「N layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

It is similar in the case of transferring the object from the layer M to the layer N as well.例文帳に追加

層Ｍから層Ｎにオブジェクトが転送される場合も同様である。 - 特許庁

An N^+ type source layer 19 is formed on the base layer 18.例文帳に追加

Ｎ^＋型のソース層１９がベース層１８の上部に形成されている。 - 特許庁

The interface layer 16 is directly deposited on the uppermost part of a buffer layer 14 before an N-type GaN layer, an N-type Si layer and other parts of an element structure body are grown.例文帳に追加

界面層は、ｎ型（ＧａＮ：Ｓｉ）層と素子構造体のその他の部分とを成長させる前に、バッファ層の最上部に直接堆積される。 - 特許庁

A silicide layer 7 is formed on the low-concentration n-type SOI layer 12.例文帳に追加

そして、シリサイド層７を低濃度Ｎ型ＳＯＩ層１２上に形成する。 - 特許庁

The second buried layer 13 is formed by only the N+ type impurity layer.例文帳に追加

第２の埋め込み層１３はＮ＋型の不純物層のみで形成される。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer 11 includes an n-type AlGaN clad layer 14 and the p-type semiconductor layer 12 includes a p-type AlGaN clad layer 18.例文帳に追加

ｎ型半導体層１１はｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１４を含み、ｐ型半導体層１２はｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１８を含む。 - 特許庁

The group III nitride light emitting device includes an n type layer, the p type layer and the active region in which lights can be emitted between the p type layer and the n type layer.例文帳に追加

ｎ型層、ｐ型層、及び、ｐ型層とｎ型層との間で発光することができる活性領域を含むＩＩＩ族窒化物発光装置。 - 特許庁

A Ni layer 12 is formed on an n-type SiC layer 11 (Fig. 1(a)).例文帳に追加

ｎ型ＳｉＣ層１１上にＮｉ層１２が形成される（図１（ａ））。 - 特許庁

In the semiconductor laser device, an active layer is formed on a p-side clad layer side and an n-side guide layer has an index of refraction higher than the p-side guide layer.例文帳に追加

半導体レーザ装置において、活性層をp側クラッド層側に設けると共にn側ガイド層の屈折率をp側ガイド層の屈折率よりも高くする。 - 特許庁

An n-type semiconductor layer 2 is formed, as a resistive layer, on a substrate 1 separately from the n-type semiconductor layer 2 of a light-emitting semiconductor layer.例文帳に追加

基板１上には、発光用の半導体層のｎ型半導体層２と分離させて抵抗層としてのｎ型半導体層２を形成してある。 - 特許庁

A p-type semiconductor layer 4 is formed on the n+ type drain layer 3, and an n+ type source layer 5 is formed on the p-type semiconductor layer 4.例文帳に追加

このｎ＋型ドレイン層３の上には、ｐ型半導体層４が形成され、ｐ型半導体層４の上にはｎ＋型ソース層５が形成される。 - 特許庁

Plural trenches 9 are formed on the surface of the semiconductor layer 1 from the n+-source layer 4 to the n-type drift layer 3 via the p-type well layer 2.例文帳に追加

ｎ^+ ソース層４からｐ型ウエル層２を通してｎ型ドリフト層３に至るように半導体層１の表面に複数のトレンチ９が形成される。 - 特許庁

In the semiconductor device 70, a P-base layer 4, a P^+-contact layer 5, and an N^+-source layer 6 are formed on a surface region of an N^- high-resistance layer 3 on an N^+-buffer layer 2, and a gate insulating film 7 and a gate electrode 8 are formed in a laminated manner on the N^- high-resistance layer 3.例文帳に追加

半導体装置７０では、Ｎ^＋バッファ層２上のＮ^−高抵抗層３の表面領域にＰベース層４、Ｐ^＋コンタクト層５、Ｎ^＋ソース層６を形成し、Ｎ^−高抵抗層３上にゲート絶縁膜７及びゲート電極８を積層形成する。 - 特許庁

The layer sequence includes an n-doped cover layer and active layer 14, and a magnesium-p-doped cover layer 20.例文帳に追加

この層シーケンスは、ｎドープされたカバー層，アクティブ層１４およびマグネシウムｐドープされたカバー層２０を含む。 - 特許庁

A piezoelectric layer 13 and a piezoelectric layer 14 are alternately arranged from a third layer to a N-th layer.例文帳に追加

第３層から第Ｎ層までの層においては、圧電層１３と圧電層１４とが交互に配置されている。 - 特許庁

An N^- drift layer 2, a first gate layer (P^+ layer) 3, and an N^+ source layer 4 are successively laminated on an SiC board 1, an N^- channel layer 6 is formed on the inner wall of a trench 5, and a second gate layer 3 (P^+ layer) 7 is formed inside.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１の上にＮ^-ドリフト層２と第１のゲート層（Ｐ^+層）３とＮ^+ソース層４とが順に積層され、トレンチ５の内壁部にＮ^-チャネル層６が形成されるとともにその内方に第２のゲート層（Ｐ^+層）７が形成されている。 - 特許庁

The n-type electrode 20 can be the two-layer one comprising a Ti layer and an Au layer, or can be the three-layer one comprising a Ti layer, an Al layer, and an Au layer, or can be the four-layer one comprising a Ti layer, an Al layer, a Ni layer, and an Au layer.例文帳に追加

ｎ型電極２０は、Ｔｉ層およびＡｕ層からなる２層、Ｔｉ層、Ａｌ層およびＡｕ層からなる３層、あるいはＴｉ層、Ａｌ層、Ｎｉ層およびＡｕ層からなる４層であってもよい。 - 特許庁

The n-side wiring layer is prepared in the insulating film, and connected to the n-side electrode through the n-side contact part.例文帳に追加

ｎ側配線層は、絶縁膜内に設けられ、ｎ側コンタクト部を介してｎ側電極と接続されている。 - 特許庁

In order to get a contact with an n-side electrode 29, both sides of the stripe geometry is removed to the middle of the n-GaN buffer layer 13.例文帳に追加

ｎ側電極29とのコンタクトをとるために、ストライプの両側をn-GaNバッファ層13の途中まで除去する。 - 特許庁

The n-side wiring layer is provided on the insulating film, and is connected to the n-side electrode via the n-side contact.例文帳に追加

ｎ側配線層は、絶縁膜上に設けられ、ｎ側コンタクト部を介してｎ側電極と接続されている。 - 特許庁

The laminate 40 comprises a p-type clad layer 1', an active layer 2', and an n-type clad layer 3'.例文帳に追加

積層体４０は、ｐ型クラッド層１’、活性層２’およびｎ型クラッド層３’から成っている。 - 特許庁

An n-type layer 21 and a p-type layer 22 are formed in sequence on a CrN layer 13 (Fig.1(c)).例文帳に追加

ＣｒＮ層１３上に、ｎ型層２１、ｐ型層２２を順次成膜する（図１（ｃ））。 - 特許庁

An n^- type SiC layer 2 or a p^- type SiC layer 4 is insulated separated in an insulation separating layer 3.例文帳に追加

絶縁分離層３にてｎ^-型ＳｉＣ層２やｐ^-型ＳｉＣ層４を絶縁分離する。 - 特許庁

The alternate hetero-junction layer 5 is sandwiched by the p-type layer 1 and the n-type layer 2.例文帳に追加

当該交互ヘテロ接合層５は、ｐ型層１とｎ型層２とにより挟持されている。 - 特許庁

The light-emitting layer is provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

発光層は、前記ｎ形半導体層と前記ｐ形半導体層との間に設けられる。 - 特許庁

The n-side reflection prevention layer 2 and the p-side Bragg reflection layer 4 also work as a contact layer.例文帳に追加

ｎ側反射防止層２及びｐ側ブラッグ反射層４は、コンタクト層の役割も兼ねている。 - 特許庁

An n+-type drain contact layer 6 is formed in a position detached from the base layer 4 of the drain layer 3.例文帳に追加

ドレイン層３のベース層４から離れた位置にｎ^+型ドレイン・コンタクト層６が形成される。 - 特許庁

The light-emitting layer is provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

前記発光層は、前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間に設けられる。 - 特許庁

The semiconductor layer 24 includes a p+ type semiconductor layer 24c and an n+ type semiconductor layer 24a.例文帳に追加

半導体層２４は、ｐ＋型半導体層２４ｃと、ｎ＋型半導体層２４ａとを備える。 - 特許庁

An n-type clad layer 4, an active layer 5, and a p-type clad layer are successively laminated in the Z direction.例文帳に追加

Ｚ方向にｎ型クラッド層４、活性層５およびｐ型クラッド層を順次積層する。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer 11 includes an n-type GaN clad layer 14 and an n-type InGaN guide layer 15, and the p-type semiconductor layer 12 includes a p-type AlGaN electron block layer 16 and a p-type GaN guide contact layer 17.例文帳に追加

ｎ型半導体層１１はｎ型ＧａＮクラッド層１４およびｎ型ＩｎＧａＮガイド層１５を含み、ｐ型半導体層１２はｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層１６およびｐ型ＧａＮガイド・コンタクト層１７を含む。 - 特許庁

The laser part 2 and the light deflection part 3 are configured by successively laminating an n-type clad layer, an n-type guide layer, a multiple quantum well layer, a p-type guide layer, a p-type clad layer and a p-type contact layer on an n-GaAs substrate.例文帳に追加

またレーザ部２及び光偏向部３は、ｎ−ＧａＡｓ基板上に、ｎ型クラッド層、ｎ型ガイド層、多重量子井戸層、ｐ型ガイド層、ｐ型クラッド層、ｐ型コンタクト層が順次積層されて構成されている。 - 特許庁

A P-type diffusion layer 12 is formed on the surface of an N-type silicon substrate 11, and an N-type diffusion layer 14 is formed inside the N-type diffusion layer 12.例文帳に追加

Ｎ型のシリコン基板１１の表面領域にＰ型拡散層１２が形成され、このＰ型拡散層１２内に、Ｎ型拡散層１４が形成される。 - 特許庁

The ditch-like opening parts 4 are formed deeply up to the proximity of the boundary between the N+ type drain layer 7 and an N- type epitaxial layer 8, in the interior of the N+ type drain layer 7.例文帳に追加

堀状の開口部４はＮ＋型ドレイン層７の内部の、Ｎ＋型ドレイン層７とＮ−型エピ層８の境界近傍まで、深く形成されている。 - 特許庁

The n type diffusion layer formation composition is applied to a substrate and heat diffusion process is performed thereon to produce an n type diffusion layer and solar cells having the n type diffusion layer.例文帳に追加

このｎ型拡散層形成組成物を塗布し熱拡散処理を施すことで、ｎ型拡散層、及びｎ型拡散層を有する太陽電池セルが製造される。 - 特許庁

A lens 10 includes an antireflection layer 3 composed of (n+1)-layer low refractive index layers 31 and n-layer (n is an integer of 2 or more) high refractive index layers 32.例文帳に追加

レンズ１０は、ｎ＋１層の低屈折率層３１とｎ層（ｎは２以上の整数）の高屈折率層３２から構成される反射防止層３を含む。 - 特許庁

An n-type etching stop layer 2 is provided on an n-type semiconductor substrate 1, and an n-type stripe-like ridge layer 3 is formed partly in the stop layer 2.例文帳に追加

ｎ形の半導体基板１上にｎ形のエッチングストップ層２が設けられ、そのエッチングストップ層２上の一部にｎ形のストライプ状リッジ層３が形成されている。 - 特許庁

A diode 40 is structured by laminating in the order an n-type silicon carbide layer 14, an n-type silicon layer 16, and a p-type silicon layer 18 on an n+ silicon carbide substrate 12.例文帳に追加

ダイオード４０は、ｎ^+型シリコンカーバイド基板１２上に、ｎ型シリコンカーバイド層１４、ｎ型シリコン層１６、ｐ型シリコン層１８が順に積層された構造をしている。 - 特許庁

An n-type electrode layer is composed of a first n-type electrode layer 11 and a second n-type electrode layer 12, and a degree of the overhang is set so that the n-type region of the second n-type electrode layer 12 is located inside enough for a circumference of an avalanche multiplying layer 13.例文帳に追加

ｎ型電極層を、第１のｎ型電極層１１と第２のｎ型電極層１２とで構成することとし、第２のｎ型電極層１２のｎ型領域が、なだれ増倍層１３の外周に対して充分内側に位置するようにオーバーハングの程度を設定することとした。 - 特許庁

This P-N junction light emitting element is formed by sequentially forming an N-type GaN layer 12, an N-type GaN-based layer 14, and a P-type GaN-based layer 16 on a sapphire substrate 10.例文帳に追加

サファイア基板１０上に順次Ｎ型ＧａＮ層１２、Ｎ型ＧａＮ系層１４、Ｐ型ＧａＮ系層１６を形成し、ＰＮ接合型発光素子を形成する。 - 特許庁

On an N-type well layer 2, a plurality of trenches 3 are formed.例文帳に追加

Ｎ型ウエル層２に複数のトレンチ３を形成する。 - 特許庁

A wiring layer 11 is connected to the n^- region 1.例文帳に追加

配線層１１は、ｎ^-領域１に接続されている。 - 特許庁

The n-type contact layer includes a diameter of ≤20 μm.例文帳に追加

ｎ型コンタクト層の直径が２０μｍ以下である。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer includes a nitride semiconductor.例文帳に追加

前記ｎ型半導体層は、窒化物半導体を含む。 - 特許庁

A cathode electrode 10 is formed on an n^+-layer 20.例文帳に追加

ｎ^+ 層２０上にカソード電極１０を形成する。 - 特許庁