「SINGLE LAYER TYPE」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

SINGLE LAYER POSITIVE ELECTRIFICATION TYPE ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR例文帳に追加

単層正帯電型電子写真感光体 - 特許庁

POSITIVE CHARGE TYPE SINGLE LAYER ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR例文帳に追加

正帯電単層型電子写真用感光体 - 特許庁

FUNCTIONALITY SINGLE LAYER SPRAYING TYPE SURFACE TREATMENT METHOD例文帳に追加

機能性単層型散布式表面処理工法 - 特許庁

SINGLE LAYER TYPE ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR AND IMAGE FORMING APPARATUS例文帳に追加

単層型電子写真感光体及び画像形成装置 - 特許庁

SINGLE-LAYER TYPE ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR AND IMAGE FORMING APPARATUS例文帳に追加

単層型電子写真感光体及び画像形成装置 - 特許庁

SINGLE LAYER TYPE SPREAD STYLE SURFACE TREATMENT METHOD例文帳に追加

単層型散布式表面処理工法 - 特許庁

INTEGRALLY-MOLDED METALLIC PIPE OF SINGLE-LAYER AND DOUBLE-LAYER PLASTIC BUILT-IN TYPE例文帳に追加

単層および復層プラスチック内蔵式一体成型金属製パイプ - 特許庁

An exemplary SiGeC heterojunction bipolar transistor has a collector comprising an n-type single crystal Si layer and an n-type single crystal SiGe layer.例文帳に追加

ＳｉＧｅＣヘテロ接合バイポーラトランジスタの代表例のコレクタは、ｎ型単結晶Ｓｉ層、及びｎ型単結晶ＳｉＧｅ層からなる。 - 特許庁

The base of the transistor comprises a heavily doped p-type single crystal SiGeC layer, and its emitter comprises an n-type single crystal Si layer.例文帳に追加

又、ベースは高濃度ｐ型単結晶ＳｉＧｅＣ層からなり、更にエミッタはｎ型単結晶Ｓｉ層からなる。 - 特許庁

The second layer 12 comprises a p-type single crystal gallium nitride(GaN).例文帳に追加

第２層１２はｐ型単結晶の窒化ガリウム（ＧａＮ）からなっている。 - 特許庁

The first layer 11 comprises an n-type single crystal gallium nitride(GaN).例文帳に追加

第１層１１はｎ型単結晶の窒化ガリウム（ＧａＮ）からなっている。 - 特許庁

SINGLE LAYER TYPE ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR, PROCESS CARTRIDGE AND ELECTROPHOTOGRAPHIC DEVICE例文帳に追加

単層型電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 - 特許庁

SINGLE-LAYER TYPE ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR AND IMAGE FORMING APPARATUS PROVIDED THEREWITH例文帳に追加

単層型電子写真感光体およびそれを備えた画像形成装置 - 特許庁

SINGLE LAYER TYPE ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR AND IMAGE FORMING DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

単層型電子写真感光体、及びそれを使用した画像形成装置 - 特許庁

OPTICAL RETARDATION PLATE COMPENSATION AND SINGLE POLARIZING PLATE REFLECTION TYPE TWO-LAYER LIQUID CRYSTAL DISPLAY例文帳に追加

位相差板補償・単偏光板式反射型２層液晶ディスプレイ - 特許庁

The photosensitive layer can be a laminate type one comprising a charge generating layer and a charge transport layer or a monolayer type one comprising a single layer.例文帳に追加

感光層は、電荷発生層および電荷輸送層からなる積層型、または、単一層からなる単層型のいずれであってもよい。 - 特許庁

The first opening is filled with a single crystal layer which has grown from the surface of an N-type epitaxial layer 5 and a poly-crystal layer which has grown from part of the bottom of the P-type poly-crystal silicon layer 11, and the single crystal layer includes at least the P-type single crystal silicon layer.例文帳に追加

第１の開口はＮ型のエピタキシャル層５の表面から成長した単結晶層とＰ型の多結晶シリコン層１１の底面の一部から成長した多結晶層で埋められ、上記単結晶層は少なくともＰ型の単結晶シリコン層を含む。 - 特許庁

An n-type epitaxial layer 8 is formed on a p-type single crystal silicon substrate 6.例文帳に追加

Ｐ型の単結晶シリコン基板６上にＮ型のエピタキシャル層８が形成されている。 - 特許庁

An n type single-crystal silicon layer 12 is formed, and a groove 13 is provided on a first principal plane of a high concentration n type single-crystal silicon substrate 11.例文帳に追加

高濃度のｎ型単結晶シリコン基板１１の第１主面上にｎ型単結晶シリコン層１２を形成し、溝１３を設ける。 - 特許庁

A p-type polysilicon layer 7 is disposed on a n-type semiconductor layer 2 which is a single crystal silicon layer.例文帳に追加

単結晶シリコン層であるｎ−型半導体層２の上に、ｐ型の多結晶シリコン層７を設ける。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon layer 14 and a p-type amorphous silicon layer 15 get into a via hole of an n-type single-crystal silicon substrate 11 while an i-type amorphous silicon layer 12 and an n-type amorphous silicon layer 13 get into a via hole of the n-type single-crystal silicon substrate 11.例文帳に追加

ｉ型非晶質シリコン層１４とｐ型非晶質シリコン層１５とは、ｎ型単結晶シリコン基板１１が有する貫通孔内に入り込み、ｉ型非晶質シリコン層１２とｎ型非晶質シリコン層１３とは、ｎ型単結晶シリコン基板１１が有する貫通孔内に入り込む。 - 特許庁

On a ZnO single crystal substrate 1, an n-type contact layer 6, an n-type clad layer 7, an active layer 8, p-type clad layer 9, and a p-type contact layer 10 are sequentially laminated.例文帳に追加

ＺｎＯ単結晶基板１上にｎ形コンタクト層６、ｎ形クラッド層７、活性層８、ｐ形クラッド層９、及びｐ形コンタクト層１０が順次積層されている。 - 特許庁

A conductive portions 7 contacting with an electrode of the zebra type connector is composed of a single and partial zebra type conductive part which is a single layer of conductive layer or composed of a thin conductive layer and a thin insulation layer.例文帳に追加

該ゼブラ型コネクタの電極に接触する導電部分７が導電層の単一層であるかまたは薄層の導電層と薄層の絶縁層からなる単一の部分的ゼブラ型導電部分からなることを特徴とする。 - 特許庁

An insulating layer 6 is formed on the single crystal silicon layer 3 including the n-type and the p-type impurity regions 3a, 3b.例文帳に追加

Ｎ型およびＰ型不純物領域３ａ，３ｂを含む単結晶シリコン層３の上には絶縁層６が形成される。 - 特許庁

The base body 2 is formed of an n-type single crystal silicon layer which is used as a first conductivity type semiconductor layer.例文帳に追加

基体２は、第１導電型半導体としてのｎ型単結晶シリコンによって形成されている。 - 特許庁

On a P-type single crystal silicon substrate 50, an N-type epitaxial silicon layer 51A and an N-type epitaxial silicon layer 51B are laminated, and P-type well area 52C is formed in the N-type epitaxial silicon layer 51B.例文帳に追加

Ｐ型の単結晶シリコン基板上５０に、Ｎ型エピタキシャル・シリコン層５１ＡとＮ型エピタキシャル・シリコン層５１Ｂとを積層し、Ｎ型エピタキシャル・シリコン層５１Ｂの中にＰ型ウエル領域５２Ｃを設ける。 - 特許庁

A porous Si layer 2 is formed on a single-crystal Si substrate 1 and a p^+-type Si layer 3, a p-type Si layer 4, and an n^+-type Si layer 5 all of which become solar battery layers are formed on the Si layer 2.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ基板１上に多孔質Ｓｉ層２を形成し、その上に太陽電池層となるｐ^+ 型Ｓｉ層３、ｐ型Ｓｉ層４およびｎ^+ 型Ｓｉ層５を形成する。 - 特許庁

There are sequentially formed a buffer layer of BP material, a cubic-system p-type single crystal layer of BP material, a p-type group III nitride semiconductor crystal layer of hexagonal system, and an n-type group III nitride semiconductor crystal layer on a substrate comprising Si single crystal of p-type conductivity.例文帳に追加

ｐ形導電性のＳｉ単結晶からなる基板上に、ＢＰ系材料からなる緩衝層と、ＢＰ系材料からなる立方晶のｐ形単結晶層と、立方晶のｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層と、六方晶のｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層とを順次形成する。 - 特許庁

Apart from hitoe (a single layer of kimono) and awase (lined garment), there is donuki (juban undergarment) tailored type without lining. 例文帳に追加

単衣や袷（あわせ）のほかに、胴裏を省いた胴抜（どうぬき）仕立てがある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

POSITIVE CHARGE TYPE SINGLE-LAYER ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR INCLUDING 1, 3, 5-TRIAZINE DERIVATIVE AS ELECTRON TRANSPORT MATERIAL例文帳に追加

１，３，５−トリアジン誘導体を電子輸送材とする正帯電単層型電子写真感光体 - 特許庁

A barrel vault type single layer unit 21 is constructed of frame materials 7 and hubs 8.例文帳に追加

フレーム材７とハブ８とでバレルヴォールト型のシングルレイヤーユニット２１を構築する。 - 特許庁

The solar battery is provided with a thin non-single crystal silicon semiconductor film 14 containing the I-type semiconductor layer.例文帳に追加

Ｉ型半導体層を含む非単結晶シリコンの半導体薄膜１４を設ける。 - 特許庁

CURTAIN COATING DISPERSION AND SINGLE LAYER-TYPE SELF-COLORING PRESSURE SENSITIVE RECORDING PAPER USING THIS DISPERSION例文帳に追加

カーテン塗工用分散液及びそれを用いた単一層型自己発色性感圧記録紙 - 特許庁

To provide a high-sensitivity, single-layer type electrophotographic photoreceptor usable at both positive and negative polarities.例文帳に追加

正負両極性で使用できる高感度な単層型の電子写真感光体の提供。 - 特許庁

To provide a negatively charged single layer type electrophotographic photoreceptor having high sensitivity and superior photo-responsiveness.例文帳に追加

高感度でしかも光応答性に優れた負帯電単層型電子写真感光体を提供するにある。 - 特許庁

The depletion layer extended from the junction part 23 is also spread in a p- type silicon single crystalline region 17.例文帳に追加

また、ｐ^-型シリコン単結晶領域１７中には、接合部２３から延びてきた空乏層が広がる。 - 特許庁

To provide a single layer-type electrophotographic photoreceptor which restrains the occurrence of fogging.例文帳に追加

かぶりの発生を抑制することができる単層型電子写真感光体を提供することを目的とする。 - 特許庁

POSITIVE CHARGE TYPE SINGLE-LAYER ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR, IMAGE FORMING APPARATUS, AND IMAGE FORMING METHOD例文帳に追加

正帯電単層型電子写真感光体、画像形成装置、及び画像形成方法 - 特許庁

In addition, a buried emitter is formed with little dimensional fluctuation on the single-crystal structure section 111a positioned in the emitter opening 114 by forming an n-type semiconductor layer.例文帳に追加

またこの上にＮ型半導体層で埋めエミッタ寸法バラツキを少なく形成する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SINGLE LAYER OF TWO-COLOR ROTATING PARTICLE AND METHOD FOR MANUFACTURING ROTATING PARTICLE TYPE DISPLAY DEVICE例文帳に追加

二色回転粒子の単層の製造方法および回転粒子型表示装置の製造方法 - 特許庁

The silicon carbide semiconductor device includes: a Schottky metal portion 8 for an N-type epitaxial layer 2 on an SiC single-crystal substrate 1; and the ohmic electrode 5 for a p-type silicon carbide single crystal 4 provided to the N-type epitaxial layer.例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶基板１上のＮ型エピタキシャル層２に対するショットキー金属部８と、Ｎ型エピタキシャル層に設けられたｐ型炭化珪素単結晶４に対するオーミック性電極５とを備える。 - 特許庁

To provide a single layer type organic electrophotographic photoreceptor of high sensitivity with which the occurrence of the degradation in photoreceptor performance due to strong light fatigue is averted by improving the strong light fatigue characteristic in a photosensitive layer of a single layer type.例文帳に追加

単層型の感光層における強光疲労特性を改良することで、強光疲労による感光体性能の低下を生ずることがない、高感度の単層型有機電子写真感光体を提供する。 - 特許庁

To provide a light-confining-type single crystal silicon solar cell whose film photoelectric conversion layer is a single crystal silicon having high crystallinity.例文帳に追加

薄膜の光変換層を結晶性の高い単結晶シリコンとした光閉じ込め型単結晶シリコン太陽電池を提供する。 - 特許庁

To provide a light confining type single-crystal silicon solar cell, in which a single-crystal silicon with high crystallinity is used for a photo conversion layer in a thin film.例文帳に追加

薄膜の光変換層を結晶性の高い単結晶シリコンとした光閉じ込め型単結晶シリコン太陽電池を提供する。 - 特許庁

The single cell for the solid electrolyte type fuel cells has an electrolyte layer 3, sandwiched with an upper electrode layer 4 and a lower electrode layer 5.例文帳に追加

電解質層３を上部電極層４と下部電極層５で挟持した固体電解質型燃料電池用の単セルである。 - 特許庁