GaAs semiconductorとは 意味・読み方・使い方

GaAs SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＧａＡｓ半導体基板およびその製造方法 - 特許庁

InP-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE USING GaAs SUBSTRATE例文帳に追加

ＧａＡｓ基板を用いたＩｎＰ系半導体装置 - 特許庁

During the growth of the GaAs compound semiconductor crystal, Cl2H2 is given thermal energy on the grown crystal surface and is thermally decomposed.例文帳に追加

GaAsの成長中、CI_2H_2が成長結晶表面で熱エネルギを与えられて熱分解される。 - 特許庁

A compound semiconductor device 100 is equipped with an N+-GaAs drain layer 12, an N+-GaAs buffer layer 14, an N-GaAs channel layer 16, a P+-InGaP gate layer 28, an N+-InGaP source layer 30, a drain electrode 22, a gate electrode 24, and a source electrode 26.例文帳に追加

本発明において、化合物半導体素子１００が、ｎ^+GaAsドレイン層１２、ｎ^+GaAsバッファ層１４、ｎ^-GaAsチャネル層１６、ｐ^+InGaPゲート層２８、ｎ^+InGaPソース層３０、ドレイン電極２２、ゲート電極２４およびソース電極２６を備える。 - 特許庁

In the GaAs layer formation step, a GaAs layer containing GaAs is formed on the surface of a precursor 11 of the semiconductor laser device.例文帳に追加

ＧａＡｓ層形成工程では、半導体レーザ素子の前駆体１１の表面上に、ＧａＡｓを含むＧａＡｓ層を形成する。 - 特許庁

A semiconductor film 11 is formed on a GaAs substrate 10 (a semiconductor substrate).例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０（半導体基板）上に半導体膜１１を形成する。 - 特許庁

A semiconductor device having a photo-refractive effect or optical switching function comprises an AlGaAs/GaAs compound semiconductor or InGaAs/GaAs compound semiconductor.例文帳に追加

また、フォトリフラクティブ効果または光スイッチ機能を有する半導体デバイスが当該ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系化合物半導体薄膜を備える。 - 特許庁

A semiconductor substrate 10 comprises p-type GaAs, p-type semiconductor layers 30 and 34 comprise p-type GaAs, n-type semiconductor layers 32 and 36 comprise n-type GaAs, and an insulating film 14 comprises SiO2.例文帳に追加

半導体基板１０にはｐ型ＧａＡｓが、ｐ型半導体層３０，３４にはｐ型ＧａＡｓが、ｎ型半導体層３２，３６にはｎ型ＧａＡｓが、絶縁膜１４にはＳｉＯ_2 が用いられている。 - 特許庁