Heterojunction-FETとは 意味・読み方・使い方

ELECTRONIC DEVICE AND HETEROJUNCTION FET例文帳に追加

電子デバイスおよびヘテロ接合ＦＥＴ - 特許庁

To provide HFET (Heterojunction-FET) having high breakdown voltage.例文帳に追加

耐圧が高いＨＦＥＴ（Ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ−ＦＥＴ）を提供する。 - 特許庁

To provide: a heterojunction field effect transistor (FET) having low resistance and capable of performing high-speed operation, without causing deterioration in withstand voltage characteristics and an increase in a gate leakage current; and a method for manufacturing the FET.例文帳に追加

耐圧特性の低下やゲートリーク電流の増加を生じることなく、低抵抗で高速動作可能なヘテロ接合電界効果型トランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a heterojunction FET having a recess gate structure that suppresses a gate leakage current and is made of a nitride semiconductor, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ゲートリーク電流を抑制する、窒化物半導体からなるリセスゲート構造のヘテロ接合ＦＥＴ及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a heterojunction field-effect transistor (FET) of a recess gate structure consisting of a nitride semiconductor to suppress increase in gate leakage current, as well as a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ゲートリーク電流の増大を抑制する、窒化物半導体からなるリセスゲート構造のヘテロ接合ＦＥＴ及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a single wall carbon nanotube heterojunction in which a single wall carbon nanotube FET (field-effect transistor) having excellent characteristics such as ON/OFF ratio or the like can be obtained, and its manufacturing method, and to provide a semiconductor device using this single wall carbon nanotube heterojunction and its manufacture method.例文帳に追加

オン／オフ比などの特性が良好な単層カーボンナノチューブＦＥＴの実現が可能となる単層カーボンナノチューブヘテロ接合およびその製造方法ならびにこの単層カーボンナノチューブヘテロ接合を用いた半導体素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To make it possible to realize a required element characteristic by adopting a simple means even when the area size of a field effect transistor (FET) is such a small that the required element characteristic can not be realized as to an FET, using strain group heterojunction crystals formed as thickness exceeding critical film thickness by utilizing an area size effect.例文帳に追加

歪み系ヘテロ接合結晶を用いる電界効果トランジスタの製造方法に関し、面積サイズ効果を利用して臨界膜厚を越えた厚さに形成した歪み系ヘテロ接合結晶を用いた電界効果トランジスタに於いて、その面積サイズでは、必要とされる素子特性を実現できないほど小さい場合であっても、簡単な手段を採ることに依って、要求されている素子特性を実現できるようにする。 - 特許庁