「InP substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

A semiconductor laser element 20 is provided with a laminated structure consisting of an n-type InP clad layer 22, an SCH-MQW active layer 23, a p-type first InP clad layer 24, an AlInAs layer 25, a p-type second InP clad layer 26 and a p-type GaInAs contact layer 27, which are formed in order on an n-type InP substrate 21.例文帳に追加

本半導体レーザ素子２０は、ｎ−ＩｎＰ基板２１上に順次形成された、ｎ−ＩｎＰクラッド層２２、ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層２３、第一のｐ−ＩｎＰクラッド層２４、ＡｌＩｎＡｓ層２５、第二のｐ−ＩｎＰクラッド層２６、及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２７からなる積層構造を備えている。 - 特許庁

On an n-type InP substrate 10, an n-type DBR layer 12, an i-InGaAs light absorbing layer 14 (light absorbing layer) of a low carrier concentration, and a p-type InP window layer 16 are sequentially formed.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１０上に、ｎ型ＤＢＲ層１２低キャリア濃度のｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層１４（光吸収層）、及びｐ型ＩｎＰ窓層１６が順次形成されている。 - 特許庁

The epitaxial wafer, having an epitaxial lamination structure of group III-V compound semiconductor, includes: InP substrate 1, a multiple quantum well structure 3, and InP layer 5 forming a surface layer.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のエピタキシャル積層構造を有するウエハであって、ＩｎＰ基板１と、多重量子井戸構造３と、表面層を構成するＩｎＰ層５とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

The inserted p-InGaP spacer layer 9 prevents electronic carriers injected from the n-InP substrate 1 side to the SCH-distortion MQW from overflowing to the p-InP clad layer 10.例文帳に追加

挿入されたｐ-ＩｎＧａＰスペーサ層９は、ｎ-ＩｎＰ基板１側から、ＳＣＨ-歪ＭＱＷに注入されてくる電子キャリアが、ｐ-ＩｎＰクラッド層１０にオーバフローするのを防止する。 - 特許庁

An n-type InGaAs optical absorption layer 12 and an n-type InP layer 13 (a first conductive type semiconductor layer) which works as a window layer and a doubling layer are sequentially laminated on an n-type InP substrate 11.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１１上に、ｎ型ＩｎＧａＡｓ光吸収層１２と、窓層及び倍増層であるｎ型ＩｎＰ層１３（第１導電型半導体層）とが順番に積層されている。 - 特許庁

This photodetector is constituted by forming an InGaAs layer (i-type) 12 and a p-type InP layer 14 on the surface of an n-type InP substrate 10, a cathode electrode on the backside of the substrate 10, and electrodes (a) and (b) at both ends of the surface of the p-type layer 14.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１０上に、ＩｎＧａＡｓ層（ｉ層）１２、ｐ型ＩｎＰ層１４が形成され、ｎ型基板１０の裏面にカソード電極が、ｐ型層１４の表面の両端に電極ａ，ｂが形成されている。 - 特許庁

This optical modulator 40 is the embedded ridge waveguide type semiconductor optical modulator and has an n-InP buffer layer 14, GaInAsP-base multiple quantum well structure 16, p-InP upper clad layer 18 and p-GaInAs contact layer 20 on an n-InP substrate 12.例文帳に追加

本光変調器４０は、埋め込みリッジ導波路型半導体光変調器であって、ｎ−ＩｎＰ基板１２上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層１４、ＧａＩｎＡｓＰ系多重量子井戸構造１６、ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層１８、及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２０を備えている。 - 特許庁

On an n type InP semiconductor substrate 101 whose surface azimuth is a (311) A plane, n type InP 102 and p type InP 105 are formed sandwiching MQW 103 for EA-MD between them, and a reverse electrode 108 for voltage application and an electrode 109 for EA-MD are provided.例文帳に追加

面方位が｛３１１｝Ａ面のｎ型ＩｎＰ半導体基板１０１の上にＥＡ−ＭＤ用ＭＱＷ１０３を挟み込んでｎ型ＩｎＰ１０２及びｐ型ＩｎＰ１０５を形成すると共に、電圧印加用の裏面電極１０８及びＥＡ−ＭＤ用電極１０９を設ける。 - 特許庁

A semiconductor laminated structure including a p-type InP clad layer 12, an AlGaInAs lower optical confinement layer 13, an AlGaInAs-MQW active layer 14, an n-type AlGaInAs upper optical confinement layer 15, and an n-type InP clad layer 16 is formed on a p-type InP substrate 11.例文帳に追加

ｐ型ＩｎＰ基板１１上に、ｐ型ＩｎＰクラッド層１２、ＡｌＧａＩｎＡｓ下光閉込層１３、ＡｌＧａＩｎＡｓ—ＭＱＷ活性層１４、ｎ型ＡｌＧａＩｎＡｓ上光閉込層１５、ｎ型ＩｎＰクラッド層１６からなる半導体積層構造を形成する。 - 特許庁

A 1st optical waveguide structured by stacking an InGaAsP active layer 152 and p-InP clad layer 154 on an InP substrate 150 is formed, and adjoining this, a 2nd optical waveguide with an InGaAsP core layer 160 and p-InP clad layer 162 stacked thereon is formed adjacent to the 1st optical waveguide.例文帳に追加

ＩｎＰ基板１５０上にＩｎＧａＡｓＰ活性層１５２およびｐ−ＩｎＰクラッド層１５４が積層した構造の第一の導波路を形成し、これに隣接して、ＩｎＧａＡｓＰコア層１６０およびｐ−ＩｎＰクラッド層１６２が積層した第二の導波路を形成する。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor on an InP substrate in which a high-speed and high-frequency operation is excellent and a long-term reliability is also excellent.例文帳に追加

高速、高周波動作に優れ、長期信頼性にも優れたＩｎＰ基板上電界効果トランジスタを提供すること。 - 特許庁

On an InP substrate 1-1, a material having a gap wider than In (0.52) Al (0.48)例文帳に追加

ＩｎＰ基板１−１上において、Ｉｎ（０．５２）Ａｌ（０．４８）Ａｓよりワイドギャップの材料を用いて、０．１μｍ未満の増倍層１−３を構成する。 - 特許庁

METHOD OF FLATTENING/CLEANING SURFACE OF CRYSTALLINE InP SUBSTRATE AND METHOD OF GROWING SEMICONDUCTOR DEVICE BY MOLECULAR BEAM EPITAXY USING IT例文帳に追加

ＩｎＰ結晶基板表面の平坦・清浄化方法及びそれを用いた半導体デバイスの分子線エピタキシャル成長方法 - 特許庁

Four photodetectors 2a to 2d electrically isolated from each other are placed on a Fe-InP semi-insulating substrate 1.例文帳に追加

Ｆｅ−ＩｎＰ半絶縁性基板１上に、互いに電気的に分離された４個の受光素子２ａ〜２ｄが設けられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element having a current and optical confinement structure consisting of an Al oxide layer on an InP substrate.例文帳に追加

ＩｎＰ基板上にＡｌ酸化層による電流及び光閉じ込め構造を有する半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

The linear p-side electrode 9 is linear in a plan view opposed to the principal plane of the n-type InP substrate 1.例文帳に追加

直線状ｐ側電極９は、ｎ型ＩｎＰ基板１の主面に対向する平面視において直線状である。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical device capable of suppressing the diffusion of a dopant into the current block portion from the InP semiconductor substrate.例文帳に追加

ＩｎＰ半導体基板から電流ブロック部へのドーパントの拡散を抑えることができる半導体光素子を提供する。 - 特許庁

By etching the laminated body 19 using the mask 20a, a semiconductor mesa 22 is formed on the InP substrate 10a.例文帳に追加

マスク２０ａを用いて積層体１９をエッチングすることにより、ＩｎＰ基板１０ａ上に半導体メサ２２を形成する。 - 特許庁

An InAlAs barrier layer 12 having a trench TR of opposed one side face of a plane A (111) and another side face of a plane B (331) is formed on an InP substrate 11 having an asymmetrical V-groove of one side face of a plane (100) and another side face of a plane (011).例文帳に追加

一方の側面が (100)面、他方の側面が (011)面の非対称Ｖ溝を有する InP基板11上に、向かい合う一方の側面が(111)A面、他方の側面が(331)B面のトレンチTRを有するInAlAsバリア層12を形成する。 - 特許庁

To provide a method for producing a semiinsulating InP single crystal in which a different kind (impurity) of element is added to an InP substrate uniformly from the top to the bottom of crystal by a simple method without requiring a high-pressure facility.例文帳に追加

高圧設備を必要とせず、簡便な方法で、結晶の上部から下部に至るまで均一に異種（不純物）元素をＩｎＰ基板中へ添加した半絶縁性ＩｎＰ単結晶を製造する。 - 特許庁

In a semiconductor laser using a semiconductor quantum well structure on an InP substrate as an active layer, a well layer contains any of InGaAsP, InAsP, or InGaAs not containing Sb, and a barrier layer contains InGaPSb or InGaAsPSb containing Sb.例文帳に追加

InP基板上の半導体量子井戸構造を活性層とする半導体レーザにおいて、井戸層にはSbを含まないInGaAsPまたはInAsPまたはInGaAsのいずれかを用い、障壁層にはSbを含むInGaPSbまたはInGaAsPSbのいずれかを用いる。 - 特許庁

An n-type multilayer reflection layer 12 (first reflection layer), an absorption layer 13, a p-type phase adjustment layer 14, and an anode layer 15 (second reflection layer) are formed on the lower surface of the n-type InP substrate 11 in this order from the side of the n-type InP substrate 11.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１１の下面に、ｎ型ＩｎＰ基板１１側から順番に、ｎ型多層反射層１２（第１の反射層）、吸収層１３、ｐ型位相調整層１４およびアノード電極１５（第２の反射層）が形成されている。 - 特許庁

To provide a dry etching method which quickly enables deep cutting into a substrate of an InP compound semiconductor, and a device.例文帳に追加

ＩｎＰ系化合物半導体の基板に対して深堀加工を迅速に行うことができるドライエッチング方法及び装置を提供する。 - 特許庁

On an InP substrate 11, a semiconductor laminate part 10 is grown which has an active layer 14a and a surface layer (cap layer) 17a.例文帳に追加

ＩｎＰ基板１１上に、活性層１４ａ及び表層（キャップ層）１７ａを有する半導体積層部１０を成長させる。 - 特許庁

The temperature of the substrate is set higher than that when forming the first layer, a second layer 5 composed of InP being formed, with an active layer 7 being formed thereon.例文帳に追加

基板温度を第１の層の形成時よりも高くし、ＩｎＰからなる第２の層を形成し、その上に、活性層を形成する。 - 特許庁

This waveguide grating filter has a three-layered stripe structure consisting of a lower clad layer 3, a core layer 2 and an upper clad layer 1 on a non-doped InP substrate 4.例文帳に追加

ノンドープＩｎＰ基板４上に、下部クラッド層３、コア層２、上部クラッド層１からなる３層ストライプ構造を有する。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device constituted like this emits light in a perpendicular direction against the n-type InP substrate.例文帳に追加

このように構成された本発明の半導体発光素子は、ｎ型ＩｎＰ基板１に対して垂直な方向に光を放射する。 - 特許庁

On the bottom face of an n-type InP substrate 10 (semiconductor substrate), an n-type first multilayer reflection layer 12, an n-type first optical resonance layer 14, an n-type second multilayer reflection layer 16, an i-type InGaAs light absorption layer 18, and an anode electrode 22 (reflection film) are formed in order from the n-type InP substrate 10 side.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１０（半導体基板）の下面に、ｎ型ＩｎＰ基板１０側から順番に、ｎ型の第１の多層反射層１２、ｎ型の第１の光共振層１４、ｎ型の第２の多層反射層１６、ｉ型ＩｎＧａＡｓの光吸収層１８及びアノード電極２２（反射膜）が形成されている。 - 特許庁

An n-type DBR layer 12 (distribution Bragg reflection layer of first conductivity type), an i-InGaAs optical absorption layer 14 (optical absorption layer) with low carrier concentration, and a p-type InP window layer 16 (semiconductor layer of second conductivity type) are formed in order on an n-type InP substrate 10 (semiconductor substrate).例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１０（半導体基板）上に、ｎ型ＤＢＲ層１２（第１導電型の分布ブラッグ反射層）、低キャリア濃度のｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層１４（光吸収層）、及びｐ型ＩｎＰ窓層１６（第２導電型の半導体層）が順番に形成されている。 - 特許庁

The compound semiconductor wafer for making the ultrahigh- speed electronic devices comprises a GaN substrate 1, a buffer layer 1c formed on the substrate, having thickness ranging from 10 nm to 1 μm and comprising InP, and an epitaxial layer 1d formed on the buffer layer and including InP.例文帳に追加

高速電子デバイス形成用化合物半導体ウエハは、ＧａＡｓ基板（１）と、この基板上に形成されていて１０ｎｍ〜1μｍの範囲内の厚さを有するＩｎＰからなるバッファ層（１ｃ）と、このバッファ層上に形成されていてＩｎＰを含むエピタキシャル層（１ｄ）とを含んでいる。 - 特許庁

To provide a vapor phase growing method of III-V compound semicon ductor, which makes vapor phase growth method of a semiconductor crystal layer closer to the lattice constant of an InP substrate more than that for one with GaAs substrate on the GaAs substrate.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板上に、ＧａＡｓ基板の格子定数よりもＩｎＰ基板の格子定数に近い半導体結晶層を気相成長させるIII−Ｖ族化合物半導体の気相成長法をを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a quantum dot in which the quantum dot is formed in an isotropic shape on an InP substrate by an MBE method.例文帳に追加

ＭＢＥによりＩｎＰ基板上に等方的な形状の量子ドットを形成することのできる量子ドットの製造方法を提供する。 - 特許庁

A lower DBR (distributed Bragg reflector) layer 1, a core layer 2, an upper DBR layer 3, and a dielectric multilayer film 6 are sequentially layered on an n-InP substrate 11.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板１１上に下部ＤＢＲ層１、コア層２、上部ＤＢＲ層３、誘電体多層膜６が順次積層される。 - 特許庁

To provide a long wavelength band high performance semiconductor light emitting device that is formed on an InP substrate, and also to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

本発明はＩｎＰ基板上に形成可能な長波長帯の高性能な半導体発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

An optical guide layer 51, an active layer 52 and an optical guide layer 53 constituted of i-type InGaAsP are formed on an n-type InP substrate 50.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板５０の上に、ｉ型ＩｎＧａＡｓＰからなる光ガイド層５１、活性層５２及び光ガイド層５３を形成する。 - 特許庁

The InP substrate 21 contains a first end face 21a and a second end face 21b which are extended along a flat plane crossing the axis Ax.例文帳に追加

ＩｎＰ基板２１は、所定の軸Ａｘに交差する平面に沿って伸びる第１の端面２１ａおよび第２の端面２１ｂを有する。 - 特許庁

The InGaAsP semiconductor layer 16 is arranged between the InP substrate 4 and the III-V compound semiconductor light-absorbing layer 18.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓＰ半導体層１６は、ＩｎＰ基板４とＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体光吸収層１８との間に設けられている。 - 特許庁

The III-V compound semiconductor light-absorbing layer 18 is arranged between the InP substrate 4 and the InGaAsP semiconductor layer 20.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体光吸収層１８は、ＩｎＰ基板４とＩｎＧａＡｓＰ半導体層２０との間に設けられている。 - 特許庁

To reduce the harmful effect of phosphorous atoms in an InP substrate being emitted from a grid site, and going into an epitaxial layer formed on the substrate when it is heated to a growth temperature.例文帳に追加

成長温度に加熱されたときに、ＩｎＰ基板中のＰ原子が格子サイトから放出され、基板上に形成されたエピタキシャル層に入る有害な効果を減少させる。 - 特許庁

To provide a method of flattening/cleaning the surface of a crystalline InP substrate by which the surface of a crystalline InP wafer can be cleaned in atomic order under a superhigh vacuum condition, and to provide a method of growing semiconductor device by molecular beam epitaxy using the method.例文帳に追加

超高真空下でＩｎＰ結晶ウェーハの表面を原子的なオーダーで清浄化するＩｎＰ結晶基板表面の平坦・清浄化方法及びそれを用いた半導体デバイスの分子線エピタキシャル成長方法を提供する。 - 特許庁

The DFB laser element 52 has the laminated structure of an MQW-SCH layer, a p-InP spacer layer, a diffraction grating whose period is about 240 nm, and a p-InP buried layer for the diffraction grating on the surface of an n-In substrate.例文帳に追加

ＤＦＢレーザ素子５２は、ｎ−ＩｎＰ基板上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層、ＭＱＷ−ＳＣＨ層、ｐ−ＩｎＰスペーサー層、周期が約２４０ｎｍの回折格子、及び回折格子のｐ−ＩｎＰ埋め込み層の積層構造を有する。 - 特許庁

The position P0 of the surface 19a of the InP semiconductor region 19 is located between the position P1 of the first end face 21a and the position P2 of the second end face 21b of the InP substrate 21 in the direction of the axis Ax.例文帳に追加

ＩｎＰ半導体領域１９の表面１９ａの位置Ｐ０は、所定の軸Ａｘの方向に関して、ＩｎＰ基板２１の第１の端面２１ａの位置Ｐ１とＩｎＰ基板２１の第２の端面２１ｂの位置Ｐ２との間に位置している。 - 特許庁

To solve a problem caused by an impurity as a contaminant adhered to the surface of a substrate formed of InP in a state that he desired characteristics can be obtained.例文帳に追加

所望の特性が得られる状態で、ＩｎＰからなる基板の表面に付着した汚染物としての不純物による問題が解消できるようにする。 - 特許庁

To reduce a defect (for instance, displacement) of a metamorphic substrate growing an InP-based semiconductor device by using a compression strain layer and a tensile strain layer.例文帳に追加

圧縮歪層と引張歪層とを利用して、ＩｎＰ系半導体デバイスを成長させるメタモルフィック基板の欠陥（例えば転位）の低減を可能にする。 - 特許庁

On the second surface of the n-type InP substrate 32, a material or a structure having a higher reflectance to the incident light than that of the low reflection film 46 is not provided.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板３２の裏面には、低反射膜４６よりも入射光に対する反射率が高い物質又は構造が設けられていない。 - 特許庁