョクラルスキー法において、高品質の単結晶を生産性良く製造する方法を提供する。例文帳に追加

To manufacture a high quality single crystal with high productivity in a Czochralski method applying a magnetic field. - 特許庁

チョクラルスキー法によりルツボ１０内の融液１５から単結晶１６を引上げる単結晶の製造方法である。例文帳に追加

In the method of producing single crystals, single crystals 16 are taken-up from a melt 15 in a crucible 10 by a Czochralski method. - 特許庁

シリコンから成る単結晶をチョクラルスキー法により引き出し、処理を施して半導体ウェハを形成する。例文帳に追加

A single crystal made from silicon is formed by Czochralski method and treated to fabricate a semiconductor wafer. - 特許庁

制御された欠陥分布をもつシリコンウェーハ、その製造方法及び単結晶シリコンインゴットを製造するためのチョクラルスキープーラ例文帳に追加

SILICON WAFER HAVING CONTROLLED DEFECT DISTRIBUTION, ITS MANUFACTURING METHOD AND CZOCHRALSKI PULLER FOR MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL SILICON INGOT - 特許庁

または、封止剤であるＢ_2Ｏ_3に酸化インジウムおよび／または酸化リンを添加し、液体封止チョクラルスキー法でＩｎＰ単結晶を育成する。例文帳に追加

Or, indium oxide and/or phosphorus oxide is added to B2O3 as a sealing agent and the InP single crystal is grown by the liquid encapsulating Czochralski method. - 特許庁

シリコン粉が原料の融液から、チョクラルスキー法により多結晶シリコンインゴットを引き上げる前に融液を沸騰させる。例文帳に追加

A melt prepared from silicon powder as raw material is boiled before pulling out a polycrystalline silicon ingot from the melt by the Czochralski method. - 特許庁

前記精製原料を溶融して、再度チョクラルスキー法による引き上げを行い、高純度のシリコン単結晶を育成できる。例文帳に追加

A high purity silicon single crystal can be grown by melting the purification source material and pulling again by the Czochralski method. - 特許庁

この製造用原料１は，そのまま加熱溶融し，チョクラルスキー法などによってＧａＡｓ結晶を製造することができる。例文帳に追加

The raw material 1 for production is directly heat-melted and crystal is grown according to Czochralski method, etc., to enable production of GaAs crystal. - 特許庁

チョクラルスキー法によるシリコン単結晶製造のための黒鉛ルツボであって、使用寿命の長い黒鉛ルツボを提供する。例文帳に追加

To provide a graphite crucible which is used for producing a silicon single crystal by a Czochralski method and has long service life. - 特許庁

単結晶の製造方法であって、少なくとも、チョクラルスキー法によって引上げられた抵抗率０．１Ωｃｍ以下の単結晶インゴットで派生する不要部分を含む原料をルツボで溶融し、再度チョクラルスキー法により抵抗率０．１Ωｃｍ以下の単結晶を製造する単結晶の製造方法。例文帳に追加

The method of manufacturing the single crystal is performed at least by melting a raw material containing an unnecessary part derived from a single crystal ingot pulled by the Czochralski method and having ≤0.1 Ωcm resistivity in a crucible and manufacturing the single crystal having ≤0.1 Ωcm resistivity again by the Czochralski method. - 特許庁

チョクラルスキー法育成のシリコン単結晶中の窒素濃度の測定方法において、窒素を含有する試料と、窒素を含まないチョクラルスキー法育成のシリコン単結晶のレファレンスを用い、このレファレンスと測定対象である窒素含有試料のサーマルドナーを消去して、窒素濃度を測定する。例文帳に追加

In the method for measuring nitrogen concentration in a silicon single crystal reared by Czochralski method, a reference of the silicon single crystal not containing a nitrogen and a thermal donor of a nitrogen-containing sample of an object to be measured are erased by using the sample containing the nitrogen and the reference of the silicon single crystal, and the nitrogen concentration is measured. - 特許庁

チョクラルスキー法等の融液凝固法によりフッ化金属単結晶体を製造する方法において、真空紫外光領域での吸収の少ない単結晶体を再現性良く、容易に製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for easily producing a single crystal having low absorption in a vacuum UV region in good reproducibility in a method for producing a metal fluoride single crystal by a melt solidification method such as the Czochralski method. - 特許庁

連続チャージＣＺ法（チョクラルスキー法）を用いたシリコン単結晶の育成方法において、転位のない長尺の単結晶を育成することができる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method by which a long single crystal free of dislocations can be grown in a method for growing a silicon single crystal using a continuous charge CZ process (Czochralski process). - 特許庁

高価な窒素ドーパント用原料の使用量を十分に低減して、製造コストの抑制を実現できるチョクラルスキー法（ＣＺ法）による窒素ドープシリコン単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a nitrogen-doped silicon single crystal by Czochralski method (CZ method) capable of suppressing cost of manufacturing by sufficiently reducing the used amount of an expensive raw material for a nitrogen dopant. - 特許庁

チョクラルスキー法によりＧａ（ガリウム）がドープされたシリコン単結晶を製造する方法において、常温で固体であるＧａ化合物を添加して単結晶の成長を行うＧａドープシリコン単結晶の製造方法。例文帳に追加

In the method for producing the Ga-doped silicon single crystal by a Czochralski method, the Ga-doped silicon single crystal is produced by growing the single crystal by adding a Ga-compound being solid at the ordinary temperature. - 特許庁

結晶欠陥の少ない高品質の単結晶を作製することが可能なチョクラルスキー法による単結晶の製造方法、及びこの製造方法により作製された単結晶を提供する。例文帳に追加

To provide a process for producing single crystals with the Czochralski method which produces high quality single crystals having only few crystal defects and single crystals produced by the process. - 特許庁

チョクラルスキー法によるＣａ_3 Ｇａ_2 Ｇｅ_4 Ｏ_14結晶構造を有する酸化物単結晶の製造方法において、割れが発生しにくく、歩留まりのよい酸化物単結晶を得るための製造方法を得る。例文帳に追加

To provide a method for producing an oxide single crystal in a high yield, hardly causing a crack in a method producing an oxide single crystal having a Ca3Ga2Ge4O14 crystal structure by a Czochralski method. - 特許庁

チョクラルスキー法（ＣＺ法）によるシリコン単結晶の引上げ方法において、種結晶の縮径部にスリップが入ることを予防し得るシリコン単結晶引上げ用の種結晶を提供する。例文帳に追加

To provide a seed crystal for pulling up silicon single crystals which can prevent a slip from occurring in a diameter-reduced portion of the seed crystal in a method for pulling up silicon single crystals by Czochralski method (CZ method). - 特許庁

熱効率の高いＣＺ法（チョクラルスキー法）による単結晶引き上げ装置用炭素繊維強化炭素複合材料の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a carbon fiber-reinforced carbon composite material for a single crystal drawing-up unit by CZ method (Czochralski method) which is high in thermal efficiency. - 特許庁

チョクラルスキー法による酸化物単結晶の製造方法において、酸化物単結晶の特性の均一性及び育成の再現性が高く、かつ任意の長さの結晶育成を可能にする単結晶製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a single crystal, which is based on a Czochralski method and by which an oxide single crystal having uniform characteristics and an arbitrary length can be grown in high reproductibility. - 特許庁

チョクラルスキー法やキロポーラス法によるフッ化カルシウムなどのフッ化金属単結晶体の製造において、種結晶体表面への黒色物質の付着を効果的に抑制する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for effectively suppressing adhesion of a black substance on the surface of a seed crystal in the production of a metal fluoride single crystal such as calcium fluoride by Czochralski method or Kyropoulos method. - 特許庁

チョクラルスキー法によるフッ化金属単結晶体の製造方法において、単結晶引き上げ完了後、単結晶体とされずに坩堝内に残存した原料フッ化金属のリサイクル方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for recycling raw material metal fluoride, which is not turned into single crystal and remains in a crucible, after completion of pulling of single crystals in a method for producing a metal fluoride single crystal based on the Czochralski method. - 特許庁

単結晶引き上げ法（チョクラルスキー法）によって製造され、直径が１７ｃｍ以上のフッ化バリウムのアズグロウン単結晶体において、複屈折が十分に小さいものを製造すること。例文帳に追加

To manufacture an as-grown single crystal body of barium fluoride of ≥17 cm in diameter which is manufactured by a single crystal pulling-up method (Czochralski method) and has sufficiently small birefringence. - 特許庁

本発明は、大径で複屈折が小さな、単結晶引き上げ法（チョクラルスキー法）によって製造されたフッ化カルシウムのアズグロウン単結晶体を提供することを目的としている。例文帳に追加

To provide the as-grown single crystal of calcium fluoride having a large diameter and small birefringence manufactured by a single crystal pulling method (Czochralski method). - 特許庁

チョクラルスキー法によりシリコン単結晶インゴットを製造する場合に、ピンホールの少ないシリコン単結晶インゴットを安定して製造する方法及び製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and apparatus for manufacturing a silicon single crystal ingot, by which the silicon single crystal ingot having few pinholes can be manufactured stably when the silicon single crystal ingot is manufactured by a Czochralski method. - 特許庁

いろいろなサイズをした断片の多結晶シリコン原料から、チョクラルスキー法によって単結晶シリコンインゴットを形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a single crystal silicon ingot from varying sized pieces of polycrystalline silicon source material according to a Czochralski method. - 特許庁

横磁場型チョクラルスキー法によって、大口径品であっても、全長にわたって低酸素濃度であるシリコン単結晶を簡便に製造することができる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of easily manufacturing a silicon single crystal having low oxygen concentration over its entire length even if it is a large diameter one by transverse field type Czochralski method. - 特許庁

チョクラルスキー法による単結晶製造装置において、リチャージ管の破損を防止し、よって単結晶の生産性を向上させることを可能とするリチャージ管およびこれを用いたリチャージ方法を提供する。例文帳に追加

To provide a recharging tube improving the productivity of a single crystal by preventing breakage of the tube in production of the single crystal by the Czochralski method, and to provide a recharging method using the same. - 特許庁

チョクラルスキー法による半導体単結晶の製造において、原料供給容器内での固形原料の破砕の発生を低減させた半導体単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a semiconductor single crystal, by which crushing of a solid raw material in a raw material supply container is reduced in the production of a semiconductor single crystal by Czochralski method. - 特許庁

チョクラルスキー法において、結晶成長フロント(結晶−融液界面)での温度勾配にもとづいた結晶成長プログラムの性能改善方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for improving performances of a crystal growth program based on the temperature gradient at the crystal growth front (crystal-melt interface) in the Czochralski process. - 特許庁

チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を育成するに際して、結晶中に異常成長を生じさせずに、安定してＮ型高ドープの単結晶を製造することのできるシリコン単結晶の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for producing a silicon single crystal, by which an N-type highly doped single crystal can be stably produced without causing abnormal growth in crystal when the silicon single crystal is grown by a Czochralski method. - 特許庁

チョクラルスキー法で単結晶を製造する際に、単結晶引き上げ中に育成単結晶の成長界面以外で発生する固化が発生しにくい引き上げ条件を、効率的かつ確実に設計する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for efficiently and surely designing conditions for pulling under which the solidification arising except on the growth interface of a grown single crystal hardly occurs during pulling of the single crystal in manufacturing the single crystal by a Czochralski (Cz) method. - 特許庁

チョクラルスキー法によるフォルステライト単結晶の製造方法において、ｂ軸に対して±５°以内の方位のフォルステライト単結晶を種結晶として用いて、単結晶引上げを行う。例文帳に追加

In the method for producing the forsterite single crystal by a Czochralski method, a single crystal is pulled by using a forsterite single crystal in an orientation within ±5° with respect to b-axis as a seed crystal. - 特許庁