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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 専門用語対訳辞書 > MOS structure deviceの意味・解説 

MOS structure deviceとは 意味・読み方・使い方

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Weblio専門用語対訳辞書での「MOS structure device」の意味

MOS structure device

Weblio専門用語対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

「MOS structure device」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 133



例文

MOS SEMICONDUCTOR DEVICE IN SOI STRUCTURE例文帳に追加

SOI構造MOS型半導体装置 - 特許庁

HIGH DENSITY MOS TECHNOLOGY POWER DEVICE STRUCTURE例文帳に追加

高密度MOS技術パワ—デバイス構造 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE WITH MOS STRUCTURE例文帳に追加

MOS構造を有する半導体装置の製造方法 - 特許庁

WIRING STRUCTURE IN SEMICONDUCTOR DEVICE AND MOS TRANSISTOR例文帳に追加

半導体装置における配線構造及びMOS型トランジスタ - 特許庁

To reduce the manufacture processes of a semiconductor device in a MOS structure.例文帳に追加

MOS構造の半導体装置の製造工程を削減する。 - 特許庁

MOS-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE IN SOI STRUCTURE AND DESIGN METHOD THEREFOR例文帳に追加

SOI構造のMOS型半導体装置及びその設計方法 - 特許庁

例文

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING MOS STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

MOS構造を有する半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

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「MOS structure device」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 133



例文

To reduce the number of manufacturing processes of a semiconductor device having a MOS structure.例文帳に追加

MOS構造の半導体装置の製造工程を削減する。 - 特許庁

SOI STRUCTURE MOS TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

SOI構造MOS型半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

MOS-TYPE HETERO-STRUCTURE, SEMICONDUCTOR DEVICE PROVIDED WITH THE STRUCTURE, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

MOS型ヘテロ構造および該構造を備えた半導体装置ならびにその製造方法 - 特許庁

MOS SEMICONDUCTOR DEVICE OF TRENCH STRUCTURE, LIFETIME EVALUATION DEVICE, AND LIFETIME EVALUATION METHOD例文帳に追加

トレンチ構造のMOS半導体装置、寿命評価装置及び寿命評価方法 - 特許庁

To prevent gate leak failure in an SiC semiconductor device of an MOS structure.例文帳に追加

MOS構造のSiC半導体装置において、ゲートリーク不良を防止する。 - 特許庁

MOS HETERO STRUCTURE, SEMICONDUCTOR DEVICE PROVIDED THEREWITH AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

MOS型ヘテロ構造、該構造を備えた半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

MOS SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING TRENCH GATE STRUCTURE, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

トレンチゲート構造を有するMOS型半導体装置およびその製造方法 - 特許庁

例文

A protection element 1 has a structure in which a vertical bipolar transistor Q1 and a parasitic bipolar transistor Q2 are formed in a part of a device with a MOS structure.例文帳に追加

保護素子1は、MOS構造のデバイスの一部に、縦型バイポーラトランジスタQ1と寄生バイポーラトランジスタQ2とを形成した構造になっている。 - 特許庁

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「MOS structure device」の意味に関連した用語

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