「InP substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The first InP layer 13 is provided on an InP substrate 21.例文帳に追加

第１のＩｎＰ層１３は、ＩｎＰ基板２１上に設けられている。 - 特許庁

OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING InP SUBSTRATE例文帳に追加

ＩｎＰ基板を有する光半導体装置 - 特許庁

A p-type InP buffer layer 2 containing low concentration Zn, and an undoped InP buffer layer 3 with a carrier concentration of 3×10^17 cm^-3 or less, are stacked on a p-type InP substrate 1 containing Zn.例文帳に追加

Znを含むｐ型InP基板１の上に、低濃度のZnを含むｐ型InPバッファ層２、キャリア濃度が３×１０^１７ｃｍ^−３以下となるアンドープInPバッファ層３を積層する。 - 特許庁

An etching stop layer 9 consisting of a GaInAlAs-group crystal layer is formed on an InP substrate (semiconductor substrate).例文帳に追加

InP 基板（半導体基板）１上に、GaInAlAs系結晶層からなるエッチングストップ層９を形成する。 - 特許庁

InP-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE USING GaAs SUBSTRATE例文帳に追加

ＧａＡｓ基板を用いたＩｎＰ系半導体装置 - 特許庁

A GaAs substrate, an InP substrate, a GaN substrate, an Al_2O_3 substrate, or the like is used as the inclined substrate 11.例文帳に追加

傾斜基板１１としてはＧａＡｓ基板、ＩｎＰ基板、ＧａＮ基板、Ａｌ_2 Ｏ_3 基板などを用いる。 - 特許庁

To allow an InP substrate to be reused by forming a device layer subjected to pseudo-lattice matching or lattice matching on the InP substrate and peeling the InP substrate from the device layer.例文帳に追加

ＩｎＰ基板に擬似格子整合もしくは格子整合させたデバイス層を形成し、そのデバイス層よりＩｎＰ基板を剥離して、ＩｎＰ基板の再利用を可能とする。 - 特許庁

On this occasion, an appropriate substrate, for example, an InP is used as a substrate.例文帳に追加

なお、この際、基板として適当な基板、例えば、ＩｎＰを用いる。 - 特許庁

Making a scribe line SL as a starting point, the InP layer 24 and the InP substrate 10a are cleaved.例文帳に追加

スクライブラインＳＬを起点として、ＩｎＰ層２４、及びＩｎＰ基板１０ａを劈開する。 - 特許庁

To suppress deterioration in device characteristics due to impurities diffusion in semiconductor laser using an InP substrate.例文帳に追加

InP基板を用いた半導体レーザにおいて、不純物拡散によるデバイス特性劣化を抑制する。 - 特許庁

In the process (3), the active layer or the like is formed on an InP substrate.例文帳に追加

（３）ＩｎＰ基板上に活性層等を形成する。 - 特許庁

In the process (4), the active layer on the InP substrate is subjected to mesa etching.例文帳に追加

（４）ＩｎＰ基板上の活性層をメサエッチングする。 - 特許庁

The second InP layer 15 shows a first conductivity type and is provided between the InP substrate 21 and the first InP layer 13.例文帳に追加

第２のＩｎＰ層１５は、第１導電型を示しており、ＩｎＰ基板２１と第１のＩｎＰ層１３との間に設けられている。 - 特許庁

The n-type InP distortion relaxing layer 14 is formed of the same material as that of the n-type InP substrate 10.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ歪緩和層１４は、ｎ型ＩｎＰ基板１０と同じ材料で構成されている。 - 特許庁

A mask material layer 142 is formed on an InP cladding layer 141 on an InP substrate 140.例文帳に追加

ＩｎＰ基板１４０上のＩｎＰクラッド層１４１の表面にマスク材料１４２を形成する。 - 特許庁

An n-InP buffer layer 2, a GRIN-SCH-MQW active layer 3 and a p-InP spacer layer 4 are laminated on the surface of an n-InP substrate 1.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板１上にｎ−ＩｎＰバッファ層２、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３、ｐ−ＩｎＰスペーサ層４が積層される。 - 特許庁

On a p-type InP substrate, a p-type InP clad layer, an InGaAsP strained quantum well active layer, and an n-type InP clad layer are laminated in order.例文帳に追加

ｐ型ＩｎＰ基板上に、ｐ型ＩｎＰクラッド層、ＩｎＧａＡｓＰ歪量子井戸活性層、ｎ型ＩｎＰクラッド層が順次積層されている。 - 特許庁

First, an active layer 3 is formed on an n-type InP substrate 1.例文帳に追加

まず、ｎ型ＩｎＰ基板１上に、活性層３を形成する。 - 特許庁

A substrate produced by sequentially growing an undoped InGaAs layer, an n-type InP layer on an n-type InP substrate by MOVPE is employed.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板上に、順次、アンドープＩｎＧａＡｓ層，ｎ型ＩｎＰ層をＭＯＶＰＥ法により成長した基板を用いた。 - 特許庁

The active region 17 is formed on the InP substrate 21.例文帳に追加

活性領域１７は、ＩｎＰ基板２１上に設けられている。 - 特許庁

The mentioned structure can suppress diffusion of Zn from the p-type InP substrate 1 to the InGaAsP MQW active layer 6.例文帳に追加

上記構造とすることにより、ｐ型InP基板１からInGaAsP MQW活性層６へのZnの拡散を抑制することができる。 - 特許庁

Using the mask 20a, an InP layer 24 is formed on the InP substrate 10a so as to embed the semiconductor mesa 22.例文帳に追加

マスク２０ａを用いて、半導体メサ２２を埋め込むように、ＩｎＰ基板１０ａ上にＩｎＰ層２４を形成する。 - 特許庁

A ridge type InP semiconductor laser element 12 is formed on an n-type InP substrate 1.例文帳に追加

本半導体レーザ素子１２は、ｎ−ＩｎＰ基板１上に形成されたＩｎＰ系リッジ型半導体レーザ素子である。 - 特許庁

In the photodetector, an n-InP layer 34, an i-InGaAs layer 36, and a p-InP layer 38 are continuously formed on an n-InP substrate 32 by the MOCVD method, etc.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板３２上に、ＭＯＣＶＤ法等によりｎ−ＩｎＰ層３４，ｉ−ＩｎＧａＡｓ層３６，ｐ−ＩｎＰ層３８を連続成長する。 - 特許庁

To provide a method of producing an InP single crystal substrate by which the InP single crystal substrate completely free from dish-draped corrosion holes can be produced without lowering productivity of the InP single crystal.例文帳に追加

ＩｎＰ単結晶の生産性を低下させることなく、皿状腐食孔を完全に無くしたＩｎＰ単結晶基板を製造することができるＩｎＰ単結晶基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

By forming an InP metamorphic buffer layer 2 having a thickness of 4 μm or above and a surface defect density of 10^8/cm^2 or less on the GaAs substrate 1, the InP-based semiconductor element 11 having a superior property and a high reliability can be formed on the GaAs substrate.例文帳に追加

GaAs基板１上にInPメタモルフィックバッファ層２を、厚さ４μｍ以上として、その表面の欠陥密度を１０^８／ｃｍ^２以下にすることによって、GaAs基板上に、すぐれた特性と信頼性を有する、InP系半導体素子１１を構成する - 特許庁

The second surface of the n-type InP substrate 32 is a light-receiving surface of incident light.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板３２の裏面が入射光の受光面である。 - 特許庁

A common cathode electrode is provided on the rear surface of the n-type InP substrate.例文帳に追加

一方、ｎ型ＩｎＰ基板の裏面には、コモンのカソード電極を設けた。 - 特許庁

In a semiconductor device, an N-InP buffer layer 2 0.5 to 2 μm in thickness is grown on an N-InP substrate 1 through a MOVPE method.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板１上に，ｎ−ＩｎＰバッファ層２（厚さ０．５〜２μｍ）をＭＯＶＰＥ法によって成長させる。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device of the present invention comprises an n-type InP substrate 1, an n-type InP lower cladding layer 3 formed in stripe shape on the n-type InP substrate 1, an activity layer 4 having a resonator resonating in parallel direction against the above-mentioned n-type InP substrate 1, and a stripe structure 10 including the n-type InP upper cladding layer 5.例文帳に追加

本発明の半導体発光素子は、ｎ型ＩｎＰ基板１と、このｎ型ＩｎＰ基板１上にストライプ状に形成された、ｎ型ＩｎＰ下部クラッド層３、前記ｎ型ＩｎＰ基板１に対して平行な方向の共振器を有している活性層４、およびｐ型ＩｎＰ上部クラッド層５を含むストライプ構造１０とを備えている。 - 特許庁

To provide a dry etching method for etching an InP substrate by means of dry etching at a low temperature and a high speed.例文帳に追加

低温でＩｎＰ基板をドライエッチング法により高速でエッチングする。 - 特許庁

An n-type InP substrate 32 has a first surface and a second surface facing each other.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板３２は、互いに対向する表面と裏面を有する。 - 特許庁

The absorption layer 13 has a smaller band gap than the n-type InP substrate 11.例文帳に追加

吸収層１３は、ｎ型ＩｎＰ基板１１よりもバンドギャップが小さい。 - 特許庁

An avalanche multiplication layer 3, a p-type InP electric field relaxation layer 4, a light absorption layer 5 and an undoped InP window layer 6 are laminated on the principal plane of an n-type InP substrate 1 in that order.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１の主面上に、アバランシェ増倍層３、ｐ型ＩｎＰ電界緩和層４、光吸収層５、及びアンドープＩｎＰ窓層６が順に積層されている。 - 特許庁

A semiconductor crystal comprising an n-type InP buffer layer 2, an undoped GaInAs light-absorbing layer 3, an undoped InP diffusion buffer layer 4 and a p-type InP window layer 5 is successively grown on an n-type InP substrate 1.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１上に、ｎ型ＩｎＰバッファ層２、アンドープＧａＩｎＡｓ光吸収層３、アンドープＩｎＰ拡散バッファ層４、およびｐ型ＩｎＰ窓層５からなる半導体結晶を順に成長させた。 - 特許庁

The variable wavelength element section has an n-InP lower clad layer 18, a variable wavelength layer 20, an i-InP layer 22, an active layer 24, a p-InP spacer layer 26, a p-diffraction grating 28, and a p-InP buried layer 30 on the substrate.例文帳に追加

波長可変素子部は、基板上に、ｎ−ＩｎＰ下部クラッド層１８、波長可変層２０、ｉ−ＩｎＰ層２２、活性層２４、ｐ−ＩｎＰスペーサ層２６、ｐ−回折格子２８、及びｐ−ＩｎＰ埋め込み層３０を備える。 - 特許庁

A laminate structure of InP buffer layer 14, an active layer 16, a InP spacer layer 18 in the thickness of 200 nm, a GaInAs diffraction grating 20, and a InP clad layer 22 embedding the diffraction grating is provided on a InP substrate 12.例文帳に追加

ＩｎＰ基板１２上に、ＩｎＰバッファ層１４、活性層１６、膜厚２００ｎｍのＩｎＰスペーサ層１８、のＧａＩｎＡｓ回折格子２０、及び回折格子を埋め込んだＩｎＰクラッド層２２の積層構造を備える。 - 特許庁

A semiconductor laser section I, an optical modulator section II, and an isolation section III that separates the semiconductor laser section I from the optical modular section II are provided on a p-type InP substrate 2.例文帳に追加

ｐ型InP基板２の上に、半導体レーザ部I、光変調器部II、およびこれらを分離するアイソレーション部IIIが設けられている。 - 特許庁

A p-side electrode 36 is provided on the p-InP cap layer and an n side electrode 38 is provided on the back surface of the n-InP substrate.例文帳に追加

ｐ−ＩｎＰキャップ層上にはｐ側電極３６が、ｎ−ＩｎＰ基板の裏面にはｎ側電極３８が設けてある。 - 特許庁

A semiconductor laser 1 (a first semiconductor optical device) and an optical modulator 2 (a second semiconductor optical device) are integrated on an identical n-type InP substrate 3 (InP substrate).例文帳に追加

半導体レーザ１（第１の半導体光素子）と光変調器２（第２の半導体光素子）が、同一のｎ型ＩｎＰ基板３（ＩｎＰ基板）上に集積されている。 - 特許庁

A low reflection film 46 is provided on the second surface of the n-type InP substrate 32.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板３２の裏面上に低反射膜４６が設けられている。 - 特許庁

An n-side electrode 26 is connected to the lower surface of the n-type InP substrate 10.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１０の下面にｎ側電極２６が接続されている。 - 特許庁

On the top face of the n-type InP substrate 10, an antireflection film 26 is formed.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１０の上面に反射防止膜２６が形成されている。 - 特許庁

An n-type InP clad layer 2, a GRIN-SCH-MQW active layer 3, a p-type InP spacer layer 4, a p-type InP clad layer 6 and a p-type InGaAsP contact layer 8 are sequentially laminated on an n-type InP substrate 1, and an n-type electrode 11 is disposed on the lower part of the substrate 1.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板１上に順次ｎ−ＩｎＰクラッド層２、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３、ｐ−ＩｎＰスペーサ層４、ｐ−ＩｎＰクラッド層６、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層８を積層し、ｎ−ＩｎＰ基板１の下部にはｎ型電極１１を配置する。 - 特許庁

A pin photodiode is formed by laminating an n-InP layer 22, an I-InGaAs layer 24, and an n-InP layer 26 on an n-InP substrate 20 and forming p-type diffusion areas 28 by diffusing Zn in the n-InP layer 26.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板２０上に、ｎ−ＩｎＰ層２２，ｉ−ＩｎＧａＡｓ層２４，ｎ−ＩｎＰ層２６が積層され、ｎ−ＩｎＰ層２６内にＺｎが拡散されてｐ型拡散領域２８が形成され、ｐｉｎフォトダイオードが作られている。 - 特許庁