「InP substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

In the laminated structure 30, the crystallizability of the InP layer 34 is made better than the InP layer on the conventional GaAs substrate, and a surface shape is made better than the InP layer by interposing the layer 34 having the film thickness having a ratio of 0.35 to the critical film thickness between the substrate 32 and the layer 34 as a buffer layer as the example.例文帳に追加

本化合物半導体積層構造３０は、本実施形態例では、臨界膜厚に対する比率が０．３５の膜厚を有するＧａＡｓ_０．９５Ｐ_０．０５層３４をＧａＡｓ基板３２とＩｎＰ層３４との間にバッファ層として介在させることにより、従来のＧａＡｓ基板上のＩｎＰ層に比べて、ＩｎＰ層３４の結晶性を向上させ、表面形状を良好にしている。 - 特許庁

In a manufacturing process for butt-joint-integrating the InGaAlAs-based waveguide on the InP substrate, an InGaAsP layer is formed on InP which becomes a substrate for growing the InGaAlAs-based waveguide, when a temperature is raised to the vicinity of 700°C being a growth temperature of InGaAlAs.例文帳に追加

ＩｎＰ基板上にＩｎＧａＡｌＡｓ系導波路をバットジョイント集積する製造プロセスにおいて、ＩｎＧａＡｌＡｓの成長温度である７００℃前後に昇温する際に、ＩｎＧａＡｌＡｓ系導波路を成長する下地となるＩｎＰの上にＩｎＧａＡｓＰ層が形成されている構成とする。 - 特許庁

The semiconductor laser has an InP substrate 2 and an SCH deformed MQW active layer 3 provided on the InP substrate 2, wherein an isolated groove 11 is formed by removing part of the SCH deformed MQW active layer 3 and a material 12 different from an MQW25 of the SCH deformed MQW active layer 3 is embedded in the isolated groove 11.例文帳に追加

ＩｎＰ基板２と、ＩｎＰ基板２上に設けられたＳＣＨ歪ＭＱＷ活性層３とを有し、ＳＣＨ歪ＭＱＷ活性層３の一部が除去されて分離溝１１が形成され、分離溝１１にＳＣＨ歪ＭＱＷ活性層３のＭＱＷ２５と異なる材料１２が埋め込まれた。 - 特許庁

The scattered light, generated on the rear surface of the InP substrate 1, is prevented from reaching the light receiving section adjoining that to which light is made incident by absorbing the light by inserting an InGaAs scattered light preventing layer 7 sandwiched between InP buffer layers 9 and 10 between the substrate 1 and an InGaAs light-absorbing layer 5.例文帳に追加

ＩｎＰ基板１とＩｎＧａＡｓ光吸収層５の間に、ＩｎＰバッファー層９、１０間に挟まれたＩｎＧａＡｓ散乱光防止層７を挿入し、ＩｎＰ基板の裏面で生じた散乱光を吸収させ、光が入射した受光部に隣接する受光部へ散乱光が到達しなくした。 - 特許庁

The light-receiving element includes an InAsP graded buffer layer 20 which is located on the InP substrate 1 and contains arsenic of which the composition ratio is increased step by step in the direction of going away from the InP substrate, a GaInNAs light-receiving layer 3 located on the InAsP graded buffer layer 20, and an InAsP layer located on the GaInNAs light-receiving layer 3.例文帳に追加

ＩｎＰ基板１上に位置し、該ＩｎＰ基板から遠ざかる方向に段階的に砒素の組成を増やしたＩｎＡｓＰグレーディッドバッファ層２０と、ＩｎＡｓＰグレーディッドバッファ層２０上に位置するＧａＩｎＮＡｓ受光層３と、該ＧａＩｎＮＡｓ受光層３上に位置するＩｎＡｓＰ層を備える。 - 特許庁

To provide a compound-semiconductor laminated structure having an excellent crystallizability and a superior surface shape and having an InP layer thicker than a critical film thickness on a GaAs substrate.例文帳に追加

結晶性が良好で、表面形状の良好な臨界膜厚以上のＩｎＰ層をＧａＡｓ基板上に備えた化合物半導体積層構造を提供する。 - 特許庁

A photodiode 2 composed of a cathode contact layer 5, an active layer 6, and an anode contact layer 7 is provided on a semi-insulating InP substrate 4.例文帳に追加

半絶縁性ＩｎＰ基板４上に、積層されて設けられたカソードコンタクト層５、活性層６、およびアノードコンタクト層７からなるフォトダイオード２が設けられている。 - 特許庁

To provide a light-receiving element which uses an InP substrate, expands sensitivity to a long wavelength side in a near-infrared rays range, and has a GaInNAs light-receiving layer low in dark current.例文帳に追加

ＩｎＰ基板を用い、近赤外域において長波長側に感度を拡大し、かつ暗電流の低いＧａＩｎＮＡｓ受光層を備えた受光素子を提供する。 - 特許庁

The semiconductor optical element 61 is provided with a substrate 7a, an InP semiconductor layer 1b, a first semiconductor optical element 47a and a second semiconductor optical element 47b.例文帳に追加

半導体光素子６１は、基板７ａと、ＩｎＰ半導体層１ｂと、第１の半導体光素子部４７ａと、第２の半導体光素子部４７ｂとを備える。 - 特許庁

An anode electrode 18 (first electrode) is connected with the p-type area 17, and a cathode electrode 19 (second electrode) is connected with the n-type InP substrate 11.例文帳に追加

ｐ型領域１７にアノード電極１８（第１の電極）が接続され、ｎ型ＩｎＰ基板１１にカソード電極１９（第２の電極）が接続されている。 - 特許庁

To form a heterostructure by a compound semiconductor crystal of a lattice constant closer to that of InP on a GaAs substrate while suppressing the generation of dislocation at a minimum level.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板上にＩｎＰの格子定数に近い化合物半導体結晶によるヘテロ構造を転位の発生を最小限に抑えて形成できるようにすること。 - 特許庁

A base layer 15 of the GaAsNSb is included in a semiconductor layer constituting the heterojunction bipolar transistor formed on an InP substrate 11.例文帳に追加

ＩｎＰ基板１１上に形成されたヘテロ接合バイポーラ・トランジスタを構成する半導体層中にＧａＡｓＮＳｂからなるベース層１５が含まれてなることを特徴とする。 - 特許庁

Related to an optical semiconductor transmitter/receiver element 100, a mesa-striped laminated part and an Fe-InP 70, formed on both sides of it, are formed on an n-InP substrate 50, and an AnZnNi electrode 31 and an AnGeNi electrode 32 are provided on the upper and lower surfaces of the element, respectively.例文帳に追加

光半導体送受信素子１００は、ｎ−ＩｎＰ基板５０上に、メサストライプ状の積層部とその両側に形成されたＦｅ−ＩｎＰ７０が形成されて、さらに、素子上面および下面には夫々ＡｕＺｎＮｉ電極３１、ＡｕＧｅＮｉ電極３２が設けられている。 - 特許庁

In the semiconductor laser, having an InGaAlAs active layer using an InP substrate, an n-type clad layer making direct contact with the active layer is made of InP or InGaAsP, and a p-type optical waveguide layer making direct contact with the active layer is made of an InGaAlAs or an InAlAs.例文帳に追加

ＩｎＰ基板を用いたＩｎＧａＡｌＡｓ系活性層を有する半導体レーザにおいて、活性層に直接接するｎ−クラッド層をＩｎＰまたはＩｎＧａＡｓＰとし、活性層に直接接するｐ−光ガイド層をＩｎＧａＡｌＡｓまたはＩｎＡｌＡｓとする。 - 特許庁

A semiconductor device manufacturing method comprises a step for forming a sacrificial layer 12 for achieving pseudo-lattice matching or lattice matching on an indium-phosphorus (InP) substrate 11, a step for forming a device layer 13 on the sacrificial layer 12, and a step for separating the InP substrate 11 and the device layer 13 with the sacrificial layer 12 removed.例文帳に追加

インジウムリン（ＩｎＰ）基板１１上に擬似格子整合もしくは格子整合する犠牲層１２を形成する工程と、前記犠牲層１２上にデバイス層１３を形成する工程と、前記犠牲層１２を除去することで前記ＩｎＰ基板１１と前記デバイス層１３とを分離する工程とを備えたことを特徴とする。 - 特許庁

In the quantum well structure formed by an organic metal vapor growth method on an InP substrate 13 and containing a quantum well layer 10 having a grating constant larger by 2% or more than a grating constant of the InP substrate 13, the quantum well layer 10 is formed at a growth temperature of 440 to 510°C and at a growth rate of 1.5 μm/hour or larger.例文帳に追加

ＩｎＰ基板１３上に有機金属気相成長法で形成され、該ＩｎＰ基板１３の格子定数に対して２％以上大きい格子定数を有する量子井戸層１０を含む量子井戸構造において、前記量子井戸層１０は、成長温度が４４０℃以上５１０℃以下、かつ、成長速度が１．５μｍ／時以上で形成した。 - 特許庁

The optical switch comprises an InP substrate 11, an InGaAs layer 12 that is a semiconductor layer formed on the InP substrate 11 by In_xGa_(1-x)As (0.45≤x≤1), a first electrode 13 provided on the InGaAs layer 12, and a second electrode 14 that is provided on the InGaAs layer 12 so that it opposes the first electrode 13.例文帳に追加

ＩｎＰ基板１１と、ＩｎＰ基板１１の上に、Ｉｎ_xＧａ_(1-x)Ａｓ（０．４５≦ｘ≦１）により形成された半導体の層であるＩｎＧａＡｓ層１２と、ＩｎＧａＡｓ層１２の上に設けられた第１の電極１３と、ＩｎＧａＡｓ層１２の上に、第１の電極１３と対向するように設けられた第２の電極１４とを備える。 - 特許庁

Then, the semiconductor multi-layer film is etched to the InP substrate 100 with the pattern of the SiN film as a mask, a plurality of island-shaped semiconductor multi-layer films 110 are formed, and the multi-layer films at the peripheral section of the substrate are simultaneously etched.例文帳に追加

次に、ＳｉＮ膜のパターンをマスクとして半導体多層膜をＩｎＰ基板１００までエッチングして複数の島状の半導体多層膜１１０を形成するとともに、基板の外周部の多層膜も同時にエッチングする。 - 特許庁

Since lattice matching can be attained between the GaInNAsP, GaInNAsSb or GaInNAsPSb and the InP substrate (degree of mismatch is ±0.2% or less), a graded layer for varying the lattice constant gradually is not required.例文帳に追加

ＧａＩｎＮＡｓＰ、ＧａＩｎＮＡｓＳｂ或いはＧａＩｎＮＡｓＰＳｂはＩｎＰ基板と格子整合（不整合度±０．２％以下）するので格子定数を徐々に変化させるグレーディッド層が不要である。 - 特許庁

This device 39 is equipped with a laser device 40 and a photodetector 41 which are monolithically formed on a common InP substrate 21, where the laser device 40 and the photodetector 41 are electrically isolated from each other by an isolation groove 42.例文帳に追加

本装置３９は、共通のＩｎＰ基板２１上にモノリシックに設けられたレーザ素子４０と受光素子４１とを備え、分離溝４２により電気的に分離されている。 - 特許庁

To provide a method for reducing the crack or chip of a wafer at the time of making a semiconductor layer epitaxially grow on an InP substrate, and for manufacturing PD with a yield.例文帳に追加

ＩｎＰ基板上に半導体層をエピタキシャル成長させる際のウェハの割れや欠けを低減し、ＰＤを歩留まりよく製造できる方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

First, a semiconductor layer (a first semiconductor layer) 102 including carbon (C)-added GaAsSb is formed on a substrate 101 including ferrite (Fe)-added semi-insulated InP.例文帳に追加

まず、Ｆｅが添加された半絶縁性のＩｎＰからなる基板１０１の上に、炭素（Ｃ）を添加したＧａＡｓＳｂからなる半導体層（第１半導体層）１０２を形成する。 - 特許庁

An N+-distortion relaxation buffer layer 2, an N--InGaAs light absorbing layer 3, an N-InAsP window layer 4, and an N--InAsP window layer 5 are successively formed on an InP substrate 1 in this sequence for the formation of a photodiode.例文帳に追加

フォトダイオードは、ＩnＰ基板１上に、ｎ^+−歪緩和バッファ層２、ｎ^-−ＩnＧaＡs光吸収層３、ｎ−ＩnＡsＰ窓層４、及び、ｎ^-−ＩnＡsＰ窓層５がこの順に形成される。 - 特許庁

An n-type light absorption recombination layer 12, an n-type multilayer reflection film 14, a light absorption layer 16, and a window layer 18 are sequentially stacked on an n-type InP substrate 10.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１０上に、ｎ型の光吸収再結合層１２、ｎ型の多層反射膜１４、光吸収層１６、及び窓層１８が順に積載されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor light element on an InP (indium phosphide) substrate having an active layer constituted of an Al series material reduced in oxidization of an Al containing layer while improving heat dissipating property.例文帳に追加

放熱性を改善しつつＡｌ含有層の酸化が低減された、Ａｌ系材料で構成された活性層を有するＩｎＰ基板上の半導体光素子を提供すること。 - 特許庁

Also, the substrate is configured of not only GaAs but also at least one type of aluminum arsenide (AlAs), indium phosphide (InP), gallium antimonide (GaP) and antimonide (GaSb).例文帳に追加

なお、基板は、ＧａＡｓの他に、砒化アルミニウム（ＡｌＡｓ）、燐化インジウム（ＩｎＰ）、燐化ガリウム（ＧａＰ）およびアンチモン化ガリウム（ＧａＳｂ）のうちの少なくとも１種を含む混晶により構成する。 - 特許庁

This InP single crystal substrate is specified to have 1×1017 atoms/cm3 to 1×1018 atoms/cm3 oxygen atom concentration, <100> direction of the crystal plane and within ±0.03° off-angle degree.例文帳に追加

ＩｎＰ単結晶基板中の酸素原子濃度を、１×１０^17原子／ｃｍ^3〜１×１０^18原子／ｃｍ^3の範囲内、面方位を＜１００＞でオフアングルが±０．０３°未満とする。 - 特許庁

A layer structure including: a laser 25 of a semiconductor laser structure; and an optical amplifier 26 of a semiconductor optical amplifier structure with a staircase ridge structure wherein an InP clad layer 16 and an InGaAs contact layer 17 both adopting tapered structures are overlapped in a way of two-stages are formed on an InP substrate 11.例文帳に追加

ＩｎＰ基板１１上に、半導体レーザー構造のレーザー部位２５と、テーパ状構造のＩｎＰクラッド層１６及びＩｎＧａＡｓコンタクト層１７が二段に重ねられた階段状のリッジ構造を有する半導体光増幅器構造の光増幅部位２６とを含む層構造が形成されている。 - 特許庁

An InGaAsP guide layer 104, an MQW active layer 105 and a p-InP clad layer 106 are selectively grown on an n-InP substrate 101 by a selective MOVPE method by using a pair of SiO2 stripe masks 103, in such a way that the width of the stripe masks 103 is made wide according to an oscillation wavelength.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板１０１上に、一対のＳｉＯ_2ストライプマスク１０３を用いて、前記ストライプマスク１０３の幅を、発振波長に応じて広くし、選択ＭＯＶＰＥ法によって、ＩｎＧａＡｓＰガイド層１０４、ＭＱＷ活性層１０５、およびｐ−ＩｎＰクラッド層１０６を選択成長させる。 - 特許庁

A DFB laser device 100 is provided with an n-type InP substrate 101, V grooves 102 having specific periods, diffraction regions 103 composed of InNAsP and formed so as to be padded in respective V grooves 102, an n-type InP clad layer 104, an active region 105, and a p-type In clad layer 106.例文帳に追加

ＤＦＢレーザ装置１００は、ｎ型ＩｎＰ基板１０１と、特定周期を有するＶ溝１０２と、各Ｖ溝を埋め込むように形成されたＩｎＮＡｓＰからなる回折領域１０３と、ｎ型ＩｎＰクラッド層１０４と、活性領域１０５と、ｐ型Ｉｎクラッド層１０６とを備えている。 - 特許庁

In the semiconductor optical amplifier 10 with an active layer 14, which has an optical amplifying function by current injection onto a substrate 11 made of InP, the active layer 14 contains InGaAsSb.例文帳に追加

ＩｎＰからなる基板１１上に電流注入による光増幅機能を有する活性層１４を備えた半導体光増幅器１０において、活性層１４が、ＩｎＧａＡｓＳｂを含有している。 - 特許庁

An n-type InP board 90a (substrate) laminated with a compound semiconductor layer 20a is transferred and placed on a susceptor 11 in a chamber 13, to which CH_4/H_2/CL_2 mixed gas is supplied.例文帳に追加

まず、化合物半導体層２０ａが被着されたｎ型ＩｎＰ基板９０ａ（基体）をチャンバ１３内のサセプタ１１に移載し、チャンバ１３内にＣＨ_４／Ｈ_２／Ｃｌ_２混合ガスを供給する。 - 特許庁

Adjacent to the photodiode 2, an InP-based HBT 3 is provided on a collector contact layer 10 which is formed of the same material as that of the cathode contact layer 5 and provided on the substrate 4 independently of the cathode contact layer 5.例文帳に追加

ダイオード２に隣接して、基板４上にコンタクト層５と同じ材料を用いてコンタクト層５とは独立に設けられたコレクタコンタクト層１０上に、ＩｎＰ系ＨＢＴ３が設けられている。 - 特許庁

Optical waveguides 2, 3, 4, 5 and 6 made of an InGaAsP material are formed on an InP substrate 1, and electrodes 7, 8, and 9 are provided on the optical waveguides 2, 3, and 4, respectively.例文帳に追加

ＩｎＰ基板１上にＩｎＧａＡｓＰ系材料によって形成された光導波路２、３、４、５、６が形成され、光導波路２、３、４上に電極７、８、９をそれぞれ設けている。 - 特許庁

The first to fourth layers from the n-type InP substrate side of the barrier layers 5B are respectively constructed with 1.2Q layers with 5 nm thickness and the fifth to seventh layers are respectively constructed with InGaAlAs with 5 nm thickness corresponding to 1.15 μm bands.例文帳に追加

障壁層５Ｂはｎ型ＩｎＰ基板側から１〜４層は厚さ５ｎｍの１．２Ｑで構成され、５〜７層は厚さ５ｎｍの１．１５μｍ帯相当のＩｎＧａＡｌＡｓで構成される。 - 特許庁

This semiconductor device forms many layers of oxide thin film with changed composition so that they may obtain the lattice constant of an oxide dielectric crystal to be formed finally, and it gradually changes the lattice constant of a semiconductor substrate from the lattice constant of a semiconductor thin film to that of the oxide dielectric crystal to reduce misfit dislocation.例文帳に追加

また、GaAsやInP基板上ではこれらの結晶のLiNbO_3結晶と格子定数がSi基板以上に離れているため、高品質な薄膜を形成することは、非常に困難である。 - 特許庁

P Side electrodes 30 are formed on the contact layer 20 and n side electrodes 32 on the rear surface of the n-InP substrate 12, respectively, through windows 46 disposed in a self-alignment manner on the oxidized Al layer.例文帳に追加

Ａｌ酸化層に自己整合的に設けられた窓４６を介してｐ側電極３０がコンタクト層２０上に、また、ｎ側電極３２がｎ−ＩｎＰ基板１２の裏面にそれぞれ形成されている。 - 特許庁

The semiconductor light-receiving element 1a comprises an InP substrate 4, an In GaAsP semiconductor layer 16, a III-V compound semiconductor light-absorbing layer 18 and an InGaAsP semiconductor layer 20.例文帳に追加

半導体受光素子１ａは、ＩｎＰ基板４と、ＩｎＧａＡｓＰ半導体層１６と、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体光吸収層１８と、ＩｎＧａＡｓＰ半導体層２０と、を備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer having satisfactory surface smoothness for GaInNAsSb on an InP substrate and a semiconductor laminated structure with low crystal defect density, and to provide its manufacturing method and a semiconductor element.例文帳に追加

ＩｎＰ基板上のＧａＩｎＮＡｓＳｂの表面平滑性が良好で、結晶欠陥密度の低い半導体積層構造の半導体ウエハ、その製造方法および半導体素子を提供する。 - 特許庁

In a multi-wavelength laser array 10, ridge-waveguide semiconductor laser elements 13a to 13f are arranged in an array shape, where the ridge-wave semiconductor laser elements have a different oscillation wavelength on a common n-InP substrate 12.例文帳に追加

多波長レーザ・アレー１０は、共通のｎ−ＩｎＰ基板１２上に異なる発振波長を有するリッジ導波路型半導体レーザ素子１３ａ〜１３ｆをアレー状に配列したものである。 - 特許庁

A semiconductor laser element 10 includes: a semiconductor mesa 14 provided on an n-type InP substrate 12; and burying regions 16 in which both side surfaces of the semiconductor mesa 14 are buried.例文帳に追加

半導体レーザ素子１０は、ｎ型ＩｎＰ基板１２上に設けられた半導体メサ１４と、ＦｅドープＩｎＰからなり半導体メサ１４の両側面を埋め込む埋込領域１６とを備える。 - 特許庁

On the n type InP semiconductor substrate 101, MQW 104 for DFB-LD and an electrode 110 for DFB-LD are formed to constitute a monolithic integrated semiconductor element.例文帳に追加

また、上記ｎ型ＩｎＰ半導体基板１０１の上に、ＤＦＢ−ＬＤ用ＭＱＷ１０４及びＤＦＢ−ＬＤ用電極１１０が形成されてモノリシック集積半導体光素子が構成される。 - 特許庁

By this constitution, a cross-sectional shape of the InAsP active layer 3 which shape is parallel with a direction of a laser resonator and perpendicular to a main surface of the substrate 1 is a triangle whose one edge is about 25 nm in length and the vertex protrudes to the N-type InP substrate 1 side.例文帳に追加

この様な構成にすることにより、ＩｎＡｓＰ活性層３の、レーザ共振器方向に平行で基板１の主面に垂直な断面形状は、一辺がおよそ２５ｎｍの三角であり、その頂点はｎ型ＩｎＰ基板１側に突き出ている。 - 特許庁

An HEMT is provided with an InAlAs layer 202, an InGaAs layer 203, a multiplex δ doped InAlAs layer 204 composed by alternately laminating an n-type doped layer 204a and an undoped layer 204b, an InP layer 205, a Schottky gate electrode 210, a source electrode 209a, and a drain electrode 209b on an InP substrate 201.例文帳に追加

ＨＥＭＴは、ＩｎＰ基板２０１の上に、ＩｎＡｌＡｓ層２０２と、ＩｎＧａＡｓ層２０３と、ｎ型ドープ層２０４ａとアンドープ層２０４ｂとを交互に積層してなる多重δドープＩｎＡｌＡｓ層２０４と、ＩｎＰ層２０５と、ショットキーゲート電極２１０と、ソース電極２０９ａ及びドレイン電極２０９ｂとを備えている。 - 特許庁

The method for manufacturing the light receiving element array 1 having a plurality of light receiving regions 21, includes the steps of: growing the light receiving layer 7 on an n-type InP substrate 3; growing an InP window layer on the light receiving layer 7; and diffusing a p-type impurity in regions, in the window layer 11, corresponding to the plurality of light receiving regions 21.例文帳に追加

複数の受光領域２１を備える受光素子アレイ１を製造する方法であって、ｎ型ＩｎＰ基板３上に受光層７を成長させる工程と、受光層７上にＩｎＰ窓層１１を成長させる工程と、窓層１１における複数の受光領域２１に相当する領域にｐ型不純物を拡散させる工程とを含む。 - 特許庁