GaAs formとは 意味・読み方・使い方

In this heterojunction bipolar transistor, a GaAs sub-collector layer 2, GaAs collector layer 3, GaAs base layer 4, AlGaAs transition layer 5, AlGaAs emitter layer 6 and GaAs emitter contact layer 7 are laminated sequentially on a semi-insulating GaAs substrate 1 to respectively form a collector electrode 8, a base electrode 9 and an emitter electrode 10.例文帳に追加

半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に、ＧａＡｓサブコレクタ層２、ＧａＡｓコレクタ層３、ＧａＡｓベース層４、ＡｌＧａＡｓ遷移層５、ＡｌＧａＡｓエミッタ層６、ＧａＡｓエミッタコンタクト層７を順次積層しそれぞれコレクタ電極８ベース電極９エミッタ電極１０を形成する。 - 特許庁

Respective layers to form a top cell T are formed by epitaxial growth on a surface of a GaAs substrate 1.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１の表面に、エピタキシャル成長法によってトップセルＴとなる各層が形成される。 - 特許庁

Next, a rear side of the GaAs substrate 200 is ground, and the hole 310 for forming via hole is punctured from the front surface to the rear surface of the GaAs substrate 200 to form the via hole 220.例文帳に追加

次に、ＧａＡｓ基板２００裏面を研磨し、ＧａＡｓ基板２００の表面から裏面までアホール形成用の穴３１０を貫通させ、ビアホール２２０を形成する。 - 特許庁

The ITO electrode layers 8 and 10 are made in such form as to form cover both main surfaces 17 and 18, severally, of the luminous layer part 24 all over, together with the p-type GaAs layer 7 and the n-type GaAs layer 9.例文帳に追加

ＩＴＯ電極層８，１０は、ｐ型ＧａＡｓ層７及びｎ型ＧａＡｓ層９とともに、発光層部２４の両主表面１７，１８のそれぞれ全面を覆う形にて形成されている。 - 特許庁

A dispersion mask composed of SiNx film is formed on the n-type GaAs layer 5, and Zn is dispersed on the n-type GaAs layer 5 through the opening of the mask so as to form a p+-type gate region 6.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ層５にＳｉＮ_x 膜からなる拡散マスクを形成し、その開口部を通じてＺｎをｎ型ＧａＡｓ層５に拡散させてｐ^+ 型ゲート領域６を形成する。 - 特許庁

To form a waveguide end face under an accurate state of intersecting the axial direction of the waveguide perpendicularly in an AlGaInP or GaInP based semiconductor laser having a reverse-mesa structure on a GaAs inclination substrate.例文帳に追加

GaAs傾斜基板上に逆メサ構造を持つAlGaInPまたはGaInP系の半導体レーザにおいて、導波路軸方向に対して正確に直交した状態に導波路端面を形成する。 - 特許庁

The crucible side wall is heated by the under-crucible heater 10 via the crucible bottom wall to form a large natural convection S of a GaAs melt 6 that rises near the crucible wall and flows toward a growing GaAs single crystal 3.例文帳に追加

このルツボ下ヒータ１０によりルツボ底壁を介してルツボ側壁を加熱して、ルツボ壁の近傍から上昇して育成中のＧａＡｓ単結晶３に向かう大きなＧａＡｓ融液６の自然対流Ｓを形成する。 - 特許庁

A WSi film 71a is deposited on a GaAs substrate 70, and an Si ion is implanted using a mask 72, to form an active layer 74a.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板７０の上にＷＳｉ膜７１ａを堆積し、マスク７２を用いて、Ｓｉイオンを注入して活性層７４ａを形成する。 - 特許庁