「N layer」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The first n-type layer 111 and the second n-type layer 112 are n-GaN, and the third n-type layer 113 is n-InGaN.例文帳に追加

第１ｎ型層１１１、第２ｎ型層１１２はｎ−ＧａＮであり、第３ｎ型層１１３はｎ−ＩｎＧａＮである。 - 特許庁

N^+-SiC is made a drain layer and n^--SiC in contact with the n^+drain layer is made a drift layer.例文帳に追加

ｎ^＋−ＳｉＣをドレイン層とし、ｎ^＋ドレイン層に接するｎ^-−ＳｉＣをドリフト層とする。 - 特許庁

A thick second III-N layer 17 is deposited on the first III-N layer 15 by means of a hydride vapor phase epitaxy.例文帳に追加

厚い第二のIII-N層１７は、ハイドライド気相成長により第一のIII-N層１５上に堆積させる。 - 特許庁

The n-type defect layer practically functions as an n-type high n+ buffer layer 2b.例文帳に追加

このｎ型欠陥層は実質的にｎ型高ｎ^＋バッファ層２ｂとして機能する。 - 特許庁

On an n-GaAs substrate 21, an n-AlGaAs clad layer 22, an undoped AlGaAs optical guide layer 23, an undoped active layer 24, an undoped AlGaAs optical guide layer 25, a p-AlGaAs clad layer 25, and a p-GaAs cap layer 27 are in sequence laminated.例文帳に追加

n-GaAs基板21の上に、n-AlGaAsクラッド層22、アンドープAlGaAs光ガイド層23、アンドープ活性層24、アンドープAlGaAs光ガイド層25、p-AlGaAsクラッド層26、p-GaAsキャップ層27を順次積層する。 - 特許庁

The total layer thickness of an n-clad layer including the first n-clad layer and the second n-clad layer is 2 μm or more.例文帳に追加

第１のｎクラッド層と第２のｎクラッド層からなるｎクラッド層全体の層厚は２μｍ以上である。 - 特許庁

The N-type structure layer is of sandwich structure composed of a first N layer, a second N layer, and a third N layer which are successively laminated, and the second N layer is wider in optical band gap than the first N layer and third N layer.例文帳に追加

ｎ型構造層は、第一ｎ層、第二ｎ層、第三ｎ層を順次積層して構成されたサンドイッチ構造を有し、第二ｎ層の光学的帯域ギャップの幅は、第一ｎ層及び第三ｎ層の光学的帯域ギャップの幅より広い。 - 特許庁

The cathode region of the diode 22 comprises an n^+ diffusion layer 8c, an n^- epitaxial layer 4, an n-type diffusion layer 5 and an n^+ diffusion layer 8b.例文帳に追加

ダイオード２２のカソード領域は、ｎ^+拡散層８ｃと、ｎ^-エピタキシャル層４と、ｎ型拡散層５と、ｎ^+拡散層８ｂとで構成されている。 - 特許庁

The semiconductor device is composed of an n-GaN layer 11, a p-GaN layer 12 and an n-GaN layer 13 on the n-GaN layer 11, an n^--GaN layer 14 on the p-GaN layer 12, and an n-GaN layer 21 on the n-GaN layer 13.例文帳に追加

半導体装置は、ｎ−ＧａＮ層１１、ｎ−ＧａＮ層１１上にｐ−ＧａＮ層１２とｎ−ＧａＮ層１３、ｐ−ＧａＮ層１２上にｎ^- −ＧａＮ層１４、ｎ−ＧａＮ層１３上にｎ−ＧａＮ層２１、で構成されている。 - 特許庁

Furthermore, a p^+ collector layer 2, an n^+ buffer layer 3, and an n^- high resistance layer 4 are formed.例文帳に追加

さらに、ｐ＋コレクタ層２、ｎ＋バッファ層３、およびｎ−高抵抗層４を形成する。 - 特許庁

A p+ layer 16 is provided on the n+ layer 15 and the n++ buffer layer 20.例文帳に追加

ｐ＋層１６は、ｎ＋層１５およびｎ＋＋バッファ層２０の上に設けられている。 - 特許庁

An N^--type drift layer 2, a P^+-type layer 3, and an N^+-type layer 5 are sequentially formed on an N^+-type substrate 1 using an epitaxial growth.例文帳に追加

Ｎ^+型基板１の上に、Ｎ^-型ドリフト層２、Ｐ^+型層３、Ｎ^+型層５を順にエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

The impurity concentration of the n buffer layer 12 is gradually decreased from the n+ layer 16 toward the n- drift layer 6.例文帳に追加

ｎバッファ層１２の不純物濃度は、ｎ+層１６からｎ-ドリフト層６にかけて緩やかに減少する。 - 特許庁

An n^--layer 21 serving as an epitaxial growth layer is formed on an n^+-layer 20 serving as an n^+ semiconductor substrate and a p guard ring 22, an n^+ channel stopper layer and a p^+-layer 24 serving as a p anode layer are formed on the surface layer of the n^--layer 21.例文帳に追加

ｎ^+ 半導体基板であるｎ^+ 層２０上にエピタキシャル成長層であるｎ^- 層２１を形成し、ｎ^- 層２１の表面層にｐガードリング２２、ｎ^+ チャネルトッパー層およびｐアノード層であるｐ^+ 層２４を形成する。 - 特許庁

This active layer is an n^+ type field stop layer 5.例文帳に追加

この活性層が、ｎ^+型フィールドストップ層５である。 - 特許庁

An embedded n-type layer B-N is disposed as an intermediate layer on a p-type semiconductor substrate P-sub.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板Ｐ-subに中間層として埋め込みＮ型層Ｂ-Nが配設されている。 - 特許庁

Stripes of N RESURF layers, P reserve layers 3, an N RESURF layer 2A and an N^- RESURF layer 4 and have a breakdown voltage in a connecting direction of the P base layer 5 to the N^+ contact layer 10 are formed between the P base layer 5 and the N^+ contact layer 10, thereby forming a multi-RESURF structure.例文帳に追加

Pベース層５とＮ^＋コンタクト層１０との間には、これらを結ぶ方向に耐圧を保持するストライプ状のNリサーフ層、Pリサーフ層３、Nリサーフ層２Ａ、及びＮ^−リサーフ層４が形成され、マルチリサーフ構造を構成している。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer 11 includes: an n-type AlInGaN contact layer 13; an n-type AlGaN clad layer 14; and an n-type GaN guide layer 15.例文帳に追加

ｎ型半導体層１１は、ｎ型ＡｌＩｎＧａＮコンタクト層１３、ｎ型ＡＩＧａＮクラッド層１４およびｎ型ＧａＮガイド層１５を有している。 - 特許庁

The N+ channel stop layer 7 is wider than the N+ channel stop layer 6.例文帳に追加

Ｎ^+チャンネルストップ層７はＮ^+チャンネルストップ層６よりも幅広とされている。 - 特許庁

The rectifying element is the p-i-n diode comprising a p-type semiconductor layer, an n-type semiconductor layer, and an intrinsic semiconductor layer between them.例文帳に追加

整流素子は、p型半導体層、n型半導体層及びこれらの間の真性半導体層から構成されるp-i-nダイオードである。 - 特許庁

An n-type clad layer 2, n-type waveguide layer 3, n-type carrier block layer 4, an active layer 5, p-type carrier block layer 6, and p-type waveguide layer 7 are successively layered on an n type substrate 1.例文帳に追加

ｎ型基板１上に、ｎ型クラッド層２、ｎ型導波層３、ｎ型キャリアブロック層４、活性層５、ｐ型キャリアブロック層６、ｐ型導波層７が順次積層されている。 - 特許庁

The n-type layer 3 is provided with an n^+type GaN layer 6, an n^-type GaN layer 7, and an n^-type AlGaN layer 8, and the n^-type AlGaN layer 8 is formed at a portion contacting the p-type GaN layer 4 in the n-type layer 3.例文帳に追加

ｎ型層３は、ｎ^＋型ＧａＮ層６と、ｎ^−型ＧａＮ層７と、ｎ^−型ＡｌＧａＮ層８とを備えており、ｎ型層３において、ｐ型ＧａＮ層４に接する部分にｎ^−型ＡｌＧａＮ層８が形成されている。 - 特許庁

A light-emitting device includes: an n-type layer; a p-type layer; an active-region sandwiched between the n-type layer and the p-type layer; and a substrate having a first surface for receiving the active-region sandwiched between the n-type layer and the p-type layer.例文帳に追加

発光素子は、N型層と、P型層と、前記N型層と前記P型層の間に挟まれたアクティベーション層と、前記N型層と前記P型層の間に挟まれたアクティベーション層を受け入れる第1面を有する基板と、を含む。 - 特許庁

Layer 1 processing sections 1-1-1-n extract received B channel data 4-1-4-n and received D channel data 5-1-5-n from a signal received from ISDN lines 3-1-3-n via line interfaces 2-1-2-n.例文帳に追加

レイヤ１処理部１-1〜１-nはＩＳＤＮ回線３-1〜３-nから回線インターフェース２-1〜２-nを介して受信した信号から受信Ｂチャネルデータ４-1〜４-n及び受信Ｄチャネルデータ５-1〜５-nを抽出する。 - 特許庁

The layer structure LS1 includes an n-type high concentration carrier layer 3, an n-type light absorbing layer 5, and an n-type cap layer 7.例文帳に追加

層構造体ＬＳ１は、ｎ型の高濃度キャリア層３、ｎ型の光吸収層５、及びｎ型のキャップ層７を含んでいる。 - 特許庁

The growing layer 102 has an n-layer 103, an inclination part 104 and an n^--layer 105.例文帳に追加

成長層１０２は、Ｎ層１０３、傾斜部１０４、およびＮ^−層１０５を有している。 - 特許庁

A depletion layer formed between the N--type layer 5 and the body region 9 extends to the N--type layer 5.例文帳に追加

Ｎ^-層５とＰボディ領域９との間に形成される空乏層はＮ^-層５側に延びる。 - 特許庁

A top-side N-type layer substrate becomes the N+ layer only where the support substrate layer is etched.例文帳に追加

表面側のＮ型層基板は、支持用基板層がエッチングされた箇所だけＮ＋層となる。 - 特許庁

Then an n- buffer layer 22 and a p+ collector layer 23 are formed on the surface of the n- drift layer 21.例文帳に追加

ｎ^−ドリフト層２１の表面にｎ^＋バッファ層２２とｐ^＋コレクタ層２３を形成する。 - 特許庁

An N-type buffer layer 6 is provided between the N^--type drift layer 1 and the P-type anode layer 2.例文帳に追加

Ｎ^−型ドリフト層１とＰ型アノード層２の間にＮ型バッファ層６が設けられている。 - 特許庁

N^+-SiC Formed on the n^-drift layer is made a source layer, and a part of the n^-drift layer is made a channel region by forming a trench extending from the n^+ source layer to a predetermined depth of the n^-drift layer.例文帳に追加

ｎ^-ドリフト層上に形成されたｎ^＋−ＳｉＣをソース層とし、ｎ^＋ソース層からｎ^-ドリフト層の所定深さまでトレンチ溝を形成することでｎ^-ドリフト層の一部をチャネル領域とする。 - 特許庁

An n-type ZnMgO layer is formed on the surface of the n-type ZnO layer (c).例文帳に追加

（ｃ）ｎ型ＺｎＯ層表面上に、ｎ型ＺｎＭｇＯ層を形成する。 - 特許庁

The n-side electrode contacts a part of the n-type semiconductor layer on the opposite side to the light-emitting layer of the n-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｎ側電極は、ｎ型半導体層の発光層とは反対側でｎ型半導体層の一部に接する。 - 特許庁

An n+ cathode layer 32 is formed on one surface of an n-layer 31, and a cathode electrode 33 is formed on the n+cathode layer 32.例文帳に追加

ｎ- 層31の一方の表面にｎ+ カソード層32が形成され、ｎ+ カソード層32上にカソード電極33が形成されている。 - 特許庁

An n+ type cathode layer 32, p- type first base layer 22, n- type base layer 18, n+ type buffer layer 16, and p+ type anode layer 14 constitute an IGBT.例文帳に追加

ｎ^+型カソード層３２、ｐ^-型第１ベース層２２、ｎ^-型ベース層１８、ｎ^+型バッファ層１６、ｐ^+型アノード層１４によりＩＧＢＴが構成されている。 - 特許庁

The layer structural body LS1 comprises a laminated etching stopping layer 2, an n-type high density carrier layer 3, an n-type light absorbing layer 5, and an n-type cap layer 7.例文帳に追加

層構造体ＬＳ１は、積層された、エッチング停止層２、ｎ型の高濃度キャリア層３、ｎ型の光吸収層５、及びｎ型のキャップ層７を含む。 - 特許庁

An n+ type floating emitter layer 24, p- type first base layer 22, n- type baser layer 18, n+ type buffer layer 16, and p+ type anode layer 14 constitute the thyristor.例文帳に追加

ｎ^+型フローティングエミッタ層２４、ｐ^-型第１ベース層２２、ｎ^-型ベース層１８、ｎ^+型バッファ層１６、ｐ^+型アノード層１４によりサイリスタが構成されている。 - 特許庁

The semiconductor substrate includes the p^- layer 7 and the n^- layer 6.例文帳に追加

半導体基板は、ｐ^-層７とｎ^-層６とを含む。 - 特許庁

Optical layer thickness of the n-type InP layer 12a is larger than optical layer thickness of the n-type InGaAs layer 12b.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ層１２ａの光学層厚はｎ型ＩｎＧａＡｓ層１２ｂの光学層厚より大きい。 - 特許庁

A n-type impurity concentration of the second n-type layer 112 is higher than those of the first n-type layer 111 and the third n-type layer 113.例文帳に追加

第２ｎ型層１１２のｎ型不純物濃度は、第１ｎ型層１１１、第３ｎ型層１１３のｎ型不純物濃度よりも高い。 - 特許庁

An n type buffer layer 3 is formed on an n^+ type substrate 2, and an n^- type buffer layer is formed on this.例文帳に追加

ｎ^＋型基板２上にｎ型バッファー層３を形成し、その上にｎ^−型バッファー層を形成する。 - 特許庁

The semiconductor layer is composed of an n-type GaN layer (n-type semiconductor layer) 22 and a p-type GaN layer (p-type semiconductor layer) 23.例文帳に追加

この半導体層は、ｎ型ＧａＮ層（ｎ型半導体層）２２と、ｐ型ＧａＮ層（ｐ型半導体層）２３とからなる。 - 特許庁

A spacer layer 14 is provided between an n-type cladding layer 12 (n-type graded layer 13) and an active layer 16 (guide layer 15).例文帳に追加

ｎ型クラッド層１２（ｎ型グレーデッド層１３）と活性層１６（ガイド層１５）との間に、スペーサ層１４が設けられている。 - 特許庁

The n-guide layer, active layer, p-guide layer, and p-clad layer are formed into the same shape along the n-clad layer.例文帳に追加

ｎ−ガイド層、活性層、ｐ−ガイド層、及びｐ−クラッド層は、ｎ−クラッド層に沿って同じ形状で形成されている。 - 特許庁

A second N base layer 3 and a first N^- base layer 22 are epitaxially grown on a N^+ drain layer 21 successively, a P base region 23 is selectively formed on its surface, and a N^+ source region 24 is selectively formed on a surface in it.例文帳に追加

N^+ドレイン層21上に第２のNベース層3及び第１のN^-ベース層22を順次エピタキシャル成長し、その表面部分にPベース領域23を選択的に形成し、その中の表面部分にN^+ソース領域24を選択的に形成する。 - 特許庁