「N layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The light-emitting layer is provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

発光層は、ｎ型、ｐ型半導体層の間に設けられる。 - 特許庁

A lower-part n- layer 12 of high specific resistance, intermediate n-layer 13 of low specific resistance, and upper-part n- layer 14 of high specific resistance are formed on an n+ cathode layer 11 of low specific resistance.例文帳に追加

低比抵抗のｎ^+ カソード層１１の上に、高比抵抗の下部ｎ^- 層１２、低比抵抗の中間ｎ層１３、高比抵抗の上部ｎ^- 層１４が形成されている。 - 特許庁

The n-type clad layer includes a first n-type clad layer made of AlGaInP and a second n-type clad layer made of AlInP, and the film thickness of the second n-type clad layer is 40-200 nm.例文帳に追加

ｎ型クラッド層は、AlGaInPからなる第１のｎ型クラッド層とAlInPからなる第２のｎ型クラッド層とを含み、第２のｎ型クラッド層の層厚は４０〜２００ｎｍである。 - 特許庁

The n-type metal electrode layer 107 is in contact with the n-type ZnO contact layer 102, and the n-type oxide electrode layer 108 is in contact with the n-type metal electrode layer 107.例文帳に追加

ｎ型金属電極層１０７はｎ型ＺｎＯコンタクト層１０２に接し、ｎ型酸化物電極層１０８はｎ型金属電極層１０７に接している。 - 特許庁

An n-type InP layer 36 is provided on the n-type InGaAs layer 34.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＧａＡｓ層３４上にｎ型ＩｎＰ層３６が設けられている。 - 特許庁

The N-type buffer layer 6 has a higher impurity concentration than the N^--type drift layer 1.例文帳に追加

Ｎ型バッファ層６は、Ｎ^−型ドリフト層１よりも高い不純物濃度を持つ。 - 特許庁

An N+ type source layer 3 is formed on a surface of the N type epitaxial layer 6.例文帳に追加

前記Ｎ型エピタキシャル層６の表面にＮ＋型ソース層３を形成する。 - 特許庁

An n-type ZnO layer is formed on the surface of an n-type ZnO buffer layer (b).例文帳に追加

（ｂ）ｎ型ＺｎＯバッファ層の表面上に、ｎ型ＺｎＯ層を形成する。 - 特許庁

The first semiconductor layer 20 is equipped with an N-type contact layer 21, an N-type clad layer 22, and an N-type guide layer 23 successively laminated on a board 10 side.例文帳に追加

第１の半導体層２０は、基板１０の側から順に、ｎ型コンタクト層２１，ｎ型クラッド層２２，ｎ型ガイド層２３を有している。 - 特許庁

An n+-type source layer 4 is formed on the surface of the p-type well layer 2, and an n+-type drain layer 6 is formed on the surface of the n-type drift layer 3.例文帳に追加

ｐ型ウエル層２の表面にｎ^+ 型ソース層４が形成され、ｎ型ドリフト層３の表面にｎ^+ 型ドレイン層６が形成される。 - 特許庁

A Shottky diode 1 comprises an n+ silicon layer 3, n- silicon layer 5, n- silicon layer 11, insulating embedded gate electrodes 7a-7e, and metal layer 9.例文帳に追加

ショットキーダイオード１は、ｎ^+シリコン層３、ｎ^-シリコン層５、ｎ^-シリコン層１１、絶縁埋め込みゲート電極７ａ〜７ｅ及び金属層９を備える。 - 特許庁

A PIN diode includes an n- drift layer 6, a p anode layer 8, an n buffer layer 12, an n+ layer 16, a front surface electrode and a rear surface electrode.例文帳に追加

ＰＩＮダイオードは、ｎ-ドリフト層６、ｐアノード層８、ｎバッファ層１２、ｎ+層１６、表面電極および裏面電極を備えている。 - 特許庁

The N^--type drift layer 2, the P^+-type layer 3, the N^+-type layer 5, and the N^--type channel layer 8 are formed in self- aligning manner by this manufacture.例文帳に追加

このような製法によれば、Ｎ^-型ドリフト層２、Ｐ^+型層３およびＮ^+型層５とＮ^-型チャネル層８とが自己整合的に形成される。 - 特許庁

In an element isolation structure for semiconductor device, an n--type silicon layer 2, an n+-type silicon layer 3, and another n--type silicon layer 4 are formed on a p+-type silicon substrate 1.例文帳に追加

ｐ^+ 型シリコン基板１の上に、ｎ^- 型シリコン層２、ｎ^+ 型シリコン層３、ｎ^- 型シリコン層４が形成されている。 - 特許庁

An N-type layer 5a composed of an N-type epitaxial layer 5 in which, for example, an N+-type drain layer 13 is formed is surrounded by a P-type drain isolation layer 6 extending from a surface of the N-type epitaxial layer 5 to an N+-type buried layer 2.例文帳に追加

Ｎ＋型ドレイン層１３等が形成されたＮ型エピタキシャル層５からなるＮ型層５ａを、Ｎ型エピタキシャル層５の表面からＮ＋型埋め込み層２まで延在するＰ型ドレイン分離層６で取り囲む。 - 特許庁

The n-side guide layer, the active layer, and the p-side guide layer are undoped or reduced in the amount of a dope.例文帳に追加

n側ガイド層、活性層及びp側ガイド層が、アンドープの層またはドープ量が抑制された層である。 - 特許庁

An intermediate layer made of Ga(N)AsSb is introduced into an interface between a GaInNAs or GaInAs well layer and an upper barrier layer.例文帳に追加

GaInNAs、或いはGaInAs井戸層と、上側障壁層との界面に、Ga(N)AsSbからなる中間層を導入する。 - 特許庁

On the n-type layer B-N, a p-type well region PWEL is uniformly provided.例文帳に追加

Ｎ型層Ｂ-N上にはＰ型のウェル領域ＰＷＥＬが一様に設けられている。 - 特許庁

A curvature lessening layer composed of n-AlGaN is inserted to an n-contact layer 11 composed of n-GaN.例文帳に追加

ｎ−ＧａＮからなるｎコンタクト層１１中に、ｎ−ＡｌＧａＮからなる湾曲緩和層を挿入した。 - 特許庁

A deep N+ type region 14 is formed in an N- type layer 13b to reach an N+ type layer 13a.例文帳に追加

Ｎ−型層１３ｂに、Ｎ＋型層１３ａに達するようにディープＮ＋型領域１４が形成されている。 - 特許庁

The n^--layer 105 has a constant impurity concentration which is lower than that of the n-layer 103.例文帳に追加

Ｎ^−層１０５は、Ｎ層１０３よりも低く、一定の不純物濃度を有している。 - 特許庁

The p layer 3 consists of p-type a-Si:H, the n layer 5 consists of n-type a-Si:H.例文帳に追加

ｐ層３は、ｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、ｎ層５は、ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなる。 - 特許庁

The MOS transistor has a high density source layer N^+S, a high density drain layer N^+D, a low density source layer N^-S and/or a low density drain layer N^-D both of which are diffused deeper than the high density source layer N^+S and the high density drain layer N^+D.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタは、高濃度ソース層Ｎ＋Ｓ及び高濃度ドレインＮ＋Ｄ層と、高濃度ソース層Ｎ＋Ｓ及び高濃度ドレイン層Ｎ＋Ｄより深く拡散された低濃度ソース層Ｎ−Ｓ又は／及び低濃度ドレイン層Ｎ−Ｄを有する。 - 特許庁

The (p) layer 3 consists of p-type a-Si:H, the (n) layer 5 consists of n-type a-Si:H.例文帳に追加

ｐ層３は、ｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、ｎ層５は、ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなる。 - 特許庁

An N- type drift layer 21 is formed in the surface of the N-- type semiconductor layer 12.例文帳に追加

Ｎ−−型の半導体層１２の表面には、Ｎ−型のドリフト層２１が形成されている。 - 特許庁

The barrier layer is a polyurethane-based thin film layer inhibiting permeation of N,N-dimethylformamide.例文帳に追加

バリヤー層は、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドの透過を阻害するポリウレタン系薄膜層である。 - 特許庁

The p-type layer 5 and the n-type layer 6 become an isolation layer of a pn structure.例文帳に追加

ｐ型層５とｎ型層６とがｐｎ構造の素子分離層となる。 - 特許庁

The layer thickness of the first n-clad layer occupies 80% or more of the total layer thickness of the n-clad layer, and the second n-clad layer has a layer thickness of 100 nm or more.例文帳に追加

ｎクラッド層全体の層厚のうち第１のｎクラッド層の層厚が占める割合は８０％以上であり且つ第２のｎクラッド層の層厚は１００ｎｍ以上である。 - 特許庁

An n-side electrode 7 is formed on the exposed n-type GaN layer 2.例文帳に追加

露出したｎ型GaN層２上にｎ側電極７を形成する。 - 特許庁

The n-side lead-out electrode includes an n-side metal wiring layer and an n-side metal pillar provided on the n-side metal wiring layer.例文帳に追加

ｎ側引き出し電極は、ｎ側金属配線層とｎ側金属配線層上に設けられたｎ側金属ピラーとを有する。 - 特許庁

An n-type electrode 5 is bonded to the n-type contact layer 21.例文帳に追加

ｎ型コンタクト層２１には、ｎ型電極５が接合されている。 - 特許庁

Furthermore, an N+ collector diffusion layer 16 is formed to surround them.例文帳に追加

更にそれらを囲むように、N+コレクタ拡散層１６を形成する。 - 特許庁

An n-InP buffer layer 3, an n^--InGaAs light absorbing layer 4, an n-InGaAsP intermediate layer 5, an n^+-InP avalanche multiplication layer 6, and an n^--InP window layer 7 are formed sequentially on an n^+-InP substrate 2 by epitaxial growth.例文帳に追加

ｎ^＋−ＩｎＰ基板２上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層３、ｎ^−−ＩｎＧａＡｓ光吸収層４、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ中間層５、ｎ^＋−ＩｎＰアバランシェ増倍層６、ｎ^−−ＩｎＰ窓層７をエピタキシャル成長法により、順次積層する。 - 特許庁

In a semiconductor laser, having a double heterostructure composed of an n-type clad layer 103, an MQW active layer 105, and a p-type clad layer 106, an n-type saturable absorption layer 104 having a compressive strain, is provided in the n-type clad layer 103.例文帳に追加

n型クラッド層（１０３）と、ＭＱＷ活性層（１０５）と、p型クラッド層（１０６）とからなるダブルへテロ構造の半導体レーザにおいて、n型クラッド層（１０３）中に圧縮歪みを有するn型可飽和吸収層（１０４）を設ける。 - 特許庁

In this method of manufacturing the nitride semiconductor laser, an n-type cladding layer 2, an n-type guide layer 3, an active layer 4 and an undoped guide layer 5 are formed on an n-type GaN substrate in an MOCVD method.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ基板の上に、ＭＯＣＶＤ法により、ｎ型クラッド層２、ｎ型ガイド層３、活性層４、アンドープガイド層５を形成する。 - 特許庁

An n-type layer is formed by epitaxial growth on a heavily doped substrate which becomes an n^+-type cathode layer 1, and then a p-type anode region 3 is formed on a surface layer of the n-type layer.例文帳に追加

ｎ^+ カソード層１となる高濃度基板上にエピタキシャル成長でｎ層を形成し、このｎ層の表面層にｐアノード領域３を形成する。 - 特許庁

The nitride semiconductor lamination structure section 2 comprises: an n-type AlGaN layer 9; an n-type GaN layer 5; a p-type GaN layer 6; and an n-type GaN layer 7.例文帳に追加

窒化物半導体積層構造部２は、Ｎ型ＡｌＧａＮ層９、Ｎ型ＧａＮ層５、Ｐ型ＧａＮ層６およびＮ型ＧａＮ層７を有している。 - 特許庁

The N+-type first drain layer 11 and the second drain layer 3 are integrated to become a deeper n+-type layer than an n+-type source layer 10, and its volume is increased.例文帳に追加

Ｎ＋型の第１ドレイン層１１と第２ドレイン層３は、一体されてＮ＋型ソース層１０より深いＮ＋層となり、その体積が増加する。 - 特許庁

A high-concentration (n) type buffer layer 12, an (n) type intermediate layer 13, a low-concentration (n) type base layer 14, a (p) type well layer 15, and a high-concentration (n) type emitter layer 16, are sequentially formed on a (p) type semiconductor substrate 11.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１１上に、高濃度ｎ型バッファ層１２、ｎ型中間層１３、低濃度ｎ型ベース層１４、ｐ型ウェル層１５、高濃度ｎ型エミッタ層１６を順次形成する。 - 特許庁

A silicon oxide film 16 is embedded in the n^--type offset layer 13 between the n^+-type source layer 14 and the n^+-type drain layer 15.例文帳に追加

ｎ+型ソース層１４とｎ+型ドレイン層１５との間のｎ-型オフセット層１３にはシリコン酸化膜１６が埋め込まれている。 - 特許庁

An n^+-type drain layer 15 having the impurity concentration higher than the n^--type offset layer 13 is formed at the n^--type offset layer 13.例文帳に追加

ｎ-型オフセット層１３には、ｎ-型オフセット層１３より高い不純物濃度を有するｎ+型ドレイン層１５が形成されている。 - 特許庁

An n+-type GaAs layer 24, an n+-type InGaP layer 26, an n+- typed InAlP layer 28, an n-type InGaP layer 30, a p-type InGaP layer 32, and a p-type InAlP layer 34 are laminated in this order on an n+-type GaAs substrate 22.例文帳に追加

ｎ^+ 型ＧａＡｓ基板２２の上に、ｎ^+ 型ＧａＡｓ層２４、ｎ^+ 型ＩｎＧａＰ層２６、ｎ^+ 型ＩｎＡｌＰ層２８、ｎ型ＩｎＧａＰ層３０、ｐ型ＩｎＧａＰ層３２、およびｐ型ＩｎＡｌＰ層３４が、この順序で積層されている。 - 特許庁

The soft recovery diode includes an n^+ type semiconductor substrate 12, an n^- type base layer 13 formed on the n^+ type semiconductor substrate 12, an n^- type base layer 14 formed on the n^- type base layer 13, and an n^+ type anode layer 15 formed on the n^- type base layer 14.例文帳に追加

ｎ^＋型半導体基板１２と、上記ｎ^＋型半導体基板１２上に形成されたｎ^−型ベース層１３と、上記ｎ^−型ベース層１３上に形成されたｎ^−型ベース層１４と、上記ｎ^−型ベース層１４上に形成されたｐ^＋型アノード層１５とを備える。 - 特許庁

An N+-distortion relaxation buffer layer 2, an N--InGaAs light absorbing layer 3, an N-InAsP window layer 4, and an N--InAsP window layer 5 are successively formed on an InP substrate 1 in this sequence for the formation of a photodiode.例文帳に追加

フォトダイオードは、ＩnＰ基板１上に、ｎ^+−歪緩和バッファ層２、ｎ^-−ＩnＧaＡs光吸収層３、ｎ−ＩnＡsＰ窓層４、及び、ｎ^-−ＩnＡsＰ窓層５がこの順に形成される。 - 特許庁

The p-i-n diode has a diffusion prevention region on at least the end part of the intrinsic semiconductor layer side of the p-type semiconductor layer and the end part of the intrinsic semiconductor layer side of the n-type semiconductor layer.例文帳に追加

p-i-nダイオードは、少なくともp型半導体層の真性半導体層側の端部及びn型半導体層の真性半導体層側の端部に拡散防止領域を有する。 - 特許庁