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N layerとは 意味・読み方・使い方

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Weblio専門用語対訳辞書での「N layer」の意味

N layer


N+ layer

Weblio専門用語対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

「N layer」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 6825



例文

The buffer layer 2 is made of an n-GaN layer having n-type conductivity.例文帳に追加

バッファ層2はn型の導電性を有するn-GaN層から成る。 - 特許庁

An n-type InN layer 104 is formed in a part on the n-type AlGaN layer 103, and an Ni/Pt/Au electrode 106 is formed on the n-type InN layer 104.例文帳に追加

n型AlGaN層103上の一部にはn型InN層104が形成されており、n型InN層104上にはNi/Pt/Au電極106が形成されている。 - 特許庁

The n-type semiconductor substrate held between the n+ cathode layer 2 and an n+ anode layer 3 becomes an n- drift layer 1.例文帳に追加

n^+ カソード層2とn^+ アノード層3に挟まれたn型半導体基板がn^- ドリフト層1となる。 - 特許庁

A GaN buffer layer 2, an n-type GaN layer 3, an n-type AlGaInN cladding layer 4, a GaN active layer 5, a p-type AlGaInN cladding layer 6, and a p-type GaN layer 7 are sequentially deposited on a sapphire substrate 1 in this order.例文帳に追加

サファイア基板1上にGaNバッファ層2、n-GaN層3、n-AlGaInNクラッド層4、GaN活性層5、p-AlGaInNクラッド層6、p-GaN層7を順次堆積する。 - 特許庁

In IGBT having at least a p+n-pn+ structure from a collector side to an emitter side, and an n layer having high concentration compared with an n- layer between the n- layer and a p layer, an n layer having the further high concentration compared with the n layer is formed between the n- layer and the p layer.例文帳に追加

コレクタ側からエミッタ側に向かって少なくともp+n−pn+構造と、n−層とp層との間にn−層よりも高濃度のn層と有するIGBTにおいて、n−層とp層との間にn層よりさらに高濃度のn層を形成する。 - 特許庁

The first n-type layer 111 and the second n-type layer 112 are n-GaN, and the third n-type layer 113 is n-InGaN.例文帳に追加

第1n型層111、第2n型層112はn−GaNであり、第3n型層113はn−InGaNである。 - 特許庁

例文

N^+-SiC is made a drain layer and n^--SiC in contact with the n^+drain layer is made a drift layer.例文帳に追加

n^+−SiCをドレイン層とし、n^+ドレイン層に接するn^-−SiCをドリフト層とする。 - 特許庁

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「N layer」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 6825



例文

A thick second III-N layer 17 is deposited on the first III-N layer 15 by means of a hydride vapor phase epitaxy.例文帳に追加

厚い第二のIII-N層17は、ハイドライド気相成長により第一のIII-N層15上に堆積させる。 - 特許庁

The n-type defect layer practically functions as an n-type high n+ buffer layer 2b.例文帳に追加

このn型欠陥層は実質的にn型高n^+バッファ層2bとして機能する。 - 特許庁

On an n-GaAs substrate 21, an n-AlGaAs clad layer 22, an undoped AlGaAs optical guide layer 23, an undoped active layer 24, an undoped AlGaAs optical guide layer 25, a p-AlGaAs clad layer 25, and a p-GaAs cap layer 27 are in sequence laminated.例文帳に追加

n-GaAs基板21の上に、n-AlGaAsクラッド層22、アンドープAlGaAs光ガイド層23、アンドープ活性層24、アンドープAlGaAs光ガイド層25、p-AlGaAsクラッド層26、p-GaAsキャップ層27を順次積層する。 - 特許庁

The total layer thickness of an n-clad layer including the first n-clad layer and the second n-clad layer is 2 μm or more.例文帳に追加

第1のnクラッド層と第2のnクラッド層からなるnクラッド層全体の層厚は2μm以上である。 - 特許庁

The N-type structure layer is of sandwich structure composed of a first N layer, a second N layer, and a third N layer which are successively laminated, and the second N layer is wider in optical band gap than the first N layer and third N layer.例文帳に追加

n型構造層は、第一n層、第二n層、第三n層を順次積層して構成されたサンドイッチ構造を有し、第二n層の光学的帯域ギャップの幅は、第一n層及び第三n層の光学的帯域ギャップの幅より広い。 - 特許庁

The cathode region of the diode 22 comprises an n^+ diffusion layer 8c, an n^- epitaxial layer 4, an n-type diffusion layer 5 and an n^+ diffusion layer 8b.例文帳に追加

ダイオード22のカソード領域は、n^+拡散層8cと、n^-エピタキシャル層4と、n型拡散層5と、n^+拡散層8bとで構成されている。 - 特許庁

The semiconductor device is composed of an n-GaN layer 11, a p-GaN layer 12 and an n-GaN layer 13 on the n-GaN layer 11, an n^--GaN layer 14 on the p-GaN layer 12, and an n-GaN layer 21 on the n-GaN layer 13.例文帳に追加

半導体装置は、n−GaN層11、n−GaN層11上にp−GaN層12とn−GaN層13、p−GaN層12上にn^- −GaN層14、n−GaN層13上にn−GaN層21、で構成されている。 - 特許庁

例文

Furthermore, a p^+ collector layer 2, an n^+ buffer layer 3, and an n^- high resistance layer 4 are formed.例文帳に追加

さらに、p+コレクタ層2、n+バッファ層3、およびn−高抵抗層4を形成する。 - 特許庁

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