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SINGLE LAYER TYPEとは 意味・読み方・使い方
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「SINGLE LAYER TYPE」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 358件
EARTH SOLAR SYSTEM (SINGLE LAYER TYPE)例文帳に追加
アース・ソーラーシステム（一層式） - 特許庁
The photosensitive layer 23 comprises a single layer type photosensitive layer or a lamination type photosensitive layer.例文帳に追加
感光層２３は、単層型感光層または積層型感光層からなる。 - 特許庁
A high-concentration n-type single crystal semiconductor layer 8, an n-type single crystal semiconductor layer 4, a p-type single crystal semiconductor substrate 1 and a high-concentration p-type single crystal semiconductor layer 10 are function as a photoelectric conversion layer.例文帳に追加
高濃度ｎ型の単結晶半導体層８、ｎ型の単結晶半導体層４、ｐ型の単結晶半導体基板１、高濃度ｐ型の単結晶半導体層１０は、光電変換層として機能する。 - 特許庁
At the heterointerface of the n-type single crystal SiGe layer and the p-type single crystal SiGeC layer, a band gap of the p-type single crystal SiGeC layer is not smaller than the n-type single crystal SiGe layer.例文帳に追加
ｎ型単結晶ＳｉＧｅ層とｐ型単結晶ＳｉＧｅＣ層のヘテロ界面において、ｐ型単結晶ＳｉＧｅＣ層のバンドギャップは、ｎ型単結晶ＳｉＧｅ層以上である。 - 特許庁
SINGLE LAYER SPRAYING TYPE SURFACE TREATMENT METHOD例文帳に追加
単層型散布式表面処理工法 - 特許庁
SINGLE LAYER POSITIVE ELECTRIFICATION TYPE ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR例文帳に追加
単層正帯電型電子写真感光体 - 特許庁
POSITIVE CHARGE TYPE SINGLE LAYER ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR例文帳に追加
正帯電単層型電子写真用感光体 - 特許庁
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「SINGLE LAYER TYPE」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 358件
FUNCTIONALITY SINGLE LAYER SPRAYING TYPE SURFACE TREATMENT METHOD例文帳に追加
機能性単層型散布式表面処理工法 - 特許庁
SINGLE LAYER TYPE ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR AND IMAGE FORMING APPARATUS例文帳に追加
単層型電子写真感光体及び画像形成装置 - 特許庁
SINGLE-LAYER TYPE ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR AND IMAGE FORMING APPARATUS例文帳に追加
単層型電子写真感光体及び画像形成装置 - 特許庁
SINGLE LAYER TYPE SPREAD STYLE SURFACE TREATMENT METHOD例文帳に追加
単層型散布式表面処理工法 - 特許庁
INTEGRALLY-MOLDED METALLIC PIPE OF SINGLE-LAYER AND DOUBLE-LAYER PLASTIC BUILT-IN TYPE例文帳に追加
単層および復層プラスチック内蔵式一体成型金属製パイプ - 特許庁
An exemplary SiGeC heterojunction bipolar transistor has a collector comprising an n-type single crystal Si layer and an n-type single crystal SiGe layer.例文帳に追加
ＳｉＧｅＣヘテロ接合バイポーラトランジスタの代表例のコレクタは、ｎ型単結晶Ｓｉ層、及びｎ型単結晶ＳｉＧｅ層からなる。 - 特許庁
The base of the transistor comprises a heavily doped p-type single crystal SiGeC layer, and its emitter comprises an n-type single crystal Si layer.例文帳に追加
又、ベースは高濃度ｐ型単結晶ＳｉＧｅＣ層からなり、更にエミッタはｎ型単結晶Ｓｉ層からなる。 - 特許庁
The second layer 12 comprises a p-type single crystal gallium nitride(GaN).例文帳に追加
第２層１２はｐ型単結晶の窒化ガリウム（ＧａＮ）からなっている。 - 特許庁
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