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N layerとは 意味・読み方・使い方
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「N layer」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 6825件
The buffer layer 2 is made of an n-GaN layer having n-type conductivity.例文帳に追加
バッファ層2はn型の導電性を有するn-GaN層から成る。 - 特許庁
An n-type InN layer 104 is formed in a part on the n-type AlGaN layer 103, and an Ni/Pt/Au electrode 106 is formed on the n-type InN layer 104.例文帳に追加
n型AlGaN層103上の一部にはn型InN層104が形成されており、n型InN層104上にはNi/Pt/Au電極106が形成されている。 - 特許庁
The n-type semiconductor substrate held between the n+ cathode layer 2 and an n+ anode layer 3 becomes an n- drift layer 1.例文帳に追加
n^+ カソード層2とn^+ アノード層3に挟まれたn型半導体基板がn^- ドリフト層1となる。 - 特許庁
A GaN buffer layer 2, an n-type GaN layer 3, an n-type AlGaInN cladding layer 4, a GaN active layer 5, a p-type AlGaInN cladding layer 6, and a p-type GaN layer 7 are sequentially deposited on a sapphire substrate 1 in this order.例文帳に追加
サファイア基板1上にGaNバッファ層2、n-GaN層3、n-AlGaInNクラッド層4、GaN活性層5、p-AlGaInNクラッド層6、p-GaN層7を順次堆積する。 - 特許庁
In IGBT having at least a p+n-pn+ structure from a collector side to an emitter side, and an n layer having high concentration compared with an n- layer between the n- layer and a p layer, an n layer having the further high concentration compared with the n layer is formed between the n- layer and the p layer.例文帳に追加
コレクタ側からエミッタ側に向かって少なくともp+n−pn+構造と、n−層とp層との間にn−層よりも高濃度のn層と有するIGBTにおいて、n−層とp層との間にn層よりさらに高濃度のn層を形成する。 - 特許庁
The first n-type layer 111 and the second n-type layer 112 are n-GaN, and the third n-type layer 113 is n-InGaN.例文帳に追加
第1n型層111、第2n型層112はn−GaNであり、第3n型層113はn−InGaNである。 - 特許庁
N^+-SiC is made a drain layer and n^--SiC in contact with the n^+drain layer is made a drift layer.例文帳に追加
n^+−SiCをドレイン層とし、n^+ドレイン層に接するn^-−SiCをドリフト層とする。 - 特許庁
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「N layer」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 6825件
A thick second III-N layer 17 is deposited on the first III-N layer 15 by means of a hydride vapor phase epitaxy.例文帳に追加
厚い第二のIII-N層17は、ハイドライド気相成長により第一のIII-N層15上に堆積させる。 - 特許庁
The n-type defect layer practically functions as an n-type high n+ buffer layer 2b.例文帳に追加
このn型欠陥層は実質的にn型高n^+バッファ層2bとして機能する。 - 特許庁
On an n-GaAs substrate 21, an n-AlGaAs clad layer 22, an undoped AlGaAs optical guide layer 23, an undoped active layer 24, an undoped AlGaAs optical guide layer 25, a p-AlGaAs clad layer 25, and a p-GaAs cap layer 27 are in sequence laminated.例文帳に追加
n-GaAs基板21の上に、n-AlGaAsクラッド層22、アンドープAlGaAs光ガイド層23、アンドープ活性層24、アンドープAlGaAs光ガイド層25、p-AlGaAsクラッド層26、p-GaAsキャップ層27を順次積層する。 - 特許庁
The total layer thickness of an n-clad layer including the first n-clad layer and the second n-clad layer is 2 μm or more.例文帳に追加
第1のnクラッド層と第2のnクラッド層からなるnクラッド層全体の層厚は2μm以上である。 - 特許庁
The N-type structure layer is of sandwich structure composed of a first N layer, a second N layer, and a third N layer which are successively laminated, and the second N layer is wider in optical band gap than the first N layer and third N layer.例文帳に追加
n型構造層は、第一n層、第二n層、第三n層を順次積層して構成されたサンドイッチ構造を有し、第二n層の光学的帯域ギャップの幅は、第一n層及び第三n層の光学的帯域ギャップの幅より広い。 - 特許庁
The cathode region of the diode 22 comprises an n^+ diffusion layer 8c, an n^- epitaxial layer 4, an n-type diffusion layer 5 and an n^+ diffusion layer 8b.例文帳に追加
ダイオード22のカソード領域は、n^+拡散層8cと、n^-エピタキシャル層4と、n型拡散層5と、n^+拡散層8bとで構成されている。 - 特許庁
The semiconductor device is composed of an n-GaN layer 11, a p-GaN layer 12 and an n-GaN layer 13 on the n-GaN layer 11, an n^--GaN layer 14 on the p-GaN layer 12, and an n-GaN layer 21 on the n-GaN layer 13.例文帳に追加
半導体装置は、n−GaN層11、n−GaN層11上にp−GaN層12とn−GaN層13、p−GaN層12上にn^- −GaN層14、n−GaN層13上にn−GaN層21、で構成されている。 - 特許庁
Furthermore, a p^+ collector layer 2, an n^+ buffer layer 3, and an n^- high resistance layer 4 are formed.例文帳に追加
さらに、p+コレクタ層2、n+バッファ層3、およびn−高抵抗層4を形成する。 - 特許庁
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