N Type Siliconとは 意味・読み方・使い方

In an element isolation structure for semiconductor device, an n--type silicon layer 2, an n+-type silicon layer 3, and another n--type silicon layer 4 are formed on a p+-type silicon substrate 1.例文帳に追加

ｐ^+ 型シリコン基板１の上に、ｎ^- 型シリコン層２、ｎ^+ 型シリコン層３、ｎ^- 型シリコン層４が形成されている。 - 特許庁

An n-type silicon layer 12 is formed on an n^+ type silicon wafer 11w, and a plurality of trenches 13 are formed in the n-type silicon layer 12.例文帳に追加

ｎ^＋型のシリコンウェーハ１１ｗ上にｎ型シリコン層１２を形成し、ｎ型シリコン層１２に複数本のトレンチ１３を形成する。 - 特許庁

N-TYPE POLYCRYSTALLINE SILICON WAFER AND N-TYPE POLYCRYSTALLINE SILICON INGOT, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ｎ型多結晶シリコンウェーハ並びにｎ型多結晶シリコンインゴット及びその製造方法 - 特許庁

A p-type well 2 and an n-type well 3 are adjacently formed on a silicon substrate 1 by respectively using a p-type well mask 2 and an n-type well mask 3.例文帳に追加

シリコン基板１上に、Ｐウエル２、Ｎウエル３を互いに隣接して形成する。 - 特許庁

In a typical example, n-type sidewalls 210 and the n-type silicon embedded layer 204 are combined to form an n-type silicon well, and the p-type silicon well 206 is formed in the n-type silicon well.例文帳に追加

典型例では、ｎ型サイドウォール２１０とｎ型埋め込み層２０４を組み合わせてシリコンのｎ型ウェルが形成され、ｐ型ウェル２０６がｎ型ウェル内に形成される。 - 特許庁

A deep N well 12 of n-type silicon is formed beneath the P well.例文帳に追加

Ｐウェルの下に、ｎ型シリコンの深いＮ型ウェル１２を形成する。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon film 6 and an n-type amorphous silicon film 7 are formed sequentially on the rear surface of the n-type single crystal silicon substrate 1.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面には、ｉ型非晶質シリコン膜６およびｎ型非晶質シリコン膜７が順に形成されている。 - 特許庁