MOS surfaceとは 意味・読み方・使い方

ELASTIC METAL GATE MOS TRANSISTOR FOR SURFACE MOBILITY MEASUREMENT IN SEMICONDUCTOR MATERIALS例文帳に追加

半導体材料中の表面移動度測定用の弾性メタルゲートＭＯＳトランジスタ - 特許庁

A MOS gate structure is formed on the front surface of an FZ wafer 10, and then the back surface of the FZ wafer 10 is ground.例文帳に追加

ＦＺウェハのおもて面に、ＭＯＳゲート構造を形成した後に、ＦＺウェハ１０の裏面を研削する。 - 特許庁

To provide a super shallow surface channel MOS transistor and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

超シャロー表面チャネルＭＯＳトランジスタおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

SURFACE CHANNEL TYPE MOS TRANSISTOR, COMPLEMENTARY FIELD-EFFECT TRANSISTOR, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

表面チャネル型ＭＯＳトランジスタ、相補型電界効果トランジスタ及びそれらの製造方法 - 特許庁

A p-channel MOS transistor FT_11 is formed in the region 12, and an n- channel MOS transistor FT_12 is formed on the surface of the substrate 10.例文帳に追加

領域１２内にはＰチャンネルＭＯＳ型トランジスタＦＴ_１１を形成し、基板表面にはＮチャンネルＭＯＳ型トランジスタＦＴ_１２を形成する。 - 特許庁

The surface of a semiconductor substrate 1 formed with a MOS transistor is covered with a silicon oxide film 3.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタが形成された半導体基板１の表面を、シリコン酸化膜３で覆う。 - 特許庁

In manufacturing the highly precise power management semiconductor device or analog semiconductor device including the MOS transistor such as the CMOS semiconductor integrated circuit, a concentration of impurities is reduced in the vicinity of a silicon surface of a source drain region with a low impurity concentration, thereby reducing the impact ionization taking place in the operation of the MOS transistor and reducing the variation in characteristics of the MOS transistor.例文帳に追加

CMOS半導体集積回路などのMOSトランジスタを含み、高精度を有するパワーマネージメント半導体装置やアナログ半導体装置の製造において、低不純物濃度であるソースドレイン部のシリコン表面近傍の不純物濃度を低くすることにより、MOSトランジスタの動作において発生するインパクトイオン化現象を低減させ、MOSトランジスタの特性変動を低減する。 - 特許庁

To improve operation rate of a MOS semiconductor element by controlling formation of uneven surface at the front surface of a polycrystalline silicon film.例文帳に追加

多結晶シリコン膜における表面凹凸の形成を抑制し、ＭＯＳ型半導体素子の動作速度を向上する。 - 特許庁