Ribeとは 意味・読み方・使い方

When RIBE is performed using chlorine for etching gas, the structure of Fig.17 (b) is provided.例文帳に追加

エッチングガスに塩素を用いてＲＩＢＥを行うと、図１７（ｂ）の構造が得られる。 - 特許庁

The subsequent Ar etching was carried out as an after- treatment of the RIBE by the chlorine base gas.例文帳に追加

後のＡｒによるエッチングは、上記の塩素系ガスによるＲＩＢＥの後処理として行ったものである。 - 特許庁

An RIBE treatment was given from an uppermost surface Σwhich is not covered with a mask (a) or a mask (b), to the extent of a portion of an n-type semiconductor layer 103.例文帳に追加

マスクａ、又はマスクｂに覆われていない最上面Σより、ｎ型半導体層１０３の一部までをＲＩＢＥ処理した。 - 特許庁

On the air chamber peripheral wall 3i, a plurality of stripes of rib-like projections 15 constituting reinforcing thick wall parts are projectingly provided under the condition that the rib thickness t3 of the ribe-like projection is nearly equal to the wall thickness t, of the peripheral wall 3 or the wall thickness t2 of the partition wall 4.例文帳に追加

空気室周壁３ｉには補強用の厚肉部を構成する複数条のリブ状突出部１５が突設されており、その肉厚ｔ_3 は、周壁３の肉厚ｔ__1 や、隔壁４の肉厚ｔ_2 と略等しくなっている。 - 特許庁

As shown in (d), a photoresist pattern of a ring shape having a width of 5 μm is formed and etched deeper than an MQW active layer 4 from a P-electrode 7 by dry etching such as RIBE(reactive ion beam etching).例文帳に追加

（ｄ）に示すように、幅５μｍのリング形状のフォトレジストパターンを形成し、Ｃｌ_2などを用いたＲＩＢＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ｅｔｃｈｉｎｇ）などのドライエッチングによりＰ−電極７からＭＱＷ活性層４より深くセルフアラインにエッチングする。 - 特許庁