「InP substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

SEMI-INSULATING InP SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR OPTICAL ELEMENT AS WELL AS METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR THIN FILM例文帳に追加

半絶縁性ＩｎＰ基板及び半導体光素子並びに半導体薄膜形成法 - 特許庁

A laminate structure in a mesa stripe shape is formed on a substrate made of InP.例文帳に追加

ＩｎＰからなる基板の上にメサストライプ形状の積層構造体が形成されている。 - 特許庁

A p-type InP buffer layer 2, an active layer 3, and an n-type InP clad layer 4 formed on a p-type InP substrate 1 are processed through a first dry etching process for the formation of a ridge 6.例文帳に追加

ｐ型ＩｎＰ基板１の上に形成された、ｐ型ＩｎＰバッファ層２、活性層３およびｎ型ＩｎＰクラッド層４を第１のドライエッチングにより加工して、リッジ部６を形成する。 - 特許庁

The light receiving element is made by forming an n-InP buffer layer 102, an n-InGaAs optical absorption layer 103, and an n-InP window layer 104 in sequence on an InP substrate 101.例文帳に追加

本発明に係る受光素子は、ＩｎＰ基板１０１上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層１０２、ｎ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層１０３、ｎ−ＩｎＰ窓層１０４が順次形成されている。 - 特許庁

An n-type InP clad layer 2, a GaInAsP active layer 3, a p-type InP clad layer 4, and a p-type GaInAsP cap layer 11 are grown on an n-type InP substrate 1 doped with sulfur in turn.例文帳に追加

イオウがドープされたｎ型ＩｎＰ基板１の上に、順次、ｎ型ＩｎＰクラッド層２、ＧａＩｎＡｓＰ活性層３、ｐ型ＩｎＰクラッド層４、ｐ型ＧａＩｎＡｓＰキャップ層１１を成長させる。 - 特許庁

The metamorphic buffer layer 12 is an As-doped InP layer 12A formed by crystal growing the InP layer (not shown) on the substrate 11 and doping the As all over the InP layer.例文帳に追加

メタモルフィックバッファ層１２は基板１１上にＩｎＰ層（図示せず）を結晶成長させると共にそのＩｎＰ層の全体にＡｓをドープすることにより形成されたＡｓドープＩｎＰ層１２Ａである。 - 特許庁

An n-InP buffer layer 2, a GRIN-SCH-MQW active layer 3 and a p-InP spacer layer 4 are formed sequentially on an n-InP substrate 1 wherein the upper region of the n-InP buffer layer 2, the GRIN-SCH-MQW active layer 3 and the p-InP spacer layer 4 have a mesa stripe structure.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板１上に順次ｎ−ＩｎＰバッファ層２、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３、ｐ−ＩｎＰスペーサ層４が積層され、ｎ−ＩｎＰバッファ層２の上部領域、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３およびｐ−ＩｎＰスペーサ層４はメサストライプ状の構造となっている。 - 特許庁

The surface state of the N-InP substrate 1 is restrained from being transmitted to an InGaAsP multi-quantum well layer 4 by the N-InP buffer layer 2.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰバッファ層２によって，ｎ−ＩｎＰ基板１の表面の状態は，ＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸層４に伝達されることはない。 - 特許庁

This method for manufacturing the surface emission laser comprises the following steps of (1)-(7) using disks 4 formed by the steps of: forming an active layer 3 on an InP substrate 1, processing the active layer 3 into mesa shapes to form the plurality of disks 4 on the InP substrate 1, and removing the InP substrate 1.例文帳に追加

ＩｎＰ基板１上に活性層３を作製し、次いで活性層３をメサ形状に加工してＩｎＰ基板１上にディスク４を複数個配し、続けてＩｎＰ基板１より取り除かれた各ディスク４を用いて、順次下記（１）〜（７）の各工程を経る面発光レーザの製造方法。 - 特許庁

To provide an InP single crystal substrate such that epitaxial layers laminated on the single crystal substrate hardly produce hillocks.例文帳に追加

単結晶基板上に積層したエピタキシャル層にヒロックが発生しにくいＩｎＰ単結晶基板を提供する。 - 特許庁

An n-type InP clad layer 2, an AlGaInAs optical absorption layer 4, a p-type InGaAsP optical waveguide layer 6, and a p-type InP clad layer 7 are laminated on an n-type InP substrate 1 in this order.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１上に、ｎ型ＩｎＰクラッド層２、ＡｌＧａＩｎＡｓ光吸収層４、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層６、及びｐ型ＩｎＰクラッド層７が順に積層されている。 - 特許庁

An n-type InGaAs layer 34 is provided on the first surface of the n-type InP substrate 32.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板３２の表面上にｎ型ＩｎＧａＡｓ層３４が設けられている。 - 特許庁

A laser diode 12 and a modulator 14 are integrated on an n-type InP substrate 10.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１０上に、レーザダイオード１２及び変調器１４が集積されている。 - 特許庁

A cathode electrode 16 (a first electrode) is connected to the lower surface of the n-type InP substrate 11.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１１の下面にカソード電極１６（第１電極）が接続されている。 - 特許庁

A distributed feedback diffraction grating 2 having some period is formed on an n-InP substrate 1.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板１上に、ある周期を持つ分布帰還型回折格子２を形成する。 - 特許庁

This light modulator 10 has a laminated structure on an n-InP substrate 12, consisting of an n-InP layer 14, an MQW 16 of an AlGaInAs group, a GaIn AsP layer 18, a p-InP layer 20, a p-AlInAs layer 22, a p-InP layer 24, and a p-GaInAs layer 26.例文帳に追加

本光変調器１０は、ｎ−ＩｎＰ基板１２上に、ｎ−ＩｎＰ層１４、ＡｌＧａＩｎＡｓ系ＭＱＷ１６、ＧａＩｎＡｓＰ層１８、ｐ−ＩｎＰ層２０、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層２２、ｐ−ＩｎＰ層２４、及び、ｐ−ＧａＩｎＡｓ層２６からなる積層構造を備える。 - 特許庁

An n-type InP buffer layer 22, a reflector layer 23, an i-type InGaAs photo-absorption layer 24, and an n-type InP cap layer 28 are laminated on an n-type InP substrate, and zinc(Zn) is diffused in the n-type InP cap layer 28 to form a p-type diffusion region 32 as a photo-receiving portion.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板２０上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層２２，反射鏡層２３，ｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層２４，ｎ−ＩｎＰキャップ層２８が積層され、ｎ−ＩｎＰキャップ層２８内に亜鉛（Ｚｎ）が拡散されて、受光部となるｐ型拡散領域３２が形成されている。 - 特許庁

A gain combination DFB laser 20 is a laser of oscillation wavelength of about 1,550 nm, and comprises, on an n-InP substrate 1, an n-InP buffer layer 2, active layer 3, p-InP spacer layer 4, p-InP upper-part clad layer 6, and p-GaInAs contact layer 7.例文帳に追加

本利得結合ＤＦＢレーザ２０は、発振波長約１５５０ｎｍのレーザであって、ｎ−ＩｎＰ基板１上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層２、活性層３と、ｐ−ＩｎＰスペーサ層４、ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層６、及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層７の積層構造を有する。 - 特許庁

Even if the surface of the N-InP substrate 1 is mechanically distorted, the mechanical distortion of the N-InP substrate 1 is absorbed by the thick N-InP buffer layer 2, and the InGaAsP multi-quantum well layer 4 can be selectively grown by keeping it from dislocation.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板１の表面に機械的な歪が生じた場合であっても，厚いｎ−ＩｎＰバッファ層２によって，かかる歪が吸収されることになり，転位の少ないＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸層４を選択成長させることが可能となる。 - 特許庁

In this semiconductor laser, a stripe-type active layer waveguide is formed into a mesa-like shape on an n-type InP substrate 10 by successively laminating an n-type InP clad layer 20, optical confinement layer 22, MQW active layer 24, optical confinement layer 26, and p-type InP clad layer 28 upon the substrate 10.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１０上に、ｎ型ＩｎＰクラッド層２０、光閉じ込め層２２、ＭＱＷ活性層２４、光閉じ込め層２６、及びｐ型ＩｎＰクラッド層２８とが順次積層して、ストライプ状の活性層導波路がメサ型に形成されている。 - 特許庁

In the semiconductor infrared radiation detecting element, in which a light absorption layer is laminated on a compound semiconductor substrate composed of GaAs or InP, the face orientation of the compound semiconductor substrate surface is set to (111)A plane.例文帳に追加

GaAs又はInPからなる化合物半導体基板上に光吸収層を積層した半導体赤外線検出素子において、前記化合物半導体基板表面の面方位を(111)A面とした。 - 特許庁

To restrain accumulation of carrier in an interface between an InAlAs buffer layer and an InP substrate in an epitaxial wafer of an n-type InAlAs/InGaAs system HEMT structure using InP in a substrate.例文帳に追加

基板にＩｎＰを用いたｎ型ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ系ＨＥＭＴ構造のエピタキシャルウェハにおいて、ＩｎＡｌＡｓバッファ層とＩｎＰ基板との界面におけるキャリアの蓄積を抑制することを可能とする。 - 特許庁

An n-type InP substrate 11 (semiconductor substrate) includes a lower surface (first main surface) and an upper surface (second main surface) facing each other.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１１（半導体基板）は、互いに対向する下面（第１主面）と上面（第２主面）を有する。 - 特許庁

The variable wavelength semiconductor laser device 1 has a mesa of a laminated structure comprising a p-AlInAs oxidizing layer 14, a p-InP lower clad layer 16, a variable wavelength layer 18, an n-InP intermediate layer 20, a MQW active layer 22, a p-InP spacer layer 24, a p-grating 26 and p-InP embedded layer 28 on a p-InP substrate 12.例文帳に追加

本波長可変半導体レーザ装置１０は、ｐ−ＩｎＰ基板１２上に、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ酸化用層１４、ｐ−ＩｎＰ下部クラッド層１６、波長可変層１８、ｎ−ＩｎＰ中間層２０、ＭＱＷ活性層２２、ｐ−ＩｎＰスペーサ層２４、ｐ−回折格子２６、及びｐ−ＩｎＰ埋め込み層２８の積層構造のメサを有する。 - 特許庁

An active layer 2 is provided on an n-type InP substrate 1 while a diffraction grating 5 and a p-type InP clad layer 4 are provided on the active layer 2.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１の上には活性層２が設けられており、活性層２の上方には、回折格子５およびｐ型ＩｎＰクラッド層４が設けられている。 - 特許庁

It comprises construction laminated in turn with n-InP clad layer 2, GRIN-SCH-MQW active layer 3, p-InP clad layer 4, p-InGaAsP contact layer 5, and p-side electrode 6 on an n-InP substrate 1.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板１上に、順次ｎ−ＩｎＰクラッド層２、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３、ｐ−ＩｎＰクラッド層４、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層５、ｐ側電極６を積層した構造を有する。 - 特許庁

An n-type InP current block layer 1 is provided on the surface part of the substrate 11.例文帳に追加

ｐ−ＩｎＰ基板１１の表面部分にｎ−ＩｎＰ電流ブロック層１２が設けられている。 - 特許庁

To eliminate the influence of scattered light from the rear surface of an InP substrate exerted upon a light receiving section.例文帳に追加

受光部におけるＩｎＰ基板裏面からの散乱光の影響をなくすことを目的とする。 - 特許庁

On an InP substrate 10, a laminated body 19 composed of semiconductor including an active layer 12 is formed.例文帳に追加

ＩｎＰ基板１０上に、半導体からなり活性層１２を含む積層体１９を形成する。 - 特許庁

The n-type InGaAs layer 34 has a smaller bandgap than that of the n-type InP substrate 32.例文帳に追加

このｎ型ＩｎＧａＡｓ層３４は、ｎ型ＩｎＰ基板３２のバンドギャップよりも小さいバンドギャップを持つ。 - 特許庁

The III-V compound semiconductor light-absorbing layer 18 is arranged on the InP substrate 4.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体光吸収層１８はＩｎＰ基板４上に設けられている。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device includes: forming a sacrificial layer 42 which is pseudomorphic to InP after joining or bonding a support substrate 10 to a flat surface 35A of a protection film 35, and then selectively removing it using hydrofluoric acid to separate the InP substrate 41 from the support substrate 10 including an InP-based device layer 21.例文帳に追加

保護膜３５の平坦面３５Ａに支持基板１０を接合もしくは接着したのち、ＩｎＰと疑似格子整合するＩｎＡｌＡｓからなる犠牲層４２を、フッ酸を用いて選択的に除去することにより、ＩｎＰ基板４１を、ＩｎＰ系のデバイス層２１を含む支持基板１０から剥離する。 - 特許庁

According to this structure, the InP semiconductor substrate 3 and the current block portion 13 are not in direct contact with each other, so that the diffusion of the dopant (S) into the current block portion 13 from the InP semiconductor substrate 3 can effectively be suppressed.例文帳に追加

この構成により、ＩｎＰ半導体基板３と電流ブロック部１３とが直接接しないので、ＩｎＰ半導体基板３から電流ブロック部１３へのドーパント（Ｓ）の拡散を効果的に抑制できる。 - 特許庁

A DFB laser device 10, an embedding hetero type having an oscillation wavelength of 1,550 nm, comprises, on an n-InP substrate 12, an n-InP buffer layer 14, an active layer 16, a p-InP spacer layer 18, a grating 20 consisting of GaInAsP layer, and a lamination structure of p-InP first cladding layer 22 in which a grating is embedded.例文帳に追加

ＤＦＢレーザ素子１０は、発振波長が１５５０ｎｍの埋め込みへテロ型であって、ｎ-ＩｎＰ基板１２上に、ｎ-ＩｎＰバッファ層１４、活性層１６、ｐ-ＩｎＰスペーサ層１８、ＧａＩｎＡｓＰ層からなる回折格子２０、及び回折格子を埋め込んだｐ-ＩｎＰ第１クラッド層２２の積層構造を備える。 - 特許庁

In the manufacturing method of a semiconductor laser, a waveguide mesa composed of an n-type InP clad layer 3, a waveguide layer 4, and an InP cover layer 5 is formed on a substrate 1, a growth inhibiting mask 6 is formed only directly above the waveguide mesa, and a n-type InP current block layer 7, and an n-type InP current block layer 8 are formed (a).例文帳に追加

基板１面上に、ｎ型ＩｎＰクラッド層３、導波路層４、ＩｎＰカバー層５からなる導波路メサを形成した後、導波路メサの直上部のみに成長阻止マスク６を形成し、ｐ型ＩｎＰ電流ブロック層７、ｎ型ＩｎＰ電流ブロック層８を形成する（ａ）。 - 特許庁

Furthermore, a p-InP clad layer 6, a p-GaInAsP contact layer 7 and a p-side electrode 10 are provided and an n-side electrode 11 is provided on the rear surface of the n-InP substrate 1.例文帳に追加

さらに、ｐ−ＩｎＰクラッド層６、ｐ−ＧａＩｎＡｓＰコンタクト層７、ｐ側電極１０が配置され、ｎ−ＩｎＰ基板１の裏面にはｎ側電極１１が配置されている。 - 特許庁

The band-gap energy of the light absorption recombination layer 12 is smaller than that of the n-type InP substrate 10.例文帳に追加

光吸収再結合層１２のバンドギャップエネルギーは、ｎ型ＩｎＰ基板１０のバンドギャップエネルギーよりも小さい。 - 特許庁

After the layers 2 are formed, an n-type InP layer 3 is formed on the substrate 1 and the current blocking layers 2.例文帳に追加

次に、ｎ型ＩｎＰ基板１およびｐ型電流阻止層２の上に、ｎ型ＩｎＰ層３を形成する。 - 特許庁

The N--InGaAs light absorbing layer 3 is larger in lattice constant than the InP substrate 1 by 1% or more.例文帳に追加

ｎ^-−ＩnＧaＡs光吸収層３は、ＩnＰ基板１との間の格子定数差が１％以上大きい。 - 特許庁

The semiconductor photo detector 1 includes a photoelectric converter 4 formed on top of a semiconductor substrate 2 containing InP.例文帳に追加

半導体受光素子１は、ＩｎＰを含む半導体基板２上に設けられた光電変換部４を有する。 - 特許庁

The group III-V compound semiconductor region 13 of the first conductivity type contains an InP substrate 21 of the first conductivity type.例文帳に追加

第１導電型III−V化合物半導体領域１３は第１導電型のＩｎＰ基板２１を含む。 - 特許庁

A diffraction grating surface on which recessed sections and projecting sections are periodically arranged is formed on the upper surface of an n-type InP substrate 1.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１の上面に、周期的に凹部と凸部とが並ぶ回折格子面を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical waveguide having light enclosing structure based on an Al oxide layer on an InP substrate.例文帳に追加

Ａｌ酸化層による光閉じ込め構造をＩｎＰ基板上に有する半導体光導波路を提供する。 - 特許庁

This element has a laminated structure consisting of n-InP substrate 21, and n-InP clad layer 22, SCH-MQW active layer 23, first p-In clad layer 24, p-AlInAs/AlGaInAs layer 25, second p-InP clad layer 26, and p-GaInAs contact layer 27 sequentially formed on the n-InP substrate 21.例文帳に追加

本半導体レーザ素子２０は、ｎ−ＩｎＰ基板２１と、ｎ−ＩｎＰ基板２１上に順次形成された、ｎ−ＩｎＰクラッド層２２、ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層２３、第１のｐ−ＩｎＰクラッド層２４、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ／ｐ−ＡｌＧa ＩｎＡｓ層２５、第２のｐ−ＩｎＰクラッド層２６、及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２７からなる積層構造を備えている。 - 特許庁

In each of the photodetectors 2a to 2d, an n-type InGaAs conductive layer, an n-type InP conductive layer, an i-type InGaAs optical absorption layer and an i-type InP window layer are laminated in order on the Fe-InP semi-insulating substrate 1.例文帳に追加

各受光素子２ａ〜２ｄにおいて、Ｆｅ−ＩｎＰ半絶縁性基板１上にｎ型ＩｎＧａＡｓ導電層、ｎ型ＩｎＰ導電層、光電変換するｉ型ＩｎＧａＡｓ光吸収層、及びｉ型ＩｎＰ窓層が順に積層されている。 - 特許庁