GaAs semiconductorとは 意味・読み方・使い方

METHOD FOR PRODUCING GaAs SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

ＧａＡｓ半導体単結晶製造方法 - 特許庁

GaAs-BASED SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

ＧａＡｓ系半導体電界効果トランジスタ - 特許庁

During the growth of the GaAs compound semiconductor crystal, Cl2H2 is given thermal energy on the grown crystal surface and is thermally decomposed.例文帳に追加

GaAsの成長中、CI_2H_2が成長結晶表面で熱エネルギを与えられて熱分解される。 - 特許庁

In the GaAs layer formation step, a GaAs layer containing GaAs is formed on the surface of a precursor 11 of the semiconductor laser device.例文帳に追加

ＧａＡｓ層形成工程では、半導体レーザ素子の前駆体１１の表面上に、ＧａＡｓを含むＧａＡｓ層を形成する。 - 特許庁

A semiconductor film 11 is formed on a GaAs substrate 10 (a semiconductor substrate).例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０（半導体基板）上に半導体膜１１を形成する。 - 特許庁

A compound semiconductor device 100 is equipped with an N+-GaAs drain layer 12, an N+-GaAs buffer layer 14, an N-GaAs channel layer 16, a P+-InGaP gate layer 28, an N+-InGaP source layer 30, a drain electrode 22, a gate electrode 24, and a source electrode 26.例文帳に追加

本発明において、化合物半導体素子１００が、ｎ^+GaAsドレイン層１２、ｎ^+GaAsバッファ層１４、ｎ^-GaAsチャネル層１６、ｐ^+InGaPゲート層２８、ｎ^+InGaPソース層３０、ドレイン電極２２、ゲート電極２４およびソース電極２６を備える。 - 特許庁

The semiconductor device is constructed in such a manner that a back metal electrode film 7a on the back of the semi-insulating GaAs substrate 1 is ohmic-joined with the semi-insulating GaAs substrate 1, and a side metal electrode film 7b on the side of a via hole 6 is ohmic-joined on the interface with the semi-insulating GaAs substrate 1.例文帳に追加

半絶縁性GaAs基板１の裏面に形成された裏面金属電極膜７ａが、半絶縁性GaAs基板１とオーミック接合し、バイアホール６の側面に形成された側面金属電極膜７ｂが、半絶縁性GaAs基板１との界面でオーミック接合した構造とする。 - 特許庁

The semiconductor laser apparatus includes first and second laser elements 170, 180 and a waveguide structure 190 on the same n-type GaAs semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体レーザ装置は、同一のｎ−GaAs半導体基板１００上に第１及び第２のレーザ素子１７０、１８０と導波構造１９０を備える。 - 特許庁