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Weblio専門用語対訳辞書での「N layer」の意味

N layer


N+ layer

Weblio専門用語対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。


「N layer」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 6750



例文

The buffer layer 2 is made of an n-GaN layer having n-type conductivity.例文帳に追加

バッファ層2はn型の導電性を有するn-GaN層から成る。 - 特許庁

An n-type InN layer 104 is formed in a part on the n-type AlGaN layer 103, and an Ni/Pt/Au electrode 106 is formed on the n-type InN layer 104.例文帳に追加

n型AlGaN層103上の一部にはn型InN層104が形成されており、n型InN層104上にはNi/Pt/Au電極106が形成されている。 - 特許庁

In step S_3, the mark information of the target layer X_n and that of the alignment layer Y_n are imparted to the measured data A_n as layer data.例文帳に追加

S_3 でターゲット層X_n 及びアライメント層Y_n のマーク情報を層データとして測定データA_n に付与する。 - 特許庁

N^+-SiC is made a drain layer and n^--SiC in contact with the n^+drain layer is made a drift layer.例文帳に追加

n^+−SiCをドレイン層とし、n^+ドレイン層に接するn^-−SiCをドリフト層とする。 - 特許庁

The first n-type layer 111 and the second n-type layer 112 are n-GaN, and the third n-type layer 113 is n-InGaN.例文帳に追加

第1n型層111、第2n型層112はn−GaNであり、第3n型層113はn−InGaNである。 - 特許庁

In IGBT having at least a p+n-pn+ structure from a collector side to an emitter side, and an n layer having high concentration compared with an n- layer between the n- layer and a p layer, an n layer having the further high concentration compared with the n layer is formed between the n- layer and the p layer.例文帳に追加

コレクタ側からエミッタ側に向かって少なくともp+n−pn+構造と、n−層とp層との間にn−層よりも高濃度のn層と有するIGBTにおいて、n−層とp層との間にn層よりさらに高濃度のn層を形成する。 - 特許庁

例文

The n-type layer 3 is provided with an n^+type GaN layer 6, an n^-type GaN layer 7, and an n^-type AlGaN layer 8, and the n^-type AlGaN layer 8 is formed at a portion contacting the p-type GaN layer 4 in the n-type layer 3.例文帳に追加

n型層3は、n^+型GaN層6と、n^−型GaN層7と、n^−型AlGaN層8とを備えており、n型層3において、p型GaN層4に接する部分にn^−型AlGaN層8が形成されている。 - 特許庁

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「N layer」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 6750



例文

The cathode region of the diode 22 comprises an n^+ diffusion layer 8c, an n^- epitaxial layer 4, an n-type diffusion layer 5 and an n^+ diffusion layer 8b.例文帳に追加

ダイオード22のカソード領域は、n^+拡散層8cと、n^-エピタキシャル層4と、n型拡散層5と、n^+拡散層8bとで構成されている。 - 特許庁

An n-type ZnMgO layer is formed on the surface of the n-type ZnO layer (c).例文帳に追加

(c)n型ZnO層表面上に、n型ZnMgO層を形成する。 - 特許庁

A second N base layer 3 and a first N^- base layer 22 are epitaxially grown on a N^+ drain layer 21 successively, a P base region 23 is selectively formed on its surface, and a N^+ source region 24 is selectively formed on a surface in it.例文帳に追加

N^+ドレイン層21上に第2のNベース層3及び第1のN^-ベース層22を順次エピタキシャル成長し、その表面部分にPベース領域23を選択的に形成し、その中の表面部分にN^+ソース領域24を選択的に形成する。 - 特許庁

A light-emitting device includes: an n-type layer; a p-type layer; an active-region sandwiched between the n-type layer and the p-type layer; and a substrate having a first surface for receiving the active-region sandwiched between the n-type layer and the p-type layer.例文帳に追加

発光素子は、N型層と、P型層と、前記N型層と前記P型層の間に挟まれたアクティベーション層と、前記N型層と前記P型層の間に挟まれたアクティベーション層を受け入れる第1面を有する基板と、を含む。 - 特許庁

The n-type defect layer practically functions as an n-type high n+ buffer layer 2b.例文帳に追加

このn型欠陥層は実質的にn型高n^+バッファ層2bとして機能する。 - 特許庁

An embedded n-type layer B-N is disposed as an intermediate layer on a p-type semiconductor substrate P-sub.例文帳に追加

P型の半導体基板P-subに中間層として埋め込みN型層B-Nが配設されている。 - 特許庁

The n-type semiconductor substrate held between the n+ cathode layer 2 and an n+ anode layer 3 becomes an n- drift layer 1.例文帳に追加

n^+ カソード層2とn^+ アノード層3に挟まれたn型半導体基板がn^- ドリフト層1となる。 - 特許庁

例文

The rectifying element is the p-i-n diode comprising a p-type semiconductor layer, an n-type semiconductor layer, and an intrinsic semiconductor layer between them.例文帳に追加

整流素子は、p型半導体層、n型半導体層及びこれらの間の真性半導体層から構成されるp-i-nダイオードである。 - 特許庁

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