InP substrateとは 意味・読み方・使い方

A p-type InP buffer layer 2 containing low concentration Zn, and an undoped InP buffer layer 3 with a carrier concentration of 3×10^17 cm^-3 or less, are stacked on a p-type InP substrate 1 containing Zn.例文帳に追加

Znを含むｐ型InP基板１の上に、低濃度のZnを含むｐ型InPバッファ層２、キャリア濃度が３×１０^１７ｃｍ^−３以下となるアンドープInPバッファ層３を積層する。 - 特許庁

An etching stop layer 9 consisting of a GaInAlAs-group crystal layer is formed on an InP substrate (semiconductor substrate).例文帳に追加

InP 基板（半導体基板）１上に、GaInAlAs系結晶層からなるエッチングストップ層９を形成する。 - 特許庁

InP-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE USING GaAs SUBSTRATE例文帳に追加

ＧａＡｓ基板を用いたＩｎＰ系半導体装置 - 特許庁

A GaAs substrate, an InP substrate, a GaN substrate, an Al_2O_3 substrate, or the like is used as the inclined substrate 11.例文帳に追加

傾斜基板１１としてはＧａＡｓ基板、ＩｎＰ基板、ＧａＮ基板、Ａｌ_2 Ｏ_3 基板などを用いる。 - 特許庁

To allow an InP substrate to be reused by forming a device layer subjected to pseudo-lattice matching or lattice matching on the InP substrate and peeling the InP substrate from the device layer.例文帳に追加

ＩｎＰ基板に擬似格子整合もしくは格子整合させたデバイス層を形成し、そのデバイス層よりＩｎＰ基板を剥離して、ＩｎＰ基板の再利用を可能とする。 - 特許庁

On this occasion, an appropriate substrate, for example, an InP is used as a substrate.例文帳に追加

なお、この際、基板として適当な基板、例えば、ＩｎＰを用いる。 - 特許庁

Making a scribe line SL as a starting point, the InP layer 24 and the InP substrate 10a are cleaved.例文帳に追加

スクライブラインＳＬを起点として、ＩｎＰ層２４、及びＩｎＰ基板１０ａを劈開する。 - 特許庁

To suppress deterioration in device characteristics due to impurities diffusion in semiconductor laser using an InP substrate.例文帳に追加

InP基板を用いた半導体レーザにおいて、不純物拡散によるデバイス特性劣化を抑制する。 - 特許庁